WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

метрами, полученными из подгонки. Видно, что нельзя получить функциональную зависимость диэлектрической проницаемости, описываемую с помощью уравнения тиВыводы па (3) простым увеличением затухания в модели гармонических осцилляторов, поскольку (3) является сверткой Исследовались особенности в оптических фононфункций лоренцевого и гауссового типа. В заключение ных спектрах эпитаксиальных пленок твердых раствоследует отметить, что достигнутое согласование, как ров GaPAs, выращенных на подложке из арсенида галвидно из рис. 3, не является полностью совершенным, в лия, проявляющиеся как уширение полос объемных и частности в окрестности максимума полосы отражения.

поверхностных фонон-поляритонных возбуждений. СмеНо применение функции (3) для диэлектрической прошанные кристаллы характеризуются разупорядоченной ницаемости твердого раствора GaPAs дает возможность кристаллической решеткой, которая может формирозначительно лучше описать также и спектры ИК отражеваться множеством путей. Каждая реализация такой ния многослойных гетероструктур на основе этого тверрешетки приводит к набору (распределению) парамедого раствора (в частности, сверхрешеток GaAs/GaPAs).

тров колебаний фононных осцилляторов. Рентгеновский Более физической выглядит модель диэлектрической анализ показывает отсутствие механических напряжений функции с применением при больших x несимметрич- решетки и хорошее кристаллическое качество пленки.

ного распределения (особенно в области Ga–P колеба- Кроме того, в угловой зависимости дифрагированных Журнал технической физики, 2001, том 71, вып. Диэлектрическая функция твердых растворов GaPAs в области колебательного поглощения лучей проявляется дополнительная, уширенная, полоса. [16] Венгер Е.Ф., Гончаренко А.В., Горя О.С. и др. // ЖПС.

1999. Т. 66. Вып. 4. С. 460–466.

Ее происхождение, вероятно, может быть связано с обра[17] Kim O.K., Spitzer W.G. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 6.

зованием некоторой доменной и субдоменной структуры P. 4362–4370.

в пленке GaPAs, как это предполагается в [4]. Обра[18] Spitzer W.G. // J. Phys. Chem. sol. 1967. Vol. 28. N 1. P. 33– зование таких субдоменов может снижать симметрию 40.

структуры и разрушать дальний порядок в кристалле, что [19] Irmer G., Herms M., Monecke J., Bock H. // Phys. Stat. Sol.

обязательно отразится на физических и, в частности, на (b). 1988. Vol. 145. N 1. P. K79–K82.

оптических свойствах твердого раствора. Для описания [20] Brodsky M.H., Lucovsky G., Chen M.F., Plaskett T.S. // Phys.

оптических свойств таких разупорядоченных систем исRev. B. 1970. Vol. 2. N 8. P. 3303–3311.

пользована модель с гауссовым распределением осцилля- [21] Samson B., Dumelow T., Hamilton A.A. et al. // Phys. Rev.

торов по частоте, что позволяет значительно улучшить B. 1992. Vol. 46. N 4. P. 2375–2392.

[22] Verleur H.W., Barker A.S., jr. // Phys. Rev. 1966. Vol. 149.

согласование экспериментальных спектров отражения с N 2. P. 715–729.

теоретическими, не увеличивая количество подгоночных [23] Ramkumar C., Jain K.P., Abbi S.C. // Phys. Rev. B. 1996.

параметров по сравнению с моделью гармонических Vol. 53. N 20. P. 13672–13681.

осцилляторов. Параметры функции распределения, полу[24] Пырков В.Н., Козырев С.П., Водопьянов Л.К. // ФТТ. 1993.

ченные из решения обратной задачи спектроскопии, приТ. 35. Вып. 9. С. 2479–2489.

нимают физически разумные значения. Как показывает [25] Kuhl J., Bron W.E. // Sol. St. Commun. 1984. Vol. 49. N 10.

анализ, этот эффект проявляется не только в оптических P. 935–938.

свойствах GaPAs, но в той или иной мере и для других [26] Weinstein B.A., Piermarini G.I. // Phys. Rev. B. 1975. Vol. 12.

тройных соединений бинарных III–V полупроводников.

N 4. P. 1172–1186.

При наличии распределения определенных параметров [27] Maradudin A.A., Montroll E.W., Weiss G.H., Ipatova I.P.

Theory of lattice Dynamics in the Harmonic Approximation.

системы (в нашем случае — частот оптических фононов) New York: Academic Press. 1971. 708 p.

затрудняется наблюдение тонких особенностей в оптиче[28] Kash J.A., Tsang J.C. // Sol. St. Electr. 1988. Vol. 31. N 3–4.

