WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

DLTS, связан с вакансией цинка. Образование вакансий [19] Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люв процессе постимплантационного отжига в атомарном минесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, кислороде происходило по геттерному механизму. Как Штиинца, 1984).

показано в [26], ионная имплантация может способство[20] J. Gutowski, N.Pressler, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, вать ограничению диффузии кислорода в объем образца.

(1990).

Отсутствие положительного пика DLTS в спектрах ис[21] T. Ohkawa, T. Mitsuyu, O. Yamazaki. J. Cryst. Growth, 86, ходных и отожженных в кислороде без предварительной 329 (1988).

имплантации образцов и появление его после импланта- [22] J. Qui, J.M. De Puydt, H. Cheng, M.A. Haasse. Appl. Phys.

ции азота подтверждает это предположение. Азот также Lett., 59, 2992 (1991).

[23] I.S. Hauksson, J. Simpson, S.Y. Wang, K.A. Prior, формирует акцепторные центры, занимая место селена B.C. Cavenett. Appl. Phys. Lett., 61, 2208 (1992).

в кристаллической решетке. На это указывает наличие [24] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук. Неорг.

соответствующей линии ФЛ и уменьшение количества матер., 35, 917 (1999).

вакансий селена в имплантированных образцах по срав[25] G. Jones, G. Woods. J. Luminecs., 9, 389 (1974).

нению с неимплантированными (уменьшение пика E2 в [26] А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский, И.В. Рогозин.

спектрах DLTS).

В.В. Кидалов. Неорг. матер., 31, 1357 (1995).

В заключение авторы выражают благодарность Редактор Т.А. Полянская З.П. Илюхиной за проведение травления исходных образцов, В.А. Дравину за осуществление ионной импланObservation of minority carrier traps тации, Е.Г. Чижевскому за изготовление контактов, by deep-level transient spectroscopy Е.А. Бобровой и Н.А. Пенину за полезное обсуждение результатов. using high Schottky barries diodes with a compensated contact region Эта работа была поддержана РФФИ (проект 00-0216421), Министерством науки РФ как часть программы E.N. Agafonov, U.A. Aminov, A.N. Georgobiani, ”Физика твердотельных наноструктур” (проект 99-1122) L.S. Lepnev и как часть программы ”Физика квантовых и волновых P.N. Lebedev Physical Institute, процессов”, подпрограмма ”Фундаментальная спектроRussian Academy of Sciences, скопия” (проект 01.08.02.8-4).

117924 Moscow, Russia Список литературы

Abstract

The Schottky diodes fabricated from n-type zinc selenide single crystals after nitrogen ion implantation followed by [1] А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкман. Физика соединений radical beam gettering epitaxy treatment in atomic oxygen flow AIIBVI (М., Наука, 1986).

have been investigated by means of the deep-level transient spec[2] А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и контакты troscopy. Processes leading to observation of minority carrier traps металл–полупроводник (М., Мир, 1975).

under the reverse bias have been analyzed in the approximation [3] T. Ido, M. Okada. J. Cryst. Growth, 72, 170 (1985).

of a high Schottky barrier and a compensated contact region. The [4] M. Karai, K.Kido, H. Naito, K. Kirosawa, M. Okuda, T. Fujino, procedure of obtaining the compensated region depth and minority M. Kitagawa. Phys. St. Sol. (a), 117, 515 (1990).

carrier trap concentration has been presented. The mechanisms of [5] S. Satoh, K. Igaki. Jap. J. Appl. Phys., 19, 485 (1980).

impurity generation during annealing in atomic oxygen flow have [6] P. Besomi, B.W. Wessels. J. Appl. Phys., 53, 3076 (1982).

been described in terms of deep level transient spectroscopy and [7] H.G. Grimmeiss, N. Kullendorff. J. Appl. Phys., 51, photoluminescence measurements.

(1980).

[8] B. Hu, G. Karczewski, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys.

Rew. B, 47, 9641 (1993).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.