WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

[22] В.С. Зимогорский, Н.К. Морозова, Н.А. Яштулов, В.В. БлиСмена типа свечения I–III связана с перезарядкой однов. Матер. докл. XXX межд. научн.-техн. сем. ”Шумовые ной и той же группы СТД, включающей кислород O, S и деградационные процессы в полупроводниковых приZni (Cu) и VZn.

борах” (М., МЭИ, 2000) с. 211.

5. Основные полосы, обязанные легированию кислоро- [23] Н.К. Морозова, В.А. Кузнецов и др. Сульфид цинка.

дом и медью зависят от стехиометрии кристаллов ZnSe: Получение и оптические свойства (М., Наука, 1987).

[24] В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Липри избытке Zn преобладают полосы I; для кристаллов, товченко. Оптические свойства полупроводников.

близких к стехиометрии, полосы II, и имеющих сущеСправочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 432.

ственный избыток металлоида — полосы III.

[25] Э.П. Польских. Автореф. канд. дис. (М., 1974).

6. Спектр излучения центров I–III может характеризо[26] Л.П. Гальчинецкий, И.А. Каретников, В.Е. Мащенко и др.

вать общую чистоту кристалла: высокая степень очистки ЖПС,58, 488 (1993).

до общего содержания по сумме примесей < 1017 см-[27] Ф.Н. Дмитриев, В.Д. Рыжиков, Л.П. Гальчинецкий. Терсопровождается появлением узких линий на фоне широмодинамика изовалентного легирования кристаллов ких полос.

полупроводниковых соединений типа AIIBVI (Харьков, ВНИИ монокристаллов, 1990).

[28] Э.Д. Алукер, Д.Ю. Лусис, С.А. Чернов. Электронные возСписок литературы буждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов (Рига, Знание, 1979).

[1] G.B. Stringfellow, R.H. Bube. Phys. Rev.,14(3), 903 (1968).

[29] Дж. Уоткинс. Дефекты решетки в соединениях AIIBVI [2] M. Godlewski, W.E. Lamb, B.C. Cavenett. Sol. St. Commun., (М., Мир, 1970) вып. 9, с. 221. [Вкн.: Точечные дефекты 39, 595 (1981).

в твердых телах. Сер. Новости физики твердого тела, [3] В.И. Соколова, Т.П. Суркова, М.В. Чукичев, Ву Зоан Мьен.

под ред. Б.И. Болтакса].

ФТТ,26, 3681 (1984).

[30] О.В. Вакуленко, В.Н. Кравченко, В.Д. Рыжиков, В.И. Си[4] E.D. Wheeler, Jack L. Boone, J.F. Farmer, H.R. Chandrasekhar.

лин, Н.Г. Старжинский. ФТП,31, 1211 (1997).

J. Phys. Chem. Sol.,58(1), 79 (1997).

[31] Н.К. Морозова, А.В. Морозов, В.Г. Галстян, И.А. Каретни[5] V.D. Ryjikov, V. Havrushin, A. Klazlauskaz et al. J. Luminecs., ков, Л.Д. Назарова, И.И. Разуляев. Неорг. матер.,30, 52(1–4), 71 (1992).

(1994).

[6] А.М. Гурвич. Автореф. докт. дис. (Тарту, 1970).

[7] Физика и химия соединений AIIBVI, под ред. С.А. Мед- [32] А.В. Квит, С.А. Медведев, Ю.В. Клевков и др. ФТТ,40, 1010 (1998).

ведева (М., Мир, 1970).

[8] Г.Н. Иванова, В.А. Касиян, Д.Д. Недеогло, С.В. Опря. ФТП, [33] A. Gukasyan, A. Kvit, Y. Klevkov, S. Oktyabrsky. Sol. St.

32(2), 171 (1998). Commun.,97, 897 (1996).

Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып. Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe [34] G.S. Iseler, A.J. Strauss. J. Luminecs.,3, 1(1970).

[35] A.V. Kvit, Yu. V. Klevkov, S.R. Oktyabrsky, B.G. Zhurkin.

Semicond. Sci. Technol.,9, 1805 (1994).

[36] Н.К. Морозова, И.А. Каретников, В.В. Блинов и др. ЖПС, 67(1), 96 (2000).

Редактор В.В. Чалдышев Luminescence centers due to presence of copper and oxygen in ZnSe N.K. Morozova, I.A. Karetnikov#, V.V. Blinov#, E.M. Gavrishuk# Moscow Power Engineering Institute (Technical University), 111250 Moscow, Russia # Institute for the Chemistry Clean Materials, Russian Academy of Sciences, 603600 Nizhni Novgorod, Russia

Abstract

CV D-condensates ZnS Cu-doped during the preparation, the influence of a diversion from stoichiometry, concentration of copper and oxygen found by spectra of a cathodoluminescence is explored. The results are complemented by a study of microstructure and microcomposition by scanning electron microscopy measurings of electric conductivity and calculations of equilibrium of native point defects. It is shown, that three types of Cu centres always are accompanied with self-activated luminescence centres including oxygen in a selen site OSe. Pair centres: SA(I)–Cu(I), SAL(II)–Cu(II) and III–Cu(III) are typical of all AIIBVI. All I–III copper centres is associative. The models of luminescence centres are offered.

3 Физика и техника полупроводников, 2001, том 35, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.