WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ющие минимумам обнаруженных в [7] фононных осEg — ширина запрещенной зоны. В таких условиях цилляций энергетического распределения электронов.

концентрация ЭДП растет (спадает) в соответствии с Это содействует усилению транспорта электронов путем увеличением (уменьшением) температуры ЭДП [16–18].

испускания LO-фононов и, предположительно, увеличеЭто, заметим, приводит к приблизительно обратимонию плотности этих фононов. Согласно [15], увеличему изменению концентрации ЭДП и, соответственно, ние плотности LO-фононов, например, при возрастании просветления при изменении интенсивности света возтемпературы кристаллической решетки GaAs, приводит, буждающего импульса (см. [16,17]). Разогрев ЭДП благодаря электрон-фононному взаимодействию, к супроисходит из-за внутризонного поглощения как возбужению ширины запрещенной зоны Eg. Соответственждающего света [17–19], так и суперлюминесцентного но, увеличение плотности генерируемых неравновесных излучения [20,21], а также из-за того, что в суперLO-фононов, когда ex = ex,k, могло бы дополнительлюминесцентной рекомбинации участвуют электроны с но сузить запрещенную зону. Такому предположению энергией, меньшей чем средняя энергия электронов зоны соответствует наблюдавшееся неравномерное смещение проводимости [10,20,22]. Когда транспорт электронов длинноволнового края спектра излучения при увеличепутем излучения LO-фононов (и энергия излучения WsM нии ex. Это показано на рис. 4, где представлено, e в соответствии с рис. 1) возрастает при приближении как при изменении ex изменяется энергия фотона c, ex снизу к ex,k, то усиливается передача энергии при которой энергия излучения на длинноволновом краю от ЭДП к кристаллической решетке путем излучения спектра равна 0.04.

LO-фононов. Соответственно, происходящие при увелиНа рис. 5 представлены зависимость от ex просвечении ex разогрев ЭДП и определяемый им рост контления, измеренного во время возбуждающего импульса центрации ЭДП замедляются. Изменение концентрации при фиксированной энергии фотона зондирующего света ЭДП определяет в основном изменение просветления p > ex. Сравнение с зависимостью WsM( ex) в присутствии суперлюминесценции, как это показано обнаруживает, что приблизительно в одних и тех же в [16]. Так что описанный выше механизм замедления интервалах значений ex графики зависимостей излуроста концентрации ЭДП при приближении ex снизу к чения и просветления от ex имеют противоположные ex,k объясняет и соответствующее изменение просвезнаки кривизны. Это означает, что когда по мере увелитления. При возрастании ex от энергии ex,k ситуация чения ex рост излучения замедляется, то просветление обратная изложенной. Транспорт электронов путем излуначинает расти быстрее; а когда излучение начинает чения LO-фононов (и возрастание энергии излучения WsM расти быстрее, то замедляется рост просветления. Иначе в соответствии с рис. 1) ослабевает. Передача энергии говоря, при увеличении ex изменение скоростей роста энергии излучения WsM и роста просветления имеют про- от ЭДП к кристаллической решетке путем излучения LO-фононов ослабевает. Соответственно, происходящие тивоположные знаки при одних и тех же значениях ex.

Обнаруженная корреляция между изменениями про- при увеличении ex разогрев ЭДП и определяемый им рост концентрации ЭДП и просветления усиливаются.

светления и энергии излучения WsM предположительно объясняется следующим. Концентрация ЭДП контроли- Интересно отметить, что когда в работе [23] стимулируется рекомбинационной суперлюминесценцией и при- рованное суперлюсинесценцией рамановское рассеяние близительно (если пренебречь отклонениями от ква- возбуждающего света с участием плазмонов приводило к зиравновесного распределения) удовлетворяет условию усилению суперлюминесценции, то просветление (соотФизика и техника полупроводников, 1999, том 33, № Влияние энергетического транспорта электронов путем излучения оптических фононов... из-за усиления энергетического транспорта электронов с излучением LO-фонона, когда ex приближается снизу к ex,k=1.

На вставке к рис. 5 показана зависимость просветления от ex, измеренная при времени отставания зондирующего импульса от возбуждающего d = 12 пс. Видно, что особенностей (локальных изменений кривизны) в области ex > 1.44 эВ нет, а особенность (отклонение от расчетной кривой [22]) близи ex1 становится менее явно выраженной, при уменьшении энергии Dex эта особенность перестает наблюдаться [22]. Через 20 пс окончания возбуждения достигается остаточный уровень просветления, не зависящий от ex > Eg [10]. Исчезновение особенностей на зависимости просветления от ex происходит, таким образом, при спадании интенсивности возбуждающего света (при увеличении d).

