WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

нанесенных на стеклянную подложку, образована зер- Из рис. 3 (кривые 3, 4) также видно, что в первые часы нами размером от 80 до 300 nm и достаточно однородна работы наблюдается смещение вольт-яркостной характепо площади. Из гистограммы распределения зерен по ристики в сторону более высоких напряжений, которое размерам следует, что наиболее типичными являются впоследствие замедляется. Эти характеристики имеют размеры порядка 150 и 250 nm. Шероховатость поверх- сходство с характеристиками широко используемых ности пленок на стекле примерно в два раза выше, чем пленочных электролюминофоров на основе ZnS : Mn, для пленок на керамике и составляет в среднем 23 nm. ZnS : Tb [3]. Из них следует, что в ходе процесса ускоТакие отличия в морфологии поверхности обусловлива- ренной наработки происходит не деградация структур, а ются различием основных термодинамических парамет- стабилизация характеристик. Это свидетельствует о возров на поверхностях различных подложек, что приводит можности получения стабильных излучателей на основе к различию процессов массопереноса и процессов роста пленок ZnS : Cu.

пленки в плоскости формирующегося слоя. Исследование вольт-зарядовых характеристик Q(U) Исследование спектров фото- и электролюминесцен- пленок ZnS : Cu на керамике и стекле (рис. 4, a, b соции показало, что при одинаковых значениях концентра- ответственно) показало, что появление свечения сопроции активатора и температуры подложки эти спектры вождается их резким изменением. Вместо вытянутого заметно отличаются для различных подложек. Так, если эллипса на керамике и прямой линии на стекле пов спектре излучения пленок на керамической подлож- являются параллелограммы. При этом в допороговой ке преобладает желтая полоса (max = 570 nm), то в области напряжений наклон зависимости Q(U) опредеспектре пленок на стеклянной подложке — зеленая ляет суммарную емкость структуры, а выше порога — (max = 520 nm). Наличие синих (420, 445 и 485 nm), емкость диэлектриков (прямая с большим наклоном).

зеленой (520 nm) и желтой (570 nm) полос излучения По характеру зависимости величины заряда от напряопределяет желтовато-зеленый, близкий к белому, цвет жения Q(U) в случае структур на основе керамики излучения тонкопленочных ЭЛ структур. (наличие заряда до появления электролюминесценции) Структурные и излучательные свойства электролю- можно сделать вывод о существовании паразитного минесцентных пленок коррелируют между собой. Так, заряда (утечки). Это может быть обусловлено испольпленки ZnS : Cu, состоящие из мелких кристаллитов, зованием в качестве диэлектрика сегнетокерамики или содержат излучательные центры преимущественно с дефектами электролюминесцентной структуры.

желтым цветом свечения. В пленках с более крупными, Наличие двух различных зависимостей заряда от более совершенными по структуре кристаллитами обес- напряжения в допороговых и послепороговых для ярпечиваются условия для более высокоэнергетического кости областях интерпретируется с учетом различных Журнал технической физики, 2002, том 72, вып. 48 В.С. Хомченко, Л.В. Завьялова, Н.Н. Рощина, Г.С. Свечников, И.В. Прокопенко, В.Е. Родионов...

эквивалентных схем исследуемых пленок для этих двух не содержат области концентрации поля. Анализ элексостояний. В допороговой области зависимость заряда, тролюминесцентных характеристик исследуемых тонкопротекающего через образец, от напряжения линей- пленочных структур показал, что механизм излучения на и наклон ее соответствует интегральной емкости ЭЛ пленок — ударное возбуждение центров свечения структуры. Эквивалентная схема ячейки может быть горячими электронами, так как свечение имеет место представлена как последовательное соединение емкости при высоких напряженностях электрического поля — диэлектриков (CD) и пленки ZnS (CZnS). В соответствии порядка 5 · 105 V · cm-1; вольт-яркостная характеристика с различием диэлектрической проницаемости емкость имеет пороговое напряжение и область резко нелинейCD > CZnS. Это различие особенно велико для структур ного роста яркости; наблюдается корреляция между зана основе керамики, поскольку в этом случае использу- висимостью яркости и числа носителей от напряжения;

