WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ch eDSn0 W - L IB = + - 2. (17) Хотя в данной работе акцентировалось внимание на W L sh L полуметаллических ферромагнетиках в качестве материЗдесь ала для SHM-транзистора, однако основная идея спино - eVEB вого транзистора F-F-F как усилителя тока (или = exp -, (18) kT напряжения) может быть обобщена на „обычный“ ферромагнитный металл [28,29]. Главным фактором здесь + eVBC = exp -, (19) является наличие двух токов (по спинам „вверх“ и kT „вниз“) в ферромагнитном материале и его спин-завиS — площадь поперечного сечения транзистора, симые транспортные свойства [20].

L = D — длина свободного пробега электронов в базе.

Заключение Обсуждение результатов В нашей работе рассмотрено F-F-F устройство Как видно из полученных ВАХ (рис. 8), спиновый (SHM-транзистор), основанное на использовании ферротранзистор ведет себя подобно его полупроводниковому аналогу. Именно такое устройство позволяет усили- магнитных полуметаллов. В отличие от традиционных схем спиновых транзисторов SHM-транзистор способен вать ток. Однако полупроводниковые транзисторы, как известно, имеют ограничения на минимальный размер усиливать ток, как и его полупроводниковый аналог.

базы — он определяется толщиной p-n-перехода и Кроме этого, он может работать в режиме переключесоставляет величину порядка десятой доли микрона.

ния, т. е. можно использовать его в качестве элеменВ спиновом полуметаллическом транзисторе это огра- та оперативной памяти. В работе также рассмотрен ничение снимается — переходная область может иметь спиновый F-F-переход — устройство, обладающее размеры порядка межатомных расстояний.

нелинейной ВАХ, аналогичной в некоторой области наЕще одно преимущество его состоит в том, что он пряжений ВАХ полупроводникового диода. Построены одновременно может использоваться как переключатель ВАХ спинового F-F-перехода в различных режимах (switching device) и соответственно служить элементом работы и спинового SHM-транзистора.

магнитной оперативной памяти (MRAM). Если перемагРабота поддержана РФФИ (проекты № 02-02-нитить центральный домен в противоположную сторону, то все домены будут намагничены сонаправленно и и 99-02-17830) и ФЦП „физика твердотельных наноток в такой конфигурации увеличится во много раз. структур“.

Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 58 А.К. Звездин, А.С. Мищенко, А.В. Хвальковский Список литературы [1] Prinz G.A. // Science. 1998. Vol. 282. P. 1660. I. Zutic.

Cond-mat/0112368. 2001.

[2] Bainbich M.N. et al. // Phys. Rev. Lett. Vol. 61. P. 2472;

Bransch G et al. // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 4829.

[3] Gujs M.A.M., Bauer G.E.W. // Advances in Phys. 1997.

Vol. 46. P. 285; Добровицкий В.В., Звездин А.К. // УФН.

1996. Т. 166. № 4. С. 439–447.

[4] Звездин А.К., Уточкин С.Н. // Письма в ЖЭТФ. 1993.

Т. 57. Вып. 7. С. 433–438.

[5] Meservey R., Tedrow P.M. // Phys. Rep. 1994. Vol. 238. P. 173.

[6] Garcia N., Munoz M., Zhao Y.-W. // Phys. Rev. Lett. 1999.

Vol. 82, P. 2923–2926.

[7] Tatara G., Zhao Y.-W., Munoz M., Garcia N. // Phys. Rev.

Lett. 1999. Vol. 83. P. 2030; Munoz M. et al. // Appl. Phys.

Lett. 2001. Vol. 79. P. 2946; Garcia N. et al. // Appl. Phys.

Lett. 2001. Vol. 79, P. 4550–4552.

[8] Звездин А.К., Попков А.Ф. // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 71.

С. 304–308; Imamura H., Kobayashi N., Takahashi S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. P. 1003.

[9] Tagirov L.R., Vodopyanov B.P., Efetov K.B. // Phys. Rev.

B. 2001. Vol. 63. P. 104428; Савченко Л.Л., Звездин А.К., Попков А.Ф. и др. // ФТТ. 2000. Т. 43 (8). С. 1449–1454.

[10] Van Son P.C., Van Kempen H., Wyder P. // Phys. Rev. Lett.

1987. Vol. 58. P. 2271–2273.

[11] Tsoi M.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 4281.

[12] Aronov A.G. // JETP Lett. 1976. Vol. 24. P. 32.

[13] Johnson Mark, Silsbee R.H. // Phys. Rev. Lett. 1985. Vol. 55.

P. 1790; Johnson Mark, Silsbee R.H. // Phys. Rev. B. 1987.

Vol. 35. P. 4959; Ji Y. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 86.

P. 5585.

[14] Datta S., Das B. // Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. P. 665.

[15] Johnson Mark. // Science. 1993. Vol. 260. P. 320.

[16] Hwang H.Y., Cheong S.-W., Ong N.P. et al. // Phys. Rev. Lett.

1996. Vol. 77. P. 2041–2044.

[17] Coey J.M.D. et al. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. P. 026601;

Coey J.M.D. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 020407-1;

Coey J.M.D. // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 3815–3818.

[18] De Teresa J.M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. Vol. 82. P. 4288– 4291.

[19] Fert A., Campbell I.A. // J. de Physique. Colliques. 1971.

Vol. 32. P. C1-46.

[20] Valet T., Fert A. // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. P. 7099.

[21] Uspenskii Yu.A., Kulatov E.T., Halilov S.V. // Sov. Phys. JETP.

1995. Vol. 80. P. 959-9.

[22] Zvezdin A.K., Kotov V.A. Modern Magnetooptics and Magnetooptical Materials. IOOP. 1987. § 5.12.

[23] Rashba E.I. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 62. P. R16267–R16270.

[24] Vignale G., Flatt M. Cond-mat/020202. 2002.

[25] Wolf E.I. Principles of Electron Tunneling Spectroscopy.

Oxford University Press. 1985. Вольф Е.Л. Принципы электронной туннельной спектроскопии / Под ред. В.М. Свистунова. Киев: Наукова думка, 1990.

[26] Тинкхем С. Свехпроводимость. М.: Атомиздат, 1980.

§ 2.82.

[27] Савельев И.В. Основы теоретической физики. Т. 2. М.:

Наука, 1996.

[28] Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.

[29] Vlutters R., van’t Erve O.M.J., Jansen R. et al. // Phys. Rev. B.

2002. Vol. 65. P. 024416.

Журнал технической физики, 2003, том 73, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.