WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Особо следует отметить возникновение после ГС полосы 730 нм, обусловленной включениями ZnO в ZnS [9]. Эта полоса в спектрах КЛ исходных образцов отсутствует, но после ГС наблюдается как при 80 K (рис. 2), так и при 300 K, хотя при комнатной температуре ее интенсивность примерно вдвое ниже. Факт образования ZnO после ГС подтверждается появлением в ряде спектров (рис. 4) экситонных полос ZnO: 369, 380, 385 нм [17].

Полоса 730 нм более интенсивна, когда содержание кислорода в кристаллах заметно превышает предел его растворимости в ZnS, что достигается для образцов, выращенных при большем избытке серы. Так, конденсаты, спектры которых представлены на рис. 2 и 4, выращены при отношении [Zn] / [H2S] < 1 (0.9) и > 1 (1.05). При большем содержании серы уменьшение концентрации VS подтверждается уменьшением интенсивности полосы КЛ 850 нм (рис. 2 и 4, кривые 2). При этом относительная интенсивность полосы ZnO 730 нм (I730/Iexc) увеличивается от 0.1 до 0.3. В литературе отмечается, что свечение ZnO 730 нм типично для образцов, в которых образование межузельного цинка затруднено [9].

Для того чтобы проверить, возможна ли оценка присутствия ZnO по интенсивности полосы КЛ 730 нм, Рис. 5. Спектры пропускания ZnS при T = 300 K: 1 —конбыли исследованы спектры пропускания ZnS, поскольку денсат после ГС, представленный на рис. 2, 2 — монокристалл в работе [18] показано, что даже при малых количествах ZnS с включениями ZnO после старения [5]. Приведены длины ZnO выявляется по фурье-спектрам в области 5-15 мкм.

волн основных полос в мкм.

На рис. 5 приведены спектры пропускания, снятые по этой методике. Видна характерная для включений ZnO Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып. Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании группа узких полос поглощения 5.8, 6.5, 6.8, 7.1 мкм [3] Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных (кривая 1). Сравнение этих полос по интенсивности кристаллов (Рига, Зинатне, 1979).

для различных конденсатов подтвердило корреляцию с [4] Н.К. Морозова, Д.В. Жуков, В.Е. Мащенко, В.В. Блинов.

интенсивностью полосы КЛ 730 нм. Так, спектр проДокл. XXXII Межд. научно-техн. сем. „Шумовые и пускания с выраженной структурой в области 5-7мкм деградационные процессы в полупроводниковых прибо(кривая 1 на рис. 5) соответствует образцу после ГС рах“ (М., МЭИ, 2002) c. 234.

с более интенсивной полосой КЛ 730 нм. В пропускании [5] Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов. Сульфид цинка. Получеисходных (до ГС) образцов эта группа полос отсутствует ние и оптические свойства, под ред. М.В. Фока (М., или слабо просматривается на уровне фона.

Наука, 1987).

В спектрах пропускания кроме группы узких полос [6] Е.М. Гаврищук, Э.В. Яшина. Высокочистые вещества, № 5, наблюдалась и более длинноволновая широкая полоса 36, (1994).

[7] К. Руманс. Структурные исследования халькогенидов поглощения 11 мкм. Она совпадает с интенсивной при высоких давлениях (М., Мир, 1969) с. 207.

полосой поглощения (LO + TO)-многофононного спек[8] В.М. Лисицын, В.И. Корепанов, В.И. Олешко, В.Ю. Якотра монокристаллов ZnO [18,19] и аналогична полосе влев. Изв. вузов. Физика, № 11, 5 (1996).

10.2 мкм ZnSe, которая наблюдалась на ранней стадии [9] Н.П. Голубева, М.В. Фок. ЖПС, 17 (2), 261 (1972).

образования фазы оксида [18]. Для сравнения на рис. [10] K. Leutwein, A. Rauber, J. Schneider. Sol. St. Commun., приведен спектр (кривая 2) монокристалла ZnS : Cu (6), 783 (1967).