ются сегнетоэлектрические слои с высоким значением излучение происходит одновременно с возбуждением порядка 1600 (для традиционных диэлектриков значение электролюминесцентного слоя. В ходе ускоренной нара 8-10). Эквивалентная схема в этом случае анало- ботки имеет место смещение электролюминесцентных гична емкостному делителю. Поэтому доля напряжения характеристик в сторону более высоких напряжений, на электролюминесцентном слое при одинаковом при- что характерно для процессов формовки или стабилизаложенном напряжении в случае структур на керамике ции стандартных, изготовленных вакуумными методами оказывается значительно большей. Это и приводит к электролюминесцентных структур на основе ZnS : Mn, сдвигу порогового напряжения для таких структур в ZnS : Tb. Установление этих фактов дает основание поласторону низких напряжений, хотя напряженность поля гать, что исследуемые пленки ZnS : Cu перспективны для для обеих структур остается примерно одинаковой и дальнейшей разработки химического метода их получесоставляет 4-7 · 105 V · cm-1. Из емкостных измерений ния с целью использования в электролюминесцентных следует, что ЭЛ слой не содержит областей концен- дисплеях.

трации поля, связанных с наличием барьерного слоя, например типа Мотта–Шоттки или с включениями проСписок литературы водящей фазы (Cu2S, ZnO).

Вольт-яркостные и вольт-зарядовые характеристики [1] Sey-Shing Sun, Dickey E., Kane J., Niel Yocom P. // JDRC.

пленок имеют сходный характер: рост яркости с поVol. 301. Toronto, 1997.

вышением напряжения сопровождается ростом заряда.

[2] Berezhinsky L.J., Khomchenko V.S., Rodionov V.E., TzyrОднако рост яркости от напряжения является более kunov Yu.A. Book of Extended Abstracts 5th Intern. Conf. on the Science and Technology of Display Phosphors. San Diego резким, чем рост заряда.

(California), 1999.

Исследование формы волн яркости (рис. 5) для струк[3] Ono Y.A. Electroluminescent Displays. London: World туры на стеклянной подложке показало, что излучеScientific Publ. Co, 1995.

ние практически синфазно напряжению (U). Наличие [4] Zharovsky L.F., Zavyalova L.V., Svechnikov G.S. // Thin Solid постоянной составляющей свечения B0 обусловлено Films. 1985. Vol. 128. N 3, 4. P. 241.

перекрытием пиков яркости за счет длительного зату[5] Zavyalova L.V., Svechnikov G.S. // Displays. 1997. Vol. 18.

хания их в течение полупериода напряжения. Такой вид P. 73.

волн яркости характерен для классического пленочного [6] Zavyalova L.V., Beletski A.I., Svechnikov G.S. // Semicond люминофора ZnS : Mn с ударным механизмом излучеSci. Technol. 1999. Vol. 14. P. 446–449.

ния [3]. В отличие от этого для порошковых электро- [7] Свечников С.В., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. идр. // ФТП.

2000. Т. 34. Вып. 10. С. 1178–1182.

люминофоров на основе ZnS : Cu с рекомбинационным [8] Rodionov V.E. // Ukr. Patent. 1997. Vol. 1288. P. 15210.

механизмом электролюминесценции за полупериод дей[9] Khomchenko V.S., Kononec Ja.F., Vlasenko N.A. et al. // ствия поля наблюдаются не один, а два пика яркости:

J. Crystal Growth. 1990. Vol. 101. P. 994.

один — синфазный максимум напряжения, другой — его [10] Holloway Paul H., Yu J.-E., Rack Phillip et al. MRS нулевому значению.

Symposium Proc. Flat Panel Display Materials. San Francisco Анализ ЭЛ характеристик исследуемых тонкопле(California), 1994. Vol. 345. P. 289.

ночных структур, приведенный выше, показывает, что [11] Yamaduchi T., Yamamoto Y., Tanaka T. et al. // Thin Solid все они свидетельствуют в пользу ударного механизма Films. 1996. Vol. 281-282. P. 375.

возбуждения ионов Cu+ горячими электронами.

[12] Bessergenev V.G., Belyi V.I., Rastorguev A.A. et al. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 279. P. 135.

[13] Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Кристаллография.

Заключение 1998. Т. 43. № 3. С. 524.

Таким образом, исследование структуры электрических и электролюминесцентных свойств пленок ZnS : Cu, полученных химическим методом путем совместного пиролиза дитиокарбаматов цинка и меди, дает основание заключить, что они однородны по составу и Журнал технической физики, 2002, том 72, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.