WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

полпериода напряжения возбуждения V (t) Таким образом, результаты исследований свидетельствуют о том, что наблюдаемое ИК тушение электролюnp np0 = = 10.6-12.1 · 1010. (13) минесценции в ТП ЭЛИ на основе ZnS : Mn обусловлеM но перераспределением каналов ударного возбуждения + С учетом площади ТП ЭЛИ Se = 2mm2 это центров свечения Mn2+ и глубоких центров VS в запресоответствует поверхностной плотности состояний, щенной зоне ZnS : Mn в пользу ударного возбуждения + с которых происходит туннелирование электронов глубоких центров VS, концентрация которых увеличена 5.3-6 · 1012 cm-2, что согласуется с известными дан- ИК подсветкой в паузе между импульсами напряжения ными [21].

возбуждения. Изменение спектров электролюминесценПри полученных значениях m и dpe = 0.3-0.4 µm ции ТП ЭЛИ подтверждает предложенный ранее мехаоценка скорости ударной ионизации, проведенная в низм влияния ИК подсветки на характеристики ТП ЭЛИ предположении однородного поля в области ионизации, и определенное ранее значение энергетического поло2+ дает жения уровней, обусловленных вакансиями серы VS m + = = 0.7-1.3 · 104 cm-1. (14) и VS : 1.3 eV выше потолка валентной зоны и 1.9eV dpe ниже дна зоны проводимости соответственно. НаблюПолученные данные позволяют оценить сечение удар- даемая полоса излучения с максимумом 490-495 nm + ного возбуждения V центров VS. Считая, что за обусловлена, вероятно, рекомбинационным излучением S Журнал технической физики, 2005, том 75, вып. 54 Н.Т. Гурин, Д.В. Рябов донорно-акцепторных пар, связанных с вакансиями се- [16] Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., По2+ лежаев Б.А. // ЖПС. 1990. Т. 52. № 1. С. 36–39.

ры VS. Из экспериментальных данных оценены значе[17] Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. // J. Appl. Phys. 1982.

ния некоторых параметров глубоких центров, обусловVol. 53. N 1. P. 639–647.

ленных собственными дефектами структуры слоя люми+ [18] Hitt J.C., Keir P.D., Wager J.F., Sun S.S. // J. Appl. Phys.

нофора: сечение ударного возбуждения центров VS — 1998. Vol. 83. N 2. P. 1141–1145.

V 0.6-1.1 · 10-12 cm2 и скорость ударной ионизации S [19] Гурин Н.Т. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 77–85.

их = 0.7-1.3 · 104 cm-1, сечение фотовозбуждения [20] Keir P.D., Maddix C., Baukov B.A., Wager J.F. et al. // J. Appl.

2+ центров VS — 3.3 · 10-20 cm2 и коэффициент Phys. 1999. Vol. 86. N 12. P. 6810–6815.

поглощения ИК излучения = 7.5-10.5 · 10-4 cm-1, [21] Электролюминесцентные источники света / Под ред.

а также значения внутреннего квантового выхода И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с.

электролюминесценции int 0.16, вероятности излу- [22] Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 2.

С. 64–69.

чательной релаксаци возбужденных центров Mn2+ — [23] Shin S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. // J. Appl. Phys.

Pr 0.22-0.25 и коэффициента умножения электронов 1995. Vol. 78. N 9. P. 5775–5781.

в слое люминофора M = 1.4-1.6. Полученные данные [24] Zeinert A., Barthou C., Benalloul P., Benoit J. // Semicond.

свидетельствуют также о том, что эффективность элекSci. Technol. 1997. N 12. P. 1479–1486.

тролюминесценции ТП ЭЛИ на основе ZnS : Mn, вы[25] Вавилов В.С. Действие излучений на полупроводники. М.:

званной ударным возбуждением центров свечения Mn2+, ГИФМЛ, 1963. 264 с.

определяемая внутренним квантовым выходом, может существенно ограничиваться конкурирующим процессом ударного возбуждения глубоких центров, обусловленных собственными дефектами структуры слоя люминофора — вакансиями серы и цинка.

Работа поддержана грантом президента Российской Федерации (№ НШ-1482.2003.8).

Список литературы [1] Георгобиани А.Н., Пензин Ю.Г. // Люминесценция. 1963.

С. 321–326.

[2] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2003. Т. 29. Вып. 4. С. 14–21.

[3] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 90–99.

[4] Гурин Н.Т., Рябов Д.В. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30.

Вып. 9. С. 88–95.

[5] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // Письма в ЖТФ.

2002. Т. 28. Вып. 15. С. 24–32.

[6] Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. // ЖТФ. 2001.

Т. 71. Вып. 8. С. 48–58.

[7] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2002.

Т. 72. Вып. 2. С. 74–83.

[8] Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 2003.

Т. 73. Вып. 4. С. 100–112.

[9] Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А. // ФТП.

1998. Т. 32. Вып. 6. С. 673–675.

[10] Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А. // Междунар. конф. по люминесценции. Тез. докл. М.: ФИАН, 2001.

С. 98.

[11] Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Коджесперов Ф.Ф., Полежаев Б.А. // ЖПС. 1991. Т. 55. № 3. С. 452–456.

[12] Грузинцев А.Н. Сложные центры свечения в сильно легированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция. Док. дис. Черноголовка, 1997. 373 с.

[13] Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. № 2.

С. 126–130.

[14] Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сю Сююнь, Лод Зиндонг // Неорган. матер. 1999. Т. 35. С. 1429–1434.

[15] Физика соединений AIIBVI / Под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана. М.: Наука, 1986. 320 с.

Журнал технической физики, 2005, том 75, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.