WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Журнал технической физики, 1997, том 67, № Роль различных механизмов поляризации в самоорганизации директора тонкого слоя... лярно подложке. В результате устанавливается вполне определенная ориентация, соответствующая, как уже отмечалось, минимуму свободной энергии (рис. 1). Кроме того, как уже упоминалось ранее, дипольная поляризация определяется параметром порядка S1, который в свою очередь пропорционален ориентирующему полю. При достаточно больших толщинах (d > 10 мкм) упорядочивающее влияние электрического поля существенно ослабевает (рис. 6), что приводит к уменьшению дипольной поляризации. Эта гипотеза подтверждается исчезновением корреляционных ориентационных эффектов действия подложки в толстых образцах.

В заключение отметим, что, хотя в работе исследуется структура металл–нематический ЖК–металл, полученные результаты могут быть использованы и для анализа других систем, в частности металл–жидкий кристалл– полупроводник, имеющих существенно более широкое Рис. 5. Зависимость граничного значения дипольной поляри- применение.

зации от толщины слоя ЖК.

Авторы выражают благодарность Г.С.Плотникову за постоянный интерес к работе.

Работа поддержана Российским фондом фундаменна основе полученной ранее зависимости F0(0) найдем тальных исследований; проект № 95-01-00531а.

параметр B, используя который рассчитаем параметр порядка S1 и дипольную компоненту поляризации Pдип.

На рис. 4 приведены зависимости S1(x) для разных Список литературы толщин слоя ЖК, на рис. 5 показана зависимость граничного значения дипольной поляризации Pгран = Pдип|x=[1] Лисовский Ф.В., Мансветова Е.Г., Николаева Е.П., от толщины слоя d. Остановимся более подробно на Николаев А.В. // ЖЭТФ. 1993. Т. 103. Вып. 1. С. 213.

последней зависимости. Объяснить такой ход кривой [2] Воронов В.П., Холмуродов Ф. // ЖЭТФ. 1989. Т. 95. Вып. 4.

можно, принимая во внимание следующие соображения.

С. 1324–1334.

Вблизи ограничивающей ЖК поверхности наблюдает[3] Бараш Ю.С., Нотыч О.И. // ЖЭТФ. 1990. Т. 98. Вып. 2(8).

ся конкуренция двух механизмов. Квадрупольный (немаС. 542–553.

тический) порядок стремится ориентировать молекулы [4] Корниенко Ю.К., Федчук А.П. // Письма в ЖТФ. 1992.

параллельно поверхности. В то же время внутреннее Т. 18. Вып. 12. С. 78–82.

электрическое поле ориентирует молекулы перпендику- [5] Алексеев А.Е., Корниенко Ю.К., Шевченко Л.Д., Федчук А.П. // Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. Вып. 15. С. 77–81.

[6] Сухов А.В. // ЖЭТФ. 1990. Т. 98. Вып. 3(9). С. 919–930.

[7] Лачинов А.Н., Чувыров А.Н. Поверхность. 1986. № 5.

С. 74–79.

[8] Лачинов А.Н., Чувыров А.Н. Кристаллография. 1980. Т. 25.

С. 4.

[9] Фел Л.Г., Логинов Е.Б. // ЖЭТФ. 1993. Т. 103. Вып. 4.

С. 1262–1269.

[10] Блинов Л.М., Кац Е.И., Сонин А.А. // УФН. 1987. Т. 152.

№ 3. С. 449–447.

[11] Корниенко Ю.К., Федчук А.П. // ФТФ. 1994. Т. 64. Вып. 7.

С. 1–8.

[12] Осипов М.А. // Поверхность. 1988. № 9. С. 39–47.

[13] Barbero G., Madhusudana N.V., Durand G. // Z. Naturforsh.

A. 1984. Vol. 39. P. 1066.

[14] Барник М.И., Блинов Л.М., Коркишко Т.В. и др. // ЖЭТФ.

1983. Т. 85. С. 176.

[15] Barbero G., Madhusudana N.V., Palierne J.F., Durand G.

// Phys. Lett. Ser. A. 1984. Vol. 103. P. 385.

[16] Barbero G., Durand G. // J. Physique. 1986. Vol. 47. P. 2129– 2134.

[17] Корниенко Ю.К., Баранов С.Ф., Загинайло И.В. и др. // Рис. 6. Зависимость граничного значения напряженности УФЖ. Т. 31. № 10. С. 1528–1530.

внутреннего электрического поля от толщины слоя ЖК.

Журнал технической физики, 1997, том 67, № 28 Ю.К. Корниенко, А.П. Федчук [18] Корниенко Ю.К., Федчук А.П. // ЖЭТФ. 1992. Т. 62. Вып. 2.

С. 140–145.

[19] Пикин С.А. Структурные превращения в жидких кристаллах. М.: Наука, 1981.

[20] Загинайло И.В. Канд. дис. Одесса, 1987.

[21] Valenti S., Grillo M., Barbero G., Taverna Valabrega B. // Europhus. Lett. 1990. Vol. 12. N 5. P. 407–412.

[22] Podoprigora V.G., Remizov L.A., Shabanov V.F. // Mater. Sci.

1988. Vol. 14. N 3. P. 83–90.

[23] Скалдин О.А., Крехов А.П., Чувыров А.Н. // Кристаллография. 1989. Т. 34. № 4. С. 951–957.

[24] Коркишко Т.В., Чигринов В.Г., Галиулин Р.В. и др. // Кристаллография. 1987. Т. 32. № 2. С. 452–459.

Журнал технической физики, 1997, том 67, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.