WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 1 Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs © А.В. Мурель¶, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, В.И. Шашкин, В.Б. Шмагин, О.И. Хрыкин Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия (Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.) Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных -слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны 1.2мкм при температурах 77 и 300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.

1. Введение Схематический вид выращенных структур представлен на рис. 1, a. В нелегированный слой GaAs толДлинноволновые (1.3-1.5мкм) лазеры на GaInNAs, щиной 0.3 мкм встраивалась квантовая яма GaInNAs изготавливаемые на подложках GaAs, представляют ин- толщиной 8.5 нм, окруженная с двух сторон слоями терес для использования в оптоэлектронных линиях свя- GaNAs толщиной 6 нм. Вблизи поверхности с периози [1,2]. Полупроводниковое соединение GaInNAs широ- дом 3 нм выращивались три сильно легированных Si ко исследуется как возможный кандидат для активного -слоя, используемых в качестве невплавного омичеслоя вертикально излучающих лазеров (VCSEL) вслед- ского контакта для инжекции электронов. После оконствие хорошо развитой VCSEL-технологии на GaAs, чания роста гетероструктуры из металлорганического которая включает распределенные брэгговские отра- алюминийсодержащего соединения in situ осаждался слой эпитаксиального алюминия толщиной 20 нм, кожатели (DBR) на основе решетки Al(Ga)As/GaAs и торый играл роль металлического контакта, а также селективное окисление AlAs для пространственного предохранял поверхность арсенида галлия от окисограничения области протекания тока. С другой стороления. Для обеспечения надежного механического и ны, ухудшение эффективности эмиссии, обусловленное электрического контакта осуществлялось подпыление введением азота, признается самой большой проблемой дополнительного слоя алюминия методом термического GaInNAs-слоев. Поэтому многие исследователи прикланапыления. Толщина и состав квантовых ям оценивались дывают значительные усилия по улучшению оптического из кривых рентгеновской дифракции (РД) и вторичкачества этого материала.

ной ионной масс-спектрометрии (ВИМС). Измерение Одним из направлений является включение растягиспектров рентгеновской дифракции проводилось на дивающих напряженных барьеров GaNAs с каждой стофрактометре ДРОН-4 с монохроматором Ga(400) на роны квантовой ямы GaInNAs [3,4], что предполагает излучении CuK1 в окрестности отражений (400)GaAs частичную компенсацию напряжений в яме, позволяет и (440)GaAs. Оптические свойства образцов изучались сделать яму более широкой, что должно привести к методом фотолюминесценции (ФЛ) и фототоковой спексдвигу эмиссии в длинноволновую область. Предполагатроскопии. Исследование электролюминесценции (ЭЛ) ется, что барьеры GaNAs действуют также в качестве проводилось на изготовленных путем выкалывания обрезервуаров азота, предотвращая голубой сдвиг из-за разцах площадью 1мм2. Накачка осуществлялась редиффузии азота из ямы при повышенных температурах.

гулируемым импульсным генератором тока с длительностью импульса 10 мкс и частотой повторения 1 кГц.

2. Эксперимент Регистрировалось выходное излучение из боковой поверхности скола при температурах 80 и 300 K.

Структуры выращивались на полуизолирующих и n- Предполагаемая зонная диаграмма светоизлучающей и p-сильно легированных подложках арсенида гал- структуры представлена на рис. 1, b для режимов нулия методом металлорганической газофазной эпитак- левого смещения и при условии протекания прямого сии (МОГФЭ) при пониженном (75 Торр) давлении.

инжекционного тока.

Триметилгаллий (TMG) и триметилиндий (TMI) использовались как источники элементов III группы, 3. Результаты и обсуждение 1,1 диметилгидразин (DMHy) и арсин (AsH3) — как источники элементов V группы. Температура роста соСодержание азота и индия в четверных соединениях ставляла 650C для GaAs и 500-600C для III-N-As.

в зависимости от параметров роста в процессе ме¶ E-mail: murel@ipm.sci-nnov.ru таллорганической газофазной эпитаксии изучалось раЭлектролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs замещения N-As. Поэтому введение барьерных слоев тройного соединения GaAsN с уменьшенным периодом действительно приводит к частичной компенсации суммарной упругой деформации слоев и увеличивает критическую толщину образования дислокаций несоответствия.

Вольт-амперные характеристики диодов диаметром 200 мкм, изготовленных на p+-подложке, имели вид, типичный для p+-n-перехода (рис. 2) со следующими параметрами: фактор неидеальности 2.2 и последовательное сопротивление 10-15 Ом. Вольт-фарадная характеристика, измеренная при обратном смещении, свидетельствует о полном обеднении нелегированной области. Вид вольт-амперных характеристик структур, изготовленных на n+-подложке, приведен на вставке рис. 2 в двойных логарифмических координатах. Наблюдаемый начальный омический участок описывает перенос носителей в структуре n+-n--n+ при малых напряжениях. При дальнейшем росте напряжения ток Рис. 2. Вольт-амперная характеристика диода с квантовой ямой GaInNAs, выращенной на p+-подложке для исследования электролюминесценции. На вставке — вольт-амперная характеристика той же структуры, выращенной на подложке n+-типа.