Отметим, что упоминавшиеся в начале статьи фононные Рис. 5. Зависимость просветления GaAs от ex при осцилляции в энергетическом распределении носителей энергии фотона зондирующего импульса p = 1.557 эВ, в работе [7] проявлялись тоже по мере увеличения Dex = 1 отн. ед.: треугольники —- d = 6пс, F = 0.56 мм;

энергии возбуждающего импульса.

точки — d = 0пс, F = 0.5 мм; здесь d — время заВ целом экспериментальные результаты, полученные держки зондирующего импульса относительно возбуждающего в настоящей работе и работе [7], указывают, что в стиимпульса. Штрихпунктирная линия — график WsM = f ( ex) мулированном интенсивной суперлюминесценцией энер(взято из рис. 1). Штриховая линия — расчетная зависимость гетическом транспорте фотогенерируемых электронов 1 lg(T /T ) = f ( ex) при интенсивности возбуждающего в GaAs могут принимать заметное участие процессы света — 250 МВт/см2 (взято из работы [22]). На вставке — излучения LO-фононов. Участие этих процессов в энерзависимость просветления GaAs от ex при d = 12 пс, гетическом транспорте может, согласно предложенной в F = 0.5 мм, Dex = 1 отн. ед., p = 1.557 эВ.

указанных работах интерпретации, оказывать некоторое влияние на суперлюминесценцию, разогрев и концентрацию ЭДП, энергетическое распределение электронов, ветственно, и концентрация ЭДП) возрастало благодаря просветление, плотность неравновесных LO-фононов.

усилению разогрева ЭДП.

Настоящая работа выполнена при финансовой подВозможно, что предложенное выше объяснение обнадержке РФФИ (проект 98-02-17377)и ГКНТ России.

руженной корреляции между изменениями просветления и энергии излучения WsM не является исчерпывающим.

Авторы глубоко признательны Ю.Д. Калафати, Но более скурпулезное исследование этого вопроса, В.И. Перелю и Г.Н. Шкердину за подробное обсуждение учитывающее, например, изменение спектра усиления результатов работы и полезные советы.

света в GaAs при изменении разогрева ЭДП и т. д., нуждается в дальнейших экспериментах.

Список литературы На рис. 5 показан пунктиром характерный вид зависимости просветления от ex < 1.44 эВ, рассчитанной [1] D.N. Mirlin, I.Ya. Karlik, L.P. Nikitin, I.I. Reshina, V.F. Sapega.

в [22] в предположении, что разность энергий, при Sol. St. Commun., 37, 757 (1981).

которых электрон рождается и рекомбинирует, остается [2] C.I. Peterse, S.A. Lyon. Phys. Rev. Lett., 65, 760 (1990).

в ЭДП после рекомбинации электрона. Видно, что на [3] D.N. Mirlin, V.I. Perel’. In: Spectroscopy of Nonequilibrium расчетной зависимости просветление непрерывно возраElectrons and Photons, ed. by C.V. Shank and стает по мере увеличения ex. На экспериментальной B.P. Zakharchenya (Elsevier Science Publishers B.V., 1992) p. 269.

кривой в интервале ex 1.409-1.425 эВ роста просве[4] J.A. Kash. Phys. Rev. B, 40, 3455 (1989).

тления практически не происходит, а наблюдается даже [5] O.I. Imambecov, S.E. Kumekov. In: All Union Conf. on небольшой локальный минимум при ex,k=1 = 1.423 эВ.

Physics of Semiconductors (ELM Publishers, Baku, 1982) Начиная с ex 1.409-1.425 эВ, измеренное проv. 2. p. 204.

светление возрастает при увеличении ex быстрее, [6] С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ФТП, 16, 2001 (1982).

чем на расчетной кривой. Такое отличие расчетной и [7] I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel’. Sol. St. Commun., экспериментальной зависимостей наблюдалось еще в 94, 805 (1995).

работе [22], где оно становилось все более явственным [8] I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, T.A. Nalet. Sol. St. Commun., по мере увеличения плотности энергии возбуждающего 98, 903 (1996).

импульса Dex. Различие расчетной и экспериментальной [9] C.L. Collins, P.Y. Yu. Sol. St. Commun., 51, 123 (1984).

кривых теперь можно объяснить рассмотренным выше [10] N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, E.G. Dyadyushkin, V.A. Mironov, замедлением роста концентрации ЭДП и просветления S.E. Kumekov, V.I. Perel’. Sol. St. Commun., 72, 625 (1989).

2 Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 18 И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов [11] D. Hulin, M. Joffre, A. