WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

смещение коротковолнового максимума спектра излучения hm1-3 в низкоэнергетическую область по сравнению со значением Eg0 на освещаемой поверхности (кривые 1–3), возрастающее4 с увеличением E. Оно соответствует пространственному сдвигу по величине Eg(z) = hm1-3 в узкозонную область кристалла на расстояние z = z - z0 (z — координата положения максимума hm1-3 = Eg(z ), см. вставку на рис. 3) от освещаемой поверхности вследствие координатной 3 min При возбуждении ФЛ со стороны Eg значение Eg0 в слоях с различной величиной E контролировалось по положению максимума hm4 Eg0 полосы ФЛ (рис. 3, кривая 4). При возбуждении со = max стороны Eg координата на освещаемой поверхности обратного шлифа, соответствующая значению Eg0, устанавливалась прецизионным перемещением образца на расстояние z0 = (Ef (0) - hm4)/eE от границы слой–подложка, которую находили по скачкообразному изменению спектрального состава и интенсивности ФЛ при сканировании Рис. 4. Пространственное смещение z максимумов расчетных световым зондом поверхности шлифа.

4 спектров (1) и измеренных спектров ФЛ твердых растворов Наличие дополнительного длинноволнового максимума в измеренAlxGa1-xAs (2) в узкозонную область кристалла в зависимости ных спектрах ФЛ связано с накоплением ННЗ у тыльной узкозонной поверхности [5]. от величины встроенного поля E.

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле... Список литературы Effect of the charge carrier drift on emission spectrum of the graded [1] Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.И. Корольков и др. ФТП, band-gap semiconductors in the built-in 3 (2), 541 (1969).

quasi-electric field [2] Г.В. Царенков. ФТП, 13 (6), 1095 (1979).

[3] R.G. Roedel, V.G. Keramidas. J. Appl. Phys., 50 (10), A.I. Bazyk, V.F. Kovalenko, A.Yu. Mironchenko, (1979).

S.V. Shutov [4] В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 11, (1977).

Institute of Physics of Semiconductors, [5] В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 12 (12), National Academy of Sciences of the Ukraine, (1978).

325008 Kherson, the Ukraine [6] В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 12 (9), (1978).

Abstract

The shape of band-to-band luminescence spectrum of [7] А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (11), graded band-gap semiconductor under conditions of nonequilib(1982).

rium carrier transfer caused by the built-in quasi-electric field [8] А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека и др. ЖПС, 42 (10), 441 (1985). E = e-1Eg has been calculated. It is shown that deformation [9] А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (7), of the short wave-length part of the spectrum results from the (1982).

co-ordinate dependence of the radiation recombination probability [10] В.В. Гутов, А.Н. Именков, Р.Ф. Казаринов и др. Письма in the half-band area of a crystal. The results of calculations are ЖТФ, 1, 386 (1975).

confirmed by experimental measurements of photoluminescence [11] В.В. Гутов, А.Н. Именков, Б.С. Кондратьев и др. ФТП, spectra of undoped (n 1 · 1016 cm-3) graded band-gap 13 (9), 1336 (1979).

AlxGa1-xAs solid solutions with E varying in 90 650 V/cm range [12] Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 9 (1), 12 (1975).

at 300 K.

[13] Р.Ф. Казаринов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (2), 297 (1976).

[14] О.В. Константинов, Г.В. Царенков. ФТП, 10 (4), 720 (1976).

[15] В.Ф. Коваленко. Автометрия, № 6, 54 (1980).

[16] А.И. Базык, В.Ф. Коваленко, А.И. Курбангалеев, Г.П. Пека.

Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., № 15, 42 (1989).

[17] С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963).

[18] M. Konagai, K. Takahashi. Sol. St. Electron., 19, 259 (1976).

[19] В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека, Л.Г. Шепель. ФТП, 14 (7), (1980).

[20] Ф.П. Кесаманлы, В.Ф. Коваленко, И.Е. Марончук и др.

ФТП, 12 (7), 1318 (1978).

[21] О.К. Городниченко, Н.К. Дряпико, В.Ф. Коваленко, Г.П. Пека. УФЖ, 27 (2), 267 (1982).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.