Рис. 1. a — схематическое изображение структуры, содержащей квантовую яму GaInNAs; b — зонная диаграмма структуры при нулевом (толстая линия) и прямом смещении (тонкая линия).

нее [5], в настоящей работе были использованы эти результаты. Содержание азота в GaNAs барьерах оценивалось в 2%, состав квантовой ямы был приблизительно Ga0.88In0.12N0.01As0.99. В спектрах рентгеновской дифракции пик слоя четверного соединения находился при меньших брегговских углах, чем пик GaAs (период решетки больше, чем у GaAs), т. е. величина растяжения Рис. 3. Спектр фотолюминесценции структуры, содержащей за счет замещения In-Ga больше, чем сжатие за счет квантовую яму GaInNAs, измеренный при температуре 80 K.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 40 А.В. Мурель, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.М. Гапонова, В.И. Шашкин, В.Б. Шмагин, О.И. Хрыкин электрические свойства полученных структур. Для создания светоизлучающего диода использовался невплавной омический контакт на основе сильно легированных -слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны 1.2 мкм при температурах 77 и 300 K, интенсивность ее зависела линейно от плотности инжекционного тока.

Исследования поддержаны грантами РФФИ № 03-02-17404, 04-02-17180 и программой ФТНС.

Список литературы [1] T. Kitatani, M. Kondow, T. Tanaka. J. Cryst. Growth, 221, Рис. 4. Спектры электролюминесценции диода с квантовой (2000).

ямой GaInNAs, измеренные при температурах 77 и 300 K. На [2] S. Sato. Japan. J. Appl. Phys., 39, 3403 (2000).

вставке — зависимость величины сигнала электролюминесцен[3] E.-M. Pavelescu, T. Jouhti, C.S. Peng, W. Li, J. Lonttinen, ции от плотности инжектируемого тока.

D. Dumitrescu, P. Laukkanen, M. Pessa. J. Cryst. Growth, 241, 31 (2002).

[4] N. Tansu, J.-Y. Yeh, J. Mawst. J. Appl. Phys. Lett., 83, (2003).

описывается зависимостью I V, которая характерна [5] А.В. Мурель, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздля токов, ограниченных пространственным зарядом.

дов, Д.М. Гапонова, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Изв. РАН.

Спектр фотолюминесценции, измеренный при 77 K, Сер. физ., 68 (1), 87 (2004).

имеет пик на длине волны 1120 нм, связанный с основРедактор Л.В. Беляков ным переходом в квантовой яме (рис. 3). На рис. приведены спектры электролюминесценции, полученной Electroluminescence characteristics с боковой поверхности скола образца, при протекании of GaInNAs quantum well heterostructures инжекционного тока 150 мА, в которых наблюдается пик на длине волны 1180 нм. Различие в значениях A.V. Murel, V.M. Daniltsev, Yu.N. Drozdov, длин волн для максимумов ФЛ и ЭЛ связано с планарD.M. Gaponova, V.I. Shashkin, V.B. Shmagin, ной неоднородностью исследуемых образцов, обусловO.I. Khrykin ленной особенностью процесса газофазной эпитаксии Institute for Physics of Microstructures, в горизонтальном реакторе без вращения подложек.

Интенсивность электролюминесценции при низкой тем- Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia пературе (77 K) почти на 2 порядка выше, чем при комнатной температуре. Изменение выходной мощности электролюминесценции от тока инжекции, показанное

Abstract

The GaInNAs quantum wells were grown by metalorна вставке рис. 4, имеет практически линейную зави- ganic vapor-phase epitaxy. The compensating mechanical strains симость.

GaNAs barriers were built in from both sides of a quantum Для дальнейшего продвижения в длинноволновую well for improving the optical properties. Characteristics of часть спектра необходимо увеличивать содержание ин- optical transitions were estimated from photoluminescence and дия и(или) азота в квантовой яме для уменьшения photocurrent measurements. Nonalloyed ohmic contacts on the ширины запрещенной зоны. Это предполагает развитие basis of high doped -layers were used for the light-emitting diode и отработку технологии роста четверных соединений, fabrication. Electroluminescence was observed on the wavelength углубленное понимание процессов, происходящих в га- of 1.2 µm at temperatures 77 and 300 K, the intensity depending зовой фазе, которые приводят к сильному взаимному linearly on the density of an injection current above certain влиянию на вхождение индия и азота в растущую threshold value.

эпитаксиальную пленку.

4. Заключение Методом металлорганической газофазной эпитаксии при температуре 500-550C выращены квантовые ямы четверного соединения GaInNAs на подложках арсенида галлия. Для улучшения оптических свойств квантовой ямы с обеих сторон встроены барьеры GaNAs, компенсирующие механические напряжения. Изучены фотоФизика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.




© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.