WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

кинетике окисления доминирует линейная составляюТаким образом, разработана модель диффузионнощая. В результате при изохронном отжиге образцы с орисегрегационного перераспределения примеси в систеентацией (111) будут иметь большую толщину вырос ме SiO2-Si, учитывающая неравновесный характер прошего диоксида и, следовательно, в условиях неравновесцесса сегрегации на межфазной границе раздела. В ной сегрегации большие потери примеси в кремнии по условиях низкотемпературного окислительного отжисравнению с образцами, имеющими ориентацию (100), га при высоких скоростях роста диоксида модель что и иллюстрирует рис. 1. Окисление в температурном позволяет описать такие особенности перераспредедиапазоне свыше 850C характеризуется все большим ления фосфора, как захват растущим окислом пристремлением сегрегационного процесса к равновесию, что проявляется в постепенном нивелировании ориен- меси с высоким meq, минимум на температурной тационной зависимости QSi с увеличением температуры зависимости QSi(T ) и влияние ориентации кремния отжига. на QSi(T ).

Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния–кремний Список литературы [1] R.B. Fair. In: ”Impurity doping process in silicon”, ed. by F.F.Y. Wang (N.Y., North Holland Publishing Co, 1981) p. 315.

[2] D.A. Antoniadis, M. Rodoni, R.W. Dutton. J. Electrochem.

Soc., 126, 1939 (1979).

[3] О.В. Александров, Н.Н. Афонин. Изв. вузов. Физика, № 12, 97 (1990).

[4] K. Yagi, K. Oyu, M. Tamura, T. Tokuyama. Appl. Phys. Lett., 35, 275 (1979).

[5] И.П. Базаров. Термодинамика (М., Высш. шк., 1983), с. 179.

[6] А.В. Колосовский. Обзоры по электрон. техн. Сер. Полупроводниковые приборы (М., 1971) вып. 6(288).

[7] А.А. Самарский. Теория разностных схем (М., Наука, 1977).

[8] А.Ф. Буренков, Ф.Ф. Комаров, М.А. Кумахов, М.М. Темкин.

Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах (М., Энергоиздат, 1985).

[9] C.P. Ho, J.D. Plummer, S.E. Hansen, R.W. Dutton. IEEE Trans.

Electron. Dev., ED-30, 1438 (1983).

[10] О.В. Александров, Н.В. Ашкинадзе, Р.З. Тумаров. ФТТ, 26, 632 (1984).

[11] E.A. Taft. J. Electrochem. Soc., 136, 3476 (1989).

[12] C.P. Ho, J.D. Plummer, J.D. Meindl, B.E. Deal. J. Electrochem.

Soc., 125, 813 (1978).

[13] K. Sakamoto, K. Nishi, F. Ichikawa, S. Ushio. J. Appl. Phys., 61, 1553 (1987).

[14] О.В. Александров, Н.Н. Афонин. ФТП, 30, 1570 (1996).

Редактор В.В. Чалдышев Nonequilibrium phosphorus segregation in a dioxide silicon–silicon system O.V. Alexandrov, N.N. Afonin Joint-Stock Company ”Svetlana–Semiconductors”, 191156 St. Petersburg, Russia State Pedagogical University, 394043 Voronezh, Russia

Abstract

The model has been developed for diffusion-segregation dopant redistribution in SiO2–Si system at thermal silicon oxidation nonequlibrium character of the segregation on moving interface being taken into account. By a numerical analysis of experimental data were found the magnitude and a temperature dependence of phosphorus transport coefficient on SiO2–Si interface.

E-mail: friend@vspu.ac.ru (Afonin) Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.