WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

4.3. Замечания о структуре дефектов ELНесмотря на продолжительное изучение центра EL2, Приложение открытого еще в 1963 г. [11] и идентифицированного как глубокий донор в 1976 г. [12], до сих пор не Фотогашение излучения существует единого мнения о его структуре [13–18].

через дефекты ELНачиная с 1982 г., основой разных моделей этого центра является антиструктурный дефект AsGa [19–21]. Однако Как отмечалось в разд. 2, определенный вклад в излудо настоящего времени одни авторы считают, что EL2 — чение с hm 0.63 эВ, наряду с дефектами EL2, могут это изолированные дефекты AsGa [15], другие полавносить атомы кислорода. Для выяснения степени влиягают их комплексами AsGa с межузельными атомами мышьяка Asi (AsGaAsi) [16] и вакансиями галлия VGa ния этой примеси (или каких-либо других дефектов, обу(AsGaVGa) [17] либо вакансионным ассоциатом VAsVGa словливающих излучение с hm 0.63-0.68 эВ [18]) на полученные в настоящей работе результаты были иссле(AsGaVAsVGa) [18]. Существуют также данные, позволядованы спектры селективного возбуждения полос люмиющие говорить о центрах EL2 как о семье дефектов несценции (СВЛ) с hm = 0.63 (I0.63) и hm = 0.68 эВО существовании барьера для рекомбинации Asi и VAs в объеме кристалла (при температуре кристаллизации GaAs он превышает 5 эВ) Как отмечалось во Введении, полоса с hm 0.65 эВ является свидетельствуют данные работ [9,10]. суперпозицией полос с hm 0.63 и hm 0.68 эВ.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. 48 М.Б. Литвинова Список литературы [1] К.Д. Глинчук, В.И. Горошев, А.В. Прохорович. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 24, 66 (1992).

[2] И.И. Показной, Ф.С. Шишияну, И.М. Тигиняну, В.П. Никифоров, В.П. Шонтя. ФТП, 22, 1108 (1988).

[3] K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich, F.M. Vorobkalo. Cryst. Res.

Technol., 31, 1045 (1996).

[4] P.W. Yu, D.S. Wallers. Appl. Phys. Lett., 41, 863 (1982).

[5] T. Kazuno, Y. Sawada, T.Y. Yokoyama. Jap. J. Appl. Phys., 25, L878 (1986).

[6] М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. Физикохимические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений (М., Металлургия, 1974).

[7] Ф.С. Шишияну. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах (Кишенев, Штиинца, 1978).

[8] Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, В.Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов (Киев, Техника, 1986).

[9] В.В. Воронков, А.Ю. Большева, Р.И. Глориозова, Л.И. Колесник, О.Г. Столяров. Кристаллография, 32, 208 (1987).

[10] K.M. Luken, R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 79, 1388 (1996).

[11] N.G. Ainsle, J.F. Woods. J. Appl. Phys., 35, 1469 (1963).

[12] A. Mircea, A. Mitonneay, L. Mollan, A. Briere. Appl. Phys., 11, 153 (1976).

[13] K.-H. Wietzke, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth. Mater. Sci.

Forum Vols. Switherland, 1061 (1995).

Рис. 3. Спектр СВЛ при T = 77 K полосы с hm = 0.68 эВ [14] S.A. Goodman, F.K. Koschnick, C. Weber, J.-M. Spaeth, (a) и полосы с hm = 0.63 эВ (b). 1 — исходный криF.D. Auret. Sol. St. Commun., 110, 593 (1999).

сталл ПИН GaAs, 2 — после диффузии кадмия в атмосфе[15] Q.M. Zhang, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 47, 1667 (1993).

ре As (NCd = 1.12 · 1018 см-3), 3 — после диффузии селена [16] H.E. Ruda, Q. Liu, M. Ozawa, S. Zukotynski, J.M. Parsey, (NSe = 2 · 1018 см-3) в атмосфере As.

T.J.O’Neill, D.J. Lockwood, B. Lent. J. Phys. D: Appl. Phys., 25, 1538 (1992).

[17] R.A. Morrow. J. Appl. Phys., 78, 5166 (1995).

[18] Чао Чень, М.А. Быковский, М.И. Тарасик. ФТП, 28, (I0.68) в нескольких контрольных кристаллах GaAs до и (1994).

после введения в них примеси. На спектре СВЛ ПИН [19] E.R. Weber, H. Ennet, V. Kaufmann, J. Windscheif, GaAs при T = 77 K (рис. 3, a, b, кривая 1) видно, что J. Schneider, T. Wosinski. J. Appl. Phys., 53, 6140 (1982).

в области hex 1.102-1.458 эВ имеет место практи- [20] D.E. Holmes, R.T. Chen, K.R. Elliott, G. Kirkparrick. Appl.

чески полное тушение I0.68 и неполное тушение I0.63. Phys. Lett., 40, 46 (1982).

[21] J. Lagowski, H.C. Gatos, J.M. Parsey, K. Wada, M. Kaminska, После введения атомов Se и Cd с максимальной для наW. Walakiewcz. Appl. Phys. Lett., 40, 342 (1982).

стоящей работы концентрацией NSe (NCd) величины I0.[22] D.W. Fischer. Phys. Rev. B, 37, 2968 (1988).

и I0.63 (рис. 3, кривые 2, 3) в области фототушения не [23] Hoon Young Cho, Eun Kyu Kim, Suk-Ki Min. Phys. Rev. B, отличались от соответствующих значений в исходных 39, 10 376 (1989).

кристаллах.

[24] M. Tajima. Jap. J. Appl. Phys., 26, L885 (1987).

Известно, что эффект тушения излучения с Редактор Л.В. Беляков hm = 0.63 и hm = 0.68 эВ при hex 1.1-1.45 эВ определяется переходом дефектов EL2 в оптически Impurity influence on the emission неактивное метастабильное состояние [24]. Остаточное (после фототушения) излучение с hm = 0.63 эВ, through the EL2 centres into the gallium наиболее вероятно, определяется атомами кислорода [5] arsenide monocrystals (эффект фототушения кислородо-обусловленной полосы M.B. Litvinova hm = 0.63 эВ очень мал по сравнению с такой полосой дефекта EL2 [24]). Существование фототушения и Institute of Semiconductor Physics тот факт, что введение как кадмия, так и селена не Ukrainian Academy of Sciences, меняет величины остаточной интенсивности I0.63 и I0.68, 03028 Kiev, Ukraine свидетельствуют о том, что наблюдаемые в настоящей работе изменения I0.65 в примесной диффузионной зоне обусловлены дефектами EL2.

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.