WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

концентрацией N2 также по механизму типа донорноЭтот эффект усиливается при понижении температуры.

акцепторного.

2) Интенсивность возбуждающего ультрафиолетового излучения выбиралась достаточно низкой, чтобы 3.2. Влияние состояния поверхности избежать высвечивающего действия возбуждающего изна релаксацию хлорида серебра лучения.

3) Полагалось, что концентрация центров люминес- Обработка микрокристаллов AgCl в растворе, содерценции меньше концентрации дефектов центров ло- жащем ионы Ag+ и NO-, влияет в основном на процесс кализации электронов. Упрощенная систем уравнений перелокализации зарядов. С увеличением концентрации Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. Релаксация фотовозбужденного хлорида серебра ионов Ag+ и NO- в растворе при обработке микрокристаллов AgCl. Оказалось, что для быстрого процесса релаксации при d = 2 с с увеличением концентрации C до 10-4 моль/л энергия активации Earl уменьшается почти в 5 раз, достигая величины Earl 0.03 эВ, сравнимой с kBT (рис. 6, кривая 1). Для более поздних стадий релаксации (d = 60 с), когда ее скорость значительно меньше, влияние обработки на значения энергии активации Earl незначительно (рис. 6, кривая 2).

Слабое влияние обработки на энергию активации медленного процесса релаксации свидетельствует в пользу предположения о существовании канала рекомбинации локализованных зарядов по донорно-акцепторному механизму с вероятностью 1. В этом случае энергия активации Ea2 = 0.06 эВ определяет величину потенциального барьера, окружающего адсорбированный ион Ag+, и от Рис. 5. Зависимости высвеченных светосумм от температуры концентрации этих ионов не зависит до тех пор, пока для чистых микрокристаллов AgCl (1) и обработанных в растчисло этих ионов далеко от их числа в монослое и не ворах AgNO3 с концентрациями 10-6 (2) и 10-4 (3) моль/л для происходит кластерообразования.

d = 2с.

Снижение энергии активации Earl при d = 2с свидетельствует об уменьшении потенциального барьера для термической перелокализации зарядов в результате обработки. Это может означать, что центры, участвующие в перелокализации электронов, расположены вблизи поверхности и адсорбция положительно заряженных ионов серебра около них уменьшает потенциальный барьер для электронов, локализованных на этих центрах.

Авторы благодарны С.С. Охотникову за помощь в проведении измерений.

Список литературы [1] И.А. Акимов, Ю.А. Черкасов, М.И. Черкашин. Сенсибилизированный фотоэффект (М., Наука, 1980).

[2] А.Н. Латышев, М.А. Кушнир, В.В. Бокарев. Опт. и спектр., 53 (2), 364 (1982).

[3] А.Н. Латышев. Автореф. докт. дис. (Воронеж, 1985).

[4] В.Г. Клюев, А.Н. Латышев, Л.Я Малая, Л.Ю. Леонова, Рис. 6. Зависимость энергии активации процесса перелоА.И. Кустов. ЖПС, 62 (3), 232 (1995).

кализации зарядов от концентрации AgNO3 в растворе при [5] В.Г. Клюев, Л.Я Малая, Л.Ю. Леонова. ЖПС, 63 (1), обработке микрокристаллов AgCl для d = 2 (1) и 60 с (2).

(1996).

[6] П.В. Мейкляр. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения (М., Наука, 1972).

ионов в растворе наблюдается увеличение высвеченных [7] В.Г. Клюев. Автореф. докт. дис. (Воронеж, 1998).

светосумм (рис. 5). В работе [16] показано, что на [8] М.В. Фок. ФТП, 4 (4), 1009 (1970).

глубине 1.8 эВ от дна зоны проводимости расположен [9] М.А. Кушнир, А.Н. Латышев, К.В. Чибисов. Докл.

уровень адсорбированного иона Ag+, захватившего элекАН СССР, 263, 364 (1982).

трон. Поэтому увеличение светосуммы ФСВЛ вызвано [10] Джеймс. Теория фотографического процесса (Л., Хиувеличением количества адсорбированных ионов семия, 1980).

ребра при обработке. Заметим, что 1.8 эВ — это энергия [11] В.Г. Клюев, Н.И. Коробкина, Ю.В. Герасименко. ЖПС, оптического перехода.

71 (5), 633 (2004).

Оценка энергии активации процесса перелокализации [12] В.М. Белоус. Опт. и спектр., 11, 431 (1961).

зарядов во время релаксации Earl, как и в работе [12], [13] Н.И. Коробкина, О.В. Овчинников, С.С. Охотников. Тр. мопроводилась по методу Урбаха, описанному в [14].

лодых ученых, 2, 77 (Воронеж, ВГУ, 2000).

На рис. 6 приведены зависимости энергии активации [14] В.В. Антонов-Романовский. Кинетика фотолюминесценпроцесса перелокализации зарядов от концентрации (C) ции кристаллофосфоров (М., Наука, 1966).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 28 В.Г. Клюев, Ю.В. Герасименко, Н.И. Коробкина [15] М.В. Фок. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров (М., Наука, 1964).

[16] А.Н. Латышев, О.В. Овчинников, С.С. Охотников. ЖПС, 70 (6), 721 (2003).

Редактор Л.В. Шаронова Relaxation of photoexcited silver chloride V.G. Klyuev, Y.V. Gerasimenko, N.I. Korobkina Voronezh State University, 394006 Voronezh, Russia

Abstract

The relocalization of nonequlibrium charges has been observed from shallow traps to deep ones at the same time with the recombination of these charges due to thermal relaxation of the photoexcited silver chloride. The experimental dependences of parameters of the photostimulated flash of the luminescence (shone lightsum and coefficient of kinetics) on the relaxation time and on the temperature have been explained by a three levels model of the semiconductor, which holds a level of recombination, a deep level ( E 1.8eV) and a shallow level ( E 0.03 eV) of the electron localization. It has been shown that the adsorbtion of ions Ag+ is the reason for the drop of the activation energy of relocation from 0.17 eV down to 0.03 eV. This is associated with the surface nature of centers, which are responsible for the first stage of the relaxation process.

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.