WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

мость slow в области температур T < 180 K — это темПри анализе представленных данных важно помнить, пературная зависимость коэффициента рекомбинации n что время действия возбуждающего излучения меньше на уровне, определяющем время рекомбинации в модели fast во всем интервале температур, так что насыщение -прилипания [10]. В этом же интервале температур заполнения уровней прилипания в течение действия подтемпературная зависимость fast определяется темперасветки отсутствует; после выключения внешнего возбутурной зависимостью коэффициента рекомбинации уровждения уровни только начинают заполняться, захватывая ня прилипания.

неравновесные носители из зоны. В этом заключается Другое объяснение этого явления может состоять во отличие принятых нами условий от обычно рассматривавключении при больших значениях slow ограничиваюемых [10], поэтому соотношения между Afast и Aslow для щего механизма рекомбинации на поверхности [9] с -прилипания могут так изменяться с температурой, как характерным временем s. Это время в свою очередь показано на рис. 4, причем оценочно равно или s = b2/(16D) для случая, когда M NCM рекомбинация ограничена притоком неравновесных ноAfast n(0), Aslow n(0), NCM + M NCM + M сителей к поверхности, что может быть при скорости поверхностной рекомбинации s, превышающей граничгде n(0) — концентрация неравновесных электронов в начальный момент времени; поскольку в исследуемом ную sthr = D/b (в нашем случае при b = 0.1 cm, диапазоне температур Afast > Aslow (рис. 4), то MNCM. D 10 cm2/s sthr 300 cm/s), или в обратном случае, Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. Определение рекомбинационных параметров полупроводникового материала... при s sthr, s = b/(2s). Соответственно для первого Метод позволяет систематически отслеживать темпеслучая имеем s 10 µs, что близко к значению ратурные изменения как релаксации, так и соответствуограничивающего времени в опыте (рис. 4), а во втором ющих парциальных амплитуд, что открывает дополнительные каналы информации для получения сведений о случае при s = 3 µs (рис. 4) получаем s 3 · 104 cm/s, протекании рекомбинационных процессов.

что противоречит условию s sthr 300 cm/s. Таким образом, можно сделать вывод, что в нашем случае реализуется первый вариант и ограничивающее время Список литературы определяется как s = b2/(16D). Тогда температурная зависимость slow s определяется температурной [1] Амиров Ю.Г., Данилевский А.М., Челноков В.Е. // ФТП.

зависимостью коэффициента диффузии D = kT /e · µ(T ), 1976. Т. 10. Вып. 10. С. 1986–1989.

которая у точки максимума подвижности µ(T ) (для [2] Григорьев В.В., Зуев В.В., Мехтиев М.М. и др. // ФТП.

1990. Т. 24. Вып. 11. С. 2011–2014.

кремния 100 K) имеет вид T 0 < < 1, так что +[3] Заварицкая Э.И., Кудинов А.В. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 12.

s 1/T падает с ростом температуры, как это и С. 2160–2165.

наблюдается для slow на опыте (рис. 4). Соотношение [4] Аношин Ю.А., Базин В.М., Даревский А.С. // ЖТФ. 1989.

амплитуд описывает в такой ситуации отношение долей Т. 59. Вып. 6. С. 165–166.

концентрации неравновесных носителей, исчезающих за [5] Зуев В.В., Расмагин С.И., Воронкова Г.М., Воросчет рекомбинации на поверхности (медленная составлянов Ю.А. // Конф. ”Надежность и контроль качества ющая) и на объемных уровнях рекомбинации (быстрая изделий электронной техники”. Севастополь, 1990.

составлющая).

[6] Марпл С.Л. Цифровой спектральный анализ и его приложения. М., 1990.

Другое важное замечание состоит в том, что рас[7] Березин И.С., Жидков Н.П. Методы вычислений. Т. 1, 2.

сматривается только электронная составлящая сигнала, М., 1959.

т. е. рассматривается монополярная фотопроводимость [8] Мудров А.Е. Численные методы для ПЭВМ. Томск, 1992.

(при этом надо считать n p). Если бы было не [9] Бонч-Бруевич В.Л., Калашников Р.Г. Физика полупроводтак, то отношение амплитуд, скорее всего, отражало бы ников. М., 1977.

отношение подвижностей электронов µn и дырок µp, [10] Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводтак как сигнал отраженной мощности пропорционален никах. М., 1963.

проводимости. Выполнение условия n p подтвержда[11] Левин Б.Р. Теоретические основы статической радиофизиется тем обстоятельством, что для золота в электронном ки. Кн. 2. М., 1968.

кремнии велики асимметрия заполнения и асимметрия сечений захвата на акцепторное состояние [11]. Таким образом, мы должны, естественно, сделать вывод, что время жизни дырок p очень мало — не более времени действия возбуждающего излучения.

Для определения погрешностей параметров Прони мы учитывали как экспериментальные погрешности, так и погрешности метода обработки. Для оценки последних мы использовали результаты моделирования (рис. 2, 3).

Заключение В работе была показана эффективность обобщенного метода Прони для анализа релаксационных кривых спада фотопроводимости в присутствии шума при ограниченной разрядной сетке. Проведенное моделирование показало, что метод Прони дает удовлетворительные результаты при отношении (парциальная амплитуда/шум) не менее 14 dB.

Метод опробован при анализе кривых спада фотопроводимости в кремнии, легированном золотом, при импульсном лазерном воздействии в микроволновом поле. Анализ экспериментальных данных для изучаемого образца позволил выявить появление сопутствующего уровня -прилипания с глубиной залегания 0.17 ± 0.01 eV, эта энергия близка энергии активации комплекса кислород–вакансия A-центра (0.16 eV).

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.