ских фононных спектрах, например локализованных мод P. 419–424.

или мод Берремана.

[29] Борн М., Вольф Э. Принципы оптики. М.: Наука, 1970.

856 с.

Авторы выражают благодарность В. Высоцкому за про[30] Gervais F., Piriou B. // J. Phys. C. 1974. Vol. 7. N 13. P. 2374– ведение измерений спектров КРС.

2386.

[31] Giehler M., Jahne E. // Phys. Stat. Sol. (b). 1976. Vol. 73.

N 2. P. 503–516.

Список литературы [32] Bhatt A.R., Kim K.W., Stroscio M.A. // J. Appl. Phys. 1994.

Vol. 76. N 6. P. 3905–3907.

[1] Matthews J.W., Blakeslee A.E. // J. Cryst. Growth. 1974.

[33] Ganikhanov F., Vallee F. // Phys. Rev. B. 1997. Vol. 55. N 23.

Vol. 27. P. 118–125.

P. 15614–15618.

[2] Kato T., Matsumoto T., Hosoki M., Ishida T. // Jap. J. Appl.

[34] Qu J., Bron W.E. // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 48. N 9. P. 6720– Phys. 1987. Vol. 26. N 10. P. L1597–L1600.

6723.

[3] Armelles G., Sanjuan M.J., Conzalez L., Gonzalez Y. // [35] Bendow B., Yukon S.P., Ying S.C. // Phys. Rev. B. 1974.

Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. N 13. P. 1805–1807.

Vol. 10. N 6. P. 2286–2299.

[4] Вайполин А.А., Мелебаев Д. // ФТТ. 1994. Т. 36. Вып. 7.

[36] Копилевич Ю.И., Макарова Е.Г. // Опт. и спектр. 1987.

С. 2107–2117.

Т. 63. Вып. 1. С. 147–153.

[5] Lee H., Biswas D., Klein M.V. et al. // J. Appl. Phys. 1994.

[37] Goncharenko A.V., Venger E.F., Vlaskina S.I. // Inst. Phys.

Vol. 75. N 10. P. 5040–5051.

Conf. Ser. 1996. N 142. Ch. 2. P. 369–372.

[6] Kachare A.H., Spitzer W.C., Euler F.K., Kahan A. // J. Appl.

[38] Gorea O.S., Zelenin V.V., Koval O.V., Simashkevich A.V. // Phys. 1974. Vol. 45. N 7. P. 2938–2946.

J. Cryst. Prop. Prepar. 1991. Vol. 32/34. P. 503–507.

[7] Santos P.V., Ley L. // Superlatt. Microstruct. 1989. Vol. 5.

[39] Агранович В.М., Миллс Д.Л. Поверхностные поляритоны.

N 1. P. 43–50.

М.: Наука, 1985. 522 с.

[8] Lynch D.K. // Astrophys. J. 1996. Vol. 467. P. 894–898.

[40] El-Cohary A.R., Parker T.J., Raj N. et al. // Semicond. Sci.

[9] Ishioka K., Nalamura K.G., Kitajima M. // Phys. Rev. B.

Technol. 1989. Vol. 4. N 5. P. 388–392.

1995. Vol. 52. N 4. P. 2539–2542.

[41] Williamson j.K., Hall W.H. // Acta Metallurgica. 1953. Vol. 1.

[10] Kirillov D., Ho P., Davis G.A. // Appl. Phys. Lett. 1986.

P. 22–31.

Vol. 48. N 1. P. 53–55.

[42] Dvoynenko M.M., Goncharenko A.V., Romaniuk V.R., [11] Takeuchi T., Maezava C., Nomura T. et al. // Appl. Surf. Sci.

Venger E.F. // Superlatt. Microstruct. 1999. Vol. 26. N 5.

1989. Vol. 41/42. P. 530–533.

P. 333–342.

[12] Dmitruk N.L., Gocharenko A.V., Gorea O.S. et al. // Proc.

[43] Chang I.F., Mitra S.S. // Adv. Phys. 1971. Vol. 20. N 85.

SPIE. 1995. Vo. 2648. P. 138–143.

P. 359–404.

[13] Willardson R.K., Beer A.C. Semiconductors and Semimetals.

[44] Gervais F., Piriou B. // Phys. Rev. B. 1975. Vol. 11. N 10.

Vol. 3. New York: Academic Press, 1967. 488 p.

P. 3944–3950.

[14] Barker A.S., jr. // Phys. Rev. 1968. Vol. 165. N 3. P. 917–922.

[15] Chang I.F., Mitra S.S. // Phys. Rev. 1968. Vol. 172. N 3.

P. 924–933.

Журнал технической физики, 2001, том 71, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.