WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Как отмечалось выше, наблюдаемые изменения энергии прямого перехода E1(Si–Ge) находят свое отражение в спектрах КРС. Действительно, большая интенсивность полос, соответствующих Ge–Ge- и Si–Geколебаниям в островках, сформированных при температурах 300-500C, обусловлена резонансным усилением интенсивности рассеяния за счет использования для возбуждения спектров КРС излучения с энергией 2.41 eV, близкой к энергии прямого перехода E1(Si–Ge).

Список литературы [1] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Phys.

Rev. Lett. 75, 2968 (1995).

[2] K. Bruner. Rep. Prog. Phys. 65, 27 (2002).

[3] J.C. Tsang, P.M. Mooney, F. Dasol, J.O. Chu. J. Appl. Phys.

75, 8096 (1994).

[4] J.L. Liu, J. Wan, Z.M. Jiang, A. Khitun, K.L. Wang, D.P. Yu.

J. Appl. Phys. 92, 6804 (2002).

[5] Z.F. Krasil’nik, P.M. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mestres, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhymchu.

Nanotechnology 13, 81 (2002).

[6] D.E. Aspnes. Surf. Sci. 37, 418 (1973).

[7] A.G. Milekhin, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, S. Schulze, D.R.T. Zahn. Nanotechnology 13, 55 (2002).

[8] О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП 34, 1281 (2000).

Физика твердого тела, 2005, том 47, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.