WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

получим, что для комплексов VGaSnGa 1 + 22 exp(-W0/kT ) s =, (1) 1.6kT W0 2.5kT (T = 77 K). (3) 1 + 2 exp(-W0/kT ) где W0 — разница энергий возбужденных и основной Так как доминирующую роль в формировании вакаконфигураций поглощающего состояния, —отноше- сионноподобных состояний комплекса играет эффект ние интенсивностей фотолюминесценции совокупностей Яна–Теллера, а не влияние донора [5,8], и комплексы Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 46 А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов VGaSnGa и VGaSiGa не различаются положением донора, Peculiarities of the temperature разумно предположить, что скорости изменения энергий dependence of photoluminescence различных конфигураций с давлением слабо меняются polatization of the Ga vacancy–SnGa(SiGa) с изменением химической природы донора. Тогда для complexes in GaAs at polarized resonant комплексов VGaSiGa (Pcr 6кбар при P [111] [5]) excitation 2kT W0 3.3kT (T = 77 K). (4) A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Учитывая приведенные выше оценки, мы аппроксимироRussian Academy of Sciences вали экспериментальные зависимости s(T ) в области 194021 St.Petersburg, Russia температур 77–125 K выражением (1). Было обнаружено, что наилучшее соотношение расчета и эксперимента

Abstract

Excitation spectra and induced polarization of the действительно достигается, если значения W0 лежат photoluminescence band with maximum at the photon energy в указанных в (3) и (4) пределах (рис. 3). В случае near 1.18 eV for GaAs doped with Sn or Si up to electron VGaSnGa соответствие расчета измеренной зависимости в concentration 1018 cm-3 have been measured at various temпределах погрешностей эксперимента для W0 = 10 мэВ было получено при 2 = 022%, если величина изме- peratures. The temperature dependence of induced polarization of the photoluminescence related with the VGaSnGa or VGaSiGa нялась соответственно от 0.2 до 4. Для W0 = 16 мэВ complexes in the range of 77–230 K was very much similar to that 2 = 0 22%, а = 0.4 7. В случае VGaSiGa для for VGaTeAs complexes. Along with that, a weak decrease of the W0 = 16 мэВ 2 = 0 26% и = 0.2 6, для induced polarization, not detected for VGaTeAs, was observed in the W0 = 26 мэВ 2 = 0 26% и = 0.5 13. Для temperature range of 77–125 K. The distinction has been ascribed промежуточных значений W0 величины также имеют to existence of excited configurations in the absorbing and emitting промежуточное значение.

states of the VGaSnGa and VGaSiGa complexes and to an increase of Приведенные оценки представляются разумными и the occupation of these configurations in the absorbing state with позволяют заключить, что рассмотренная модель комtemperature. The difference in the total energies of the excited плексов VGaSnGa и VGaSiGa, предполагающая существоand the ground configurations of the absorbing state amounts to вание возбужденных конфигураций, способна объяснить 10–20 meV for VGaSnGa and 15–30 meV for VGaSiGa.

наблюдаемые экспериментально особенности температурной зависимости наведенной поляризации фотолюминесценции комплексов.

Настоящая работа была частично поддержана РФФИ (грант 98-02-18327).

Список литературы [1] E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 992 (1968).

[2] В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976).

[3] H.J. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, (1978).

[4] Z.C. Wong, C.J. Li, S.K. Wan, L.Y. Lin. J. Cryst. Growth, 103, 38 (1990).

[5] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов.

ФТП, 30, 1123 (1996).

[6] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 27, 1526 (1993).

[7] Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992).

[8] А.А. Гуткин, Т. Пиотровский, Е. Пулторак, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 32, 40 (1998).

[9] A.A. Gutkin, M.A. Reshchikow, V.E. Sedov. Zeitschrift fr Physikalische Chemie, Bd. 200, 217 (1997).

[10] А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, (1997).

Редактор В.В. Чалдышев Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.