WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

включениях. Поскольку в этом слое i vs [10] и Gi = Gvs (индекс s указывает на приповерхностный слой образца), i должно быть больше vs. Практически этот Заключение случай может иметь место в сильно компенсированном В зависимости от спектрального диапазона фотоматериале (а также в кристаллах с x > 0.23, в которых возбуждения проведен анализ генерационно-рекомбивремя жизни ННЗ в матрице определяется механизмом национной активности широкозонных и узкозонных Шокли–Рида, а в узкозонных включениях — межзонным включений в матрице CdHgTe. Установлена чувствительоже-процессом [11,15]). При значительном фотоакность формы спектральной характеристики фотопровотивном объеме они могут фотоочувствлять кристалл.

димости к типу имеющихся в матрице включений — Фоточувствительность образца в этой области спектра формирование дополнительных максимумов в области может повыситься также в результате преодоления ННЗ фундаментального поглощения широкозонными включепотенциального барьера E Ev - Ei и их инжекции в ниями, размытие ее длинноволнового края узкозонными матрицу (если включения простираются в глубь кристалвключениями.

ла, ННЗ могут инжектироваться в объемных областях Установлено, что форма спектров ФП неоднородных кристалла, очувствляя матрицу). С этим эффектом мокристаллов зависит от величины и полярности прикладыжет быть связана низкотемпературная активация ФП.

ваемого напряжения смещения. Обнаружена зависящая При облучении кристалла в спектральном диапазоне от длины волны знакопеременная фотоэдс, аналогичEgi < h

вие Gii > Gvv может соблюдаться даже при i

длинноволновых полос в кривых спектрального распре[2] М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекделения ФП. При наличии включений с xi > xv и xi < xv ты в монокристаллах полупроводников (М., Металлур(рис. 1, a–c), что обычно и наблюдается на практике, гия, 1984).

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № Спектры фотопроводимости кристаллов CdHgTe с фотоактивными включениями [3] М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников (М., Металлургия, 1985).

[4] А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, В.З. Латута, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. Письма ЖТФ, 5, 1013 (1979).

[5] Н.Н. Григорьев, Л.А. Карачевцева, К.Р. Курбанов, А.В. Любченко. ФТП, 25, 464 (1991).

[6] Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 34, 1088 (1989).

[7] А.И. Власенко, А.В. Любченко, В.Г. Чалая. ФТП, 30, (1996).

[8] Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973).

[9] И.С. Вирт, Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко. ФТП, 22, (1988).

[10] M.D. Blue. Phys. Rev., 134, 226 (1964).

[11] А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. ФТП, 13, 2180 (1979).

[12] А.И. Власенко, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. УФЖ, 25, 431 (1980).

[13] М.П. Щетинин, Н.С. Барышев, И.С. Аверьянов. ФТП, 5, 2350 (1971).

[14] M.W. Scott. J. Appl. Phys., 40, 4077 (1969).

[15] А.И. Власенко, З.К. Власенко, А.В. Любченко. ФТП, 31, 1323 (1997).

[16] А.И. Власенко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., 31, 191 (1996).

Редактор В.В. Чалдышев Photoconductivity spectra of CdHgTe crystals with photoactive inclusions A.I. Vlasenko, Z.K. Vlasenko, A.V. Lyubchenko Institute of Semiconductor Physics, Ukrainian Academy of Sciences, 252028 Kiev, the Ukraine

Abstract

The analysis of the generation-recombination activity of both wide and narrow band gap inclusions in CdHgTe matrix has been carried out. The sensitivity of the shape of the photoconductivity (PhC) spectral characteristic to the type of matrix inclusions is established: the formation of additional maxima in the range of fundamental absoption by wide band gap inclusions and blurring its long-wavelength edge by narrow band gap inclusions.

It has been found that the shape of PhC spectra depends on the value and polarity of the applied voltage. A wavelength-related alternating photo e.m.f. agrees well with photosensitivity spectra of the counter-input barriers in variband layers.

4 Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.