WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Новизна метода заключается в том, что выбрано направление предельного диспергирования кристалличе- Анализ возможных путей дальнейшего повышения ской структуры, когда число возникающих зародышей плотности записи в устройствах магнитной памяти повелико, а радиус критического зародыша совпадает с казал, что наряду с магнитными квантовыми дисками радиусом коалесценции. Пленки, полученные таким ме- перспективным материалом для носителей могут стать тодом, являются сплошными, начиная с толщин 2-3nm, наногранулированные магнитопленочные среды с размеи представляют собой набор нанокристаллитов при- ром наночастиц 5nm.

Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. Пленочные носители для устройств памяти со сверхплотной магнитной записью Чтобы повысить температуру перехода в суперпара- [24] Денисов С.И. // ФТТ. 1999. Т. 41. Вып. 10. С. 1822–1827.

[25] Пожарский А.Ф. // Соросовский образовательный журмагнитное состояние, необходимо в этих материалах нал. 1997. № 9. С. 32–47.

сформировать определенный структурный порядок. Для [26] Помогайло А.Д., Розенберг А.С., Уфлянд И.Е. Наночареализации этой задачи можно использовать высокую стицы металлов в полимерах. М.: Химия, 2000. 672 с.

адсорбционную способность наночастиц к высокомоле[27] Luedtke W.D., Landman U. // J. Phys. Chem. 1996. Vol. 100.

кулярным соединениям. Химические методы получения N 2. P. 13 323–13 329.

нанокомпозитов показали возможность решения этой [28] Harfenist S.A., Wang Z.L. // J. Phys. Chem. 1999. Vol. 103.

проблемы, но в прикладном плане более перспективно N 23. P. 4342–4345.

использовать ”сухой” способ (без использования раство[29] Yin J.S., Wang Z.L. // J. Phys. Chem. B. 1997. Vol. 101. N 44.

ров) формирования наногранулированных структурно P. 8979–8983.

упорядоченных магнитных пленок. Поэтому для синтеза [30] Perez J.P., Dupuis V., Tuaillon J. et al. // J. Magn. Magn.

таких материалов предложено отработать технологию Mater. 1995. Vol. 145. N 1–2. P. 74–80.

[31] Perez A., Melinon P., Dupuis V. et al. // J. Phys. D. 1997.

вакуумного осаждения нанокомпозитов, совмещающую Vol. 30. P. 709–721.

физические и химические подходы.

[32] Смирнов Б.М. // УФН. 1997. 167. № 11. С. 1170–1200.

Кроме чисто прикладного интереса структурно упо[33] Tuaillon J., Dupuis V., Melinon P. et al. // Phil. Magaz. A.

рядоченные нанокомпозиты открывают широкое поле 1997. Vol. 76. N 3. P. 493–507.

фундаментальных исследований.

[34] Dupuis V., Tuaillon J., Prevel B. et al. // J. Magn. Magn.

Mater. 1997. Vol. 165. P. 42–45.

[35] Фролов Г.И., Жигалов В.С., Жарков С.М., Яруллин И.Р. // Список литературы ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 4. С. 970–973.

[36] Фролов Г.И., Баюков О.А., Жигалов В.С. и др. // Письма [1] White R.M. // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57. N 1. P. 2996–2999.

ЖЭТФ. 1995. Т. 61. Вып. 1. С. 61–64.

[2] Буркова Л.В., Фролов Г.И. // Зарубежная электроника.

[37] Фролов Г.И., Жигалов В.С., Польский А.И., Поздня1987. N 9. С. 3–67.

ков В.Г. // ФТТ. 1996. Т. 38. Вып. 4. С. 1208–1212.

[3] Фролов Г.И. // Магнитные свойства кристаллических и [38] Жигалов В.С., Фролов Г.И., Квеглис Л.И. // ФТТ. 1998.

аморфных сред. Новосибирск: Наука, 1989. С. 218–234.

40. Вып. 11. С. 2074–2079.

[4] Aleksandrov K.S., Berman G.P., Frolov G.I., Seredkin V.A. // [39] Жигалов В.С., Фролов Г.И., Мягков В.Г. и др. // ЖТФ.

SPIE Proc. Optical neural networks. 1991. Vol. 1621. P. 51–61.

1998. Т. 68. Вып. 9. С. 136–138.

[5] Стоун М.Д. // PC Magazine (USSR). 1991. N 2. P. 11–18.

[40] Фролов Г.И., Жигалов В.С., Квеглис Л.И. и др. // ФММ.

[6] Yogi T., Tsang C., Nguyen T.A. et al. // IEEE Trans. Magn.

1999. Т. 88. № 2. С. 85–89.

1990. Vol. 26. P. 2271–2275.

[7] Murdock E.S., Simmons R.F., Davidson R. // IEEE Trans.

Magn. 1992. Vol. 28. P. 3078–3081.

[8] Mallinson J.C. // IEEE Trans. Magn. 1969. Vol. 5. P. 182–186.

[9] Kryder M.H., Messner W., Garley L.K. // J. Appl. Phys.

1996. Vol. 79. N 8. P. 4485–4490.

[10] Zhu J.G., Bertram H.N. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 63. N 8.

P. 3248–3253.

[11] McHenry M.E., Laughlin D.E. // Acta mater. 2000. N 1.

P. 223–238.

[12] Lambeth D.N., Velu E.M., Bellesis G.H. et al. // J. Appl. Phys.

1996. Vol. 79. N 8. P. 4496–4501.

[13] Kisker H., Abara E.N., Yamada Y. et al. // J. Appl. Phys.

1997. Vol. 81. N 8. P. 3937–3939.

[14] Okamoto I., Kaitsu I., Akimoto H. et al. // Digests of Intermag 99 (Korea). 1999. AA-03.

[151] Chou S.Y., Wei M.S., Kraus P.R., Fischer P.B. // J. Vac. Sci.

Technol. 1994. Vol. B12. P. 3695–3700.

[16] Murdock E.S., Ryan P.J., Casto J.F. et al. // Digests of Intermag 99 (Korea). 1999. BA-02.

[17] Вонсовский С.В. // Магнетизм. М.: Наука, 1971. 1032 с.

[18] Heer W.A., Milani P., Chatelain A. // Phys. Rev. Lett. 1990.

Vol. 65. N 4. P. 488–491.

[19] Bucher J.P., Douglass D.C., Bloomfield L.A. // Phys. Rev.

Lett., 1991. Vol. 66. N 23. P. 3052–3055.

[20] Gantefor G., Eberhardt W. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76.

N 26. P. 4975–4978.

[21] Kimura K. // Phys. Lett. A. 1991. Vol. 158. N 1–2. P. 85–88.

[22] Hsu C.-M., Lin H.-M., Tsai K.-R. // J. Appl. Phys. 1994.

Vol. 76. N 8. P. 4793–4799.

[23] Aharon H. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 41. N 10. P. 5891–5893.

Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.