WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

интенсивности, с ростом величины флуктуаций наблюТак как толщина слоев InAs в ходе эпитаксиальнодаются уменьшение полной интенсивности саттелитов го роста составляла менее монослоя, то вместо слоя и их уширение. При этом по мере роста величины малой толщины InAs следует рассматривать монослой флуктуаций увеличивается доля диффузной компоненты InxGa1-xAs. Это в свою очередь позволяет найти значев полной рассеянной интенсивности, так что постепенно ния толщин слоев периода l(InGa)As, lGaAs имолярнойдоли диффузная интенсивность начинает преобладать. Это индия x в слое InxGa1-xAs (l(InGa)As = 3.116 ± 0.004, отчетливо видно на рис. 4, c для второго и третьего lGaAs = 258 ± 4, x = 0.19 ± 0.01). При этом величина сателлитов.

молярной доли в ходе численного сравнения теоретиТаким образом, статистически распределенные по объческих и экспериментальных кривых дифракционного ему сверхрешетки микродефекты и возможные флуктуотражения уточнена и составила x = 0.22 ± 0.01.

ации толщин слоев от заданных значений оказывают Используя полученные в результате численных расчесущественное влияние на формирование кривых дитов параметры сверхрешетки, на рис. 5, c, d приведены фракционного отражения. Их учет чрезвычайно важен теоретические кривые дифракционного отражения. Эти при анализе экспериментальных рентгенодифракционкривые рассчитаны по полученным в настоящей рабоных спектров сверхрешеток.

те формулам для соответствующих экспериментальных кривых на рис. 5, a и b. При вычислении теоретических кривых были учтены 1) поляризуемость и инструменРентгенодифракционная диагностика тальная функция распределения падающего на кристаллполупроводниковой сверхрешетки образец излучения (в качестве последней использова(InGa)As / GaAs лось гауссово распределение), 2) флуктуации толщин слоев сверхрешетки, 3) однородно распределенные по Воспользуемся полученными выражениями для толщине сверхрешетки микродефекты.

исследования полупроводниковой сверхрешетки Удовлетворительное согласие между экспериментальInxGa1-xAs / GaAs, выращенной методом молекулярно- ными и теоретическими кривыми отражения удалось лучевой эпитаксии на точно (001)-ориентированном получить при следующих параметрах: ширина распресовершенном кристалле GaAs. Двухкристальные деления инструментальной функции падающего пучка экспериментальные кривые дифракционного отражения 17±2, 1 = 8±1, 2 = 0.09±0.01, радиус дефектов (рис. 5, a, b) сверхрешетки снимались в окрестности пика R = 8 nm, статический фактор Дебая–Валлера E = 0.98.

(004) подложки. Для монохроматизации рентгеновского Использование узкой щели перед детектором значиизлучения использовалось (004) отражение тельно ослабляет диффузную компоненту рассеянной совершенного кристалла Ge. Падающий на образец интенсивности. Расчеты показали, что для используемой пучок ограничивался горизонтальной и вертикальной геометрии эксперимента и микродефектов радиусом до щелью шириной 0.1 и 2 mm соответственно. При 10 nm щель перед детектором шириной 0.1 mm пропусполучении экспериментальной кривой, приведенной на кает лишь несколько процентов диффузно рассеянной рис. 5, b c целью уменьшения диффузной компоненты интенсивности. Поэтому для сравнения с соответствурассеянной интенсивности между образцом и ющей экспериментальной кривой (рис. 5, b) на рис. 5, d детектором (на расстоянии 185 mm от образца и приведена лишь когерентная компонента рассеянной ин45 mm от детектора), устанавливалась щель шириной тенсивности.

0.1 mm. Кривая 5, a снималась без щели.

В ходе эпитаксиального роста проводилось напыление Список литературы 20 пар слоев InAs толщиной 0.5 и GaAs толщиной порядка 300. Однако анализ экспериментальных кривых [1] Пунегов В.И. // ФТТ. 1990. Т. 32. Вып. 8. С. 2476–2479.

выявил лишь 19 периодов. Используя связь углового рас[2] Пунегов В.И. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 4. С. 66– стояния l между сателлитами с толщиной периода l 70.

[3] Пунегов В.И., Павлов К.М. // Кристаллография. 1993.

|g| Т. 38. № 5. С. 34–42.

l =, l sin 2B [4] Hol V., Kubna J., Ploog K. // Phys. St. Sol. (b). 1990.

Vol. 162. P. 347.

получаем следующий результат: l = 261 ± 4. Кроме [5] Hol V., Kubna J., Ohlidal I., Ploog K. // Superlattices and того, по величине угловой отстройки 0 центрального Microstructures. 1992. Vol. 12. N 1. P. 25–35.

пика сверхрешетки от пика подложки с помощью извест- [6] Hol V. // Appl. Phys. A. 1994. Vol. 58. P. 173–180.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып. Исследование структурных характеристик полупроводниковой сверхрешетки... [7] Hol V., Kubna J., van den Hoogenhof W.W, Vvra I. // Appl. Phys. A. 1995. Vol. 60. P. 93–96.

[8] Прудников И.Р. // Вест. Моск. университета. Сер. 3.

Физика. Астрономия. 1995. Т. 36. № 4. C. 74–81.

[9] Пунегов В.И., Нестерец Я.И. // Письма в ЖТФ. 1994.

Т. 20. Вып. 16. С. 62–67.

[10] Павлов К.М., Пунегов В.И. // Кристаллография. 1996.

Т. 41. № 4. C. 621–628.

[11] Пунегов В.И. // ФТТ. 1995. Т. 37. Вып. 4. С. 1134–1148.

Журнал технической физики, 1999, том 69, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.