(10-3 %Cu) после старения, в котором выделение фазы [11] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, Е.М. Гаврищук, В.М. ЛиZnO (наиболее полное в присутствии меди) подтверждесицын, В.И. Олешко, В.И. Корепанов. Докл. XXXIII но исследованиями микро-КЛ в растровом электронном Межд. научно-техн. сем. „Шумовые и деградационные микроскопе [5]. В этом спектре широкая полоса 11 мкм процессы в полупроводниковых приборах“ (М., МЭИ, (ZnS) ослаблена, как и в аналогичных случаях для 2003) с. 12.

[12] Nam Sungun, Rhee Jongkwang, O. Byungsung, Ki-Seon Lee.

ZnSe [18]. После ГС конденсатов сульфида цинка полоса J. Korean Phys., 32 (2), 156 (1998).

поглощения 11 мкм несколько усиливается.

[13] NLovergine, P. Prete, G. Leo, L. et al. Cryst. Res. Technol., В качестве выводов можно отметить следующее.

33 (2), 183 (1998).

Эффекты, наблюдаемые при газостатировании, связа[14] Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. М. Авена, ны с ожидаемым при высоком давлении уменьшением Д.С. Пренера (М., Мир, 1970).

объема элементарной ячейки ZnS. Подтверждается роль [15] K. Akimoto, T. Miyajima, Y. Mori. Phys. Rev. B, 39 (5), межузельных атомов цинка как быстро диффундирую(1989).

щих собственных доноров, участвующих в установлении [16] А.М. Ахекян, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин, Я.К. Скасырский. Кр. сообщ. по физике, № 3, 44 (1988).

равновесного взаимодействия собственных точечных де[17] И.П. Кузьмина, В.А. Никитенко. Окись цинка (М., Наука, фектов. Газостатирование дает очень равномерное леги1984) с. 165.

рование с образованием устойчивых центров или твер[18] Н.К. Морозова, В.Г. Плотниченко, Е.М. Гаврищук, дых растворов в совершенной бездефектной матрице.

В.В. Блинов. Неорг. матер., 39 (8), 1105 (2003).

Проведенные исследования позволяют подтвердить [19] R.J. Collins, D.A. Kleiman. J. Phys. Chem. Sol., 11, классификацию кислородных центров. Установлено, что (1959).

кислородные центры (комплексы), ответственные за SAРедактор Л.В. Шаронова (и SAL-) свечение ZnS, имеют акцепторные уровни, которые могут связывать экситон. Этот канал определяTransformation CVD-ZnS by GS ет люминесценцию при больших уровнях возбуждения.

Уточнены тип свечения и положение акцепторных уров- of luminescence centers ней кислородных центров: 0.25 эВ для SAL-свечения N.K. Morozova, I.A. Karetnikov, V.G. Plotnichenko, 355-370 нм; 0.61 и 0.54 эВ для 2 компонент 445 и 415 нм E.M. Gavrishchuk, E.V. Yashina, V.B. Ikonnikov SA-свечения.

Подтверждена связь полосы люминесценции 730 нм в Moscow Power Engineering Institute чистом по иновалентным примесям ZnS с присутствием (Technical University), фазы ZnO. 111250 Moscow, Russia

Abstract

The influence of a high pressure 1500 atm Список литературы at 1000C (GS) on the balance of intrinsic point defects in ZnS was investigated. ZnS crystals were grown by CVD [1] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов, Е.М. Гавриtecnhology with an excess of zinc. The cathodoluminescence щук. ФТП, 35 (1), 25 (2001).

spectra was examined at 80-300 K and excitation level 1022 and [2] Ю.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий. Тер1026 cm-3 · c-1. Transmission spectra were investigated at 300 K.

модинамика изовалентного легирования кристаллов полупроводниковых соединений типа AIIBVI (Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1990, № ИМК-90-16).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.