WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

авторы в [15], которые такие неоднородности назвали ”ripples”. В [15] подробно исследованы условия возник- Рассмотрим данные для исследуемых образцов после новения, параметры неоднородностей типа ”ripples” и их отжига. Как видно из рис. 4, наряду с изменением вида изменения в зависимости от изменения энергии и угла кривых NSi(x), после отжига происходят изменения в падения первичного ионного пучка (O+). величинах FWHM. В частности, для ориентации (100) 4 Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. 52 Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, Ю.В. Слепнев...

максимальные изменения значений FWHM для леги- ориентацией (111)A в отличие от (100) и (111)B развированных кремнием областей 1–3 до и после отжига вается в виде неоднородностей типа ”ripples”. Показано, составляют a0(1) - 00(1) 90. А для ориента- что такая особенность развития рельефа может ухудшить = ции (111)A эти изменения незначительны и составля- разрешение по глубине метода ВИМС, особенно при ют aA(3) - 0A(3) 30. Увеличение FWHM для измерениях профилей распределения примеси в тонких = ориентации (100) можно объяснить диффузией Si во и сверхтонких слоях.

время отжига, а зафиксированное незначительное увели- 3. Выявленное увеличение содержания кремния в причение значения FWHM для ориентации (111)A можно повeрхностной области в образцах после отжига, на наш объяснить как диффузией, так и, как уже отмечалось взгляд, связано с ускоренной диффузией Si по дефектам.

выше, возникновением неоднородностей типа ”ripples” Авторы выражают благодарность В.К. Неволину за во время ионного травления при измерении методом помощь в проведении измерений на АСМ и полезное ВИМС, а также и особенностями выхода вторичных обсуждение.

ионов из такой поверхности. Для образца с ориентацией (111)B изменения в значениях FWHM после отжига Работа выполнена при финансовой поддержке Миниопределить не удается (кроме пика 3) из-за сильного стерства науки и технологий РФ (подпрограмма ”Фивидоизменения кривых NSi(x). Как видно из рис. 4, зика твердотельных наноструктур”, проекты № 98-перераспределение Si в данном случае значительно. По- и 99-2044).

видимому, в этом случае идет ускоренная диффузия Si по дефектам. А поскольку данные и по АСМ, и по рентгеСписок литературы нодифракционным измерениям показывают наибольшую дефектность ЭП на (111)B, то профили распределения [1] Wang W.I., Mendez E.E., Kuan T.S., Esaki L. // Appl. Phys.

Si в этом случае получаются сильно размытыми.

Lett. 1985. Vol. 47. P. 826.

В заключение рассмотрим изменение вида NSi(x) в [2] Piazza F., Pavesi L., Henin M., Johnston D. // Semicond.

приповерхностной области. Наличие первоначального Sci Technol. 1992. N 7. P. 1504.

содержания кремния в тонкой приповерхностной обла- [3] Мокеров В.Г., Галиев Г.Б., Слепнев Ю.В., Хабаров Ю.В. // сти для легированных кремнием глубинных эпитак- ФТП. 1998. Т. 32. С. 1320.

сиальных слоев GaAs наблюдались во многих рабо- [4] Okano Y., Seto H., Katahama H. et al. // Jap. J. Appl. Phys.

1989. Vol. 28. N 2. P. L151.

тах [8,11,12]. Эта область некоторыми авторами не [5] Kadoya Y., Sato A., Kano H. // J. Cryst. Growth. 1991.

рассматривается, а, согласно [11], наличие большого Vol. 111. P. 280.

содержания Si в начальной нелегированной области не [6] Галиев Г.Б., Мокеров В.Г., Слепнев Ю.В. и др. // ЖТФ.

представляет реально высокую концентрацию кремния 1999. Т. 69. Вып. 7. С. 68.

в узлах решетки GaAs и больше похожа на вкрапления [7] Галиев Г.Б., Имамов Р.М., Медведев Б.К. и др. // ФТП.

Si в местах дефекта роста, что авторы наблюдали в ми1997. Т. 31. № 10. С. 1168.

кроскоп. В нашем случае это тоже хорошо проявляется [8] Jansen Ph., Meuris M., Van Rossum M., Borgs G. // J. Appl.

во время анализа методом ВИМС в режиме ионного Phys. 1990. Vol. 68. P. 3766.

изображения, когда эти вкрапления Si видны в виде све[9] Schubert E.F., Stark J.B., Chiu T.H., Tell B. // Appl. Phys.

тящихся точек в области анализа. Сильный уход кремния Lett. 1988. Vol. 53. P. 293.

к поверхности после отжига для образца, выращенного [10] Lee K.H., Stevenson D.A., Deal M.D. // J. Appl. Phys. 1990.

Vol. 68. P. 4008.

на подложке с ориентацией (111)B, можно объяснить [11] Paves L., Ky N.H., Ganiere J.D. et al. // J. Appl. Phys. 1992.

ускоренной диффузией Si по дефектам роста, поскольку Vol. 71. P. 2225.

эта поверхность при данных условиях роста получается [12] Beall R.B., Clegg J.B., Harris J.J. // Semicond. Sci. Technol.

наиболее дефектной.

1988. Vol. 3. P. 612.

[13] Lanzillotto A.-M., Santos M., Shayegan M. // Appl. Phys.

Lett. 1989. Vol. 55. P. 1445.

Заключение [14] Greiner Mark E., Gibbons J.F. // Appl. Phys. Lett. 1984.

Vol. 44. P. 750.

Таким образом, по результатам проведенных исследо[15] Ishitani A., Karen A., Nakagawa Y. et al. // Proc. SIMS VIII.

ваний можно сделать следующие выводы.

Amsterdam: International Congress Centre RAI, 1991. P. 315.

1. Структурное совершенство и шероховатость поверхности эпитаксиальных пленок, выращенных на подложках с ориентациями (100), (111)A и (111)B при одинаковом значении, различно. В частности, при = 28 структурное совершенство и состояние поверхности наилучшее для ориентации (100) и наихудшее для (111)B (W(100) < W(111)B, Ra для (100) Ra для (111)B).

2. При исследовании поверхностей методом АСМ обнаружено, что при ионном травлении во время измерений методом ВИМС рельеф поверхности GaAs с Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.