WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

уменьшаются, достигая величины 0.13 µm для варианта В соответствии со значительной асимметрией свойств (+Al) и -0.14 µmдля (-Al) при Um = 160 V. При этом образца № 2 (рис. 4) зависимости dpi(t) и (t) для порог смещается в сторону меньших значений времени вариантов (±Al) в этом случае также существенно с увеличением Um, что соответствует увеличению ско- различаются. Для варианта (+Al) зависимости ddi(t) рости нарастания поля в слое люминофора. Полученные (рис. 7, a) спадают более плавно, чем для образца № 1, минимальные величины dpi свидетельствуют о том, что и достигают минимума dpi = 0.06 µmпри Ts = 20 s. При область ионизированных собственных дефектов струк- этом максимальное значение (t) (рис. 7, b) составляет туры при Um = 150-160 V занимает большую часть = 4.7 · 104 cm-1. С уменьшением Ts до 0.5 s минимальтолщины слоя люминофора. ное значение dpi равно 0.09 µm, а максимальная велиЗависимость от времени коэффициента ударной иони- чина = 2.6 · 104 cm-1, что близко к соответствующим зации (t) (рис. 6, b, d) при Um 140 V имеет сверх- значениям для образца № 1. В отличие от этого для Журнал технической физики, 2006, том 76, вып. Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях... Рис. 7. Зависимости: a, c — dpi(t); b, d — (t). Кривые 1 — U(t), 2 — Ts = 0.5, 3 —5, 4 — 20, 5 — 100 s. Um = 160 V. Участки I, II, III, IV показаны для Ts = 100 s. 1-й полупериод напряжения U(t). Образец №2.

варианта (-Al) зависимости dpi(t) и (t) (рис. 7, c, d) ной области слоя люминофора во время паузы между имеют экстремальный характер: dpi(t) характеризуется последовательными включениями ТП ЭЛИ это приводит наличием минимумов для Ts = 0.5, 5, 20 s, а зависимость к значительному увеличению величин dpi и существенно(t) — максимумов. При этом наименьшая величи- му снижению значений с уменьшением длительности на dpi изменяется от 0.46 µm при Ts = 0.5 до 0.27 µm паузы Ts вплоть до полного исчезновения ударной ионипри Ts = 100 s, что больше минимальных значений dpi зации собственных дефектов структуры при переходе для варианта (+Al) и образца № 1, а максимальные к третьему полупериоду напряжения возбуждения, т. е.

значения (t) возрастают от = 0.17 · 104 cm-1 при непрерывному режиму (рис. 5, d).

Ts = 0.5s до 0.7 · 104 cm-1 при Ts = 100 s, что суще- Следует отметить, что для образца № 1 (рис. 6) и ственно меньше соответствующих значений для вариан- для варианта (+Al) (рис. 7, a, b) образца № 2 значения та (+Al) и образца № 1. Такое поведение зависимостей коэффициента ударной ионизации (t) существенно возdpi(t) и (t) для варианта (-Al) образца № 2 под- растают также при уменьшении длины области ударной тверждает ранее сделанный вывод о наличии дефектной ионизации dpi(t). Это свидетельствует о существенном области в прилегающей к нижнему электроду части возрастании поля в указанной области.

слоя люминофора, в которой эффективность ударной Таким образом, развитая в настоящей работе методика ионизации мала из-за сильного рассеяния энергии сво- позволяет определять важнейший параметр, характерибодных электронов. С учетом неполной нейтрализации зующий эффективность процесса электролюминесценположительного объемного заряда в бывшей прианод- ции ТП ЭЛИ — вероятность излучательной релаксаЖурнал технической физики, 2006, том 76, вып. 62 Н.Т. Гурин, О.Ю. Сабитов ции центров свечения Mn2+, а также зависимости от Список литературы времени коэффициента умножения, числа ионизаций, [1] Электролюминесцентные источники света / Под ред.

приходящихся на один электрон, вышедший из области И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с.

сильного поля, длины области ударной ионизации и [2] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002.

коэффициента ударной ионизации собственных дефекТ. 72. Вып. 2. С. 74–83.

тов структуры слоя люминофора из зависимостей от [3] Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 5.

времени мгновенного внутреннего квантового выхода, С. 65–73.

полученных на основе экспериментальных данных при [4] Smith D.H. // J. Luminescence. 1981. Vol. 23. N 1. P. 209–233.

линейно нарастающем напряжении возбуждения низкой [5] Мах Р. // Поликристаллические полупроводники. Физичастоты ( 10 Hz), когда скорость нарастания тока через ческие свойства и применения / Пер. с англ. Под ред.

слой люминофора не превышает скорости нарастания Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. С. 264–292.

яркости свечения. При этом ввиду значительной де- [6] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003.

Т. 73. № 4. С. 100–112.

фектности части слоя люминофора, прилегающей к [7] Mach P., Mueller G.O. // Semicond. Sci. Technol. 1991. Vol. 6.

нижнему электроду, определение значений вероятноP. 305–323.

сти излучательной релаксации центров свечения Pr по [8] Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 1. С. 45– максимуму зависимости мгновенного внутреннего кван54.

тового выхода от времени необходимо проводить при [9] Ohba J., Mizuta M., Kumimoto H. // J. Luminescence. 1981.

положительной полярности напряжения возбуждения на Vol. 23. N 1. P. 111–118.

верхнем электроде ТП ЭЛИ, причем может использо[10] Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31.

ваться как однократный режим возбуждения ТП ЭЛИ с Вып. 22. С. 17–23.

определением Pr в первом полупериоде напряжения, так [11] Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001.

и непрерывный режим возбуждения.

Т. 71. Вып. 8. С. 48–58.

Определены количественные значения важнейших па- [12] Bringuier E. // Phil. Mag. B. 1997. Vol. 75. N 2. P. 209–228.

[13] Георгобиани А.Н., Пипинис П.А. Туннельные явления в раметров электролюминесценции в двух исследованных люминесценции полупроводников. М.: Мир, 1994. 224 с.

сериях образцов ТП ЭЛИ: вероятность излучательной [14] Hitt J.C., Keir P.D., Wager J.F. et al. // J. Appl. Phys. 1998.

релаксации центров свечения Pr = 0.22-0.24, постоVol. 83. N 2. P. 1141–1145.

янная времени излучательной релаксации центров све[15] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ.

чения Mn2+ r = 5.9-6.7 ms, максимальные значения 2001. Вып. 22. С. 52–57.

коэффициентов умножения M = 1.44-1.48, количество [16] Zeinert A., Barthou C. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1997.

ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедVol. 12. P. 1479–1486.

ший из области ионизации m = 0.3-0.32, коэффициент ударной ионизации =(1.8-4.7) · 104 cm-1, минимальные величины длины области ударной ионизации собственных дефектов структуры слоя люминофора dpi = 0.06-0.14 µm.

Полученные в работе зависимости мгновенного внутреннего квантового выхода от коэффициента умножения электронов, зависимости от времени коэффициента умножения электронов, числа ионизаций, приходящихся на один электрон, вышедший из области ударной ионизации, коэффициента ударной ионизации и длины области ударной ионизации позволяют оценить эффективность процесса ударной ионизации при различных полярностях напряжения возбуждения и распределение собственных дефектов структуры, являющихся источником дополнительных свободных электронов, по толщине слоя люминофора.

Предложенный метод может быть использован также для определения параметров и характеристик электролюминесценции других люминофоров с внутрицентровой люминесценией, возбуждаемой в сильном электрическом поле.

Работа поддержана грантом президента РФ № НШ.1482.2003.8.

Журнал технической физики, 2006, том 76, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.