WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!


Pages:     | 1 ||

[2] Н.В. Байдусь, А.А. Бирюков, Ю.А. Данилов, Б.Н. Звонков, Различное поведение параметров ВАХ в КРС с КЯ pА.В. Здоровейщев, П.Б. Мокеева, С.М. Некоркин, Е.А. Уси n-типа проводимости с увеличением dox обусловлено, кова. Изв. РАН. Сер. физ., 67 (2), 208 (2003).

очевидно, свойствами окисла. По данным [10], при анод[3] A. Babinski, P. Witczak, A. Twardowski, J.M. Baranowski.

ном окислении n-GaAs вблизи внешней поверхности АО Appl. Phys. Lett., 78, 3992 (2001).

образуется отрицательный заряд постоянной величины, [4] Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, П.Б. Мокеева, Е.А. Ускова, достаточной для создания инверсионного слоя на поС.В. Тихов, М.И. Василевский. Изв. АН. Сер. физ., 68 (1), верхности арсенида галлия. Скрытый слой p-типа вблизи 251 (2004).

[5] N.V. Baidus, B.N. Zvonkov, P.B. Mokeeva, E.A. Uskova, границы с металлом в КРС n-типа проводимости повыS.V. Tikhov, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, S.A. Filanovich.

шает высоту барьера Шоттки и улучшает его „качество“.

Semicond. Sci. Technol., 19, S469 (2004).

Одновременно он увеличивает концентрацию дырок, [6] Э.Х. Родерик. Контакты металл–полупроводник необходимых для возбуждения ЭЛ. В структурах p-типа (М., Радио и связь, 1982).

проводимости инверсионный слой не должен образовы[7] B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, ваться, и возрастание толщины АО постепенно повышаS.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina. Nanotechnology, 11, ет значение параметра n. По мере увеличения толщины 221 (2000).

окисла возрастает доля падающего на нем напряжения, [8] Э.В. Буц, Л.И. Возмилова. В сб.: Электронная техника.

что согласно модели, предложенной в [11,12], приводит Сер. Полупроводниковые материалы (М., ЦНИИ „Элекк понижению уровня Ферми в металле к потолку троника“, 1976) вып. 1 (103), с. 109.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл–квантово-размерный... [9] И.Н. Сорокин, В.З. Петрова, Ю.Д. Чистяков, Н.Р. Аигина, Л.Е. Гатько. В сб.: Зарубежная электронная техника (М., ЦНИИ „Электроника“, 1979) вып. 14 (209).

[10] С.В. Тихов, Б.И. Бедный, И.А. Карпович, В.В. Мартынов.

Микроэлектроника, 10, 250 (1981).

[11] H.C. Gard, E.H. Rhoderick. Sol. St. Electron., 16, 365 (1973).

[12] Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова. Матер. совещ. „Нанофотоника“ (Н. Новгород, 2004) с. 170.

Редактор Л.В. Беляков The effect of an interfacial oxide layer on electroluminescence efficiency in metal–quantum size semiconductor heterostructures N.V. Baidus, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, E.A. Uskova Physico-Technical Research Institute of University of Nizhni Novgorod, 603950 Nizhni Novgorod, Russia

Abstract

Light emitting properties of the quantum size GaAs/In(Ga)As/GaAs heterostructures with Schottky barrier were investigated. The effect of different surface treatments of these structures on electroluminescence (EL) efficiency of forward-biased Schottky diodes was studied. It was established that CCl4 surface exposure at 580C followed by anodic oxidation enhance the EL intensity most of all. It was shown that the presence of a tunnel-thin interfacial anodic oxide is the important factor for minority carrier injection current. The EL efficiency depends substantially on anodic oxide thickness.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||





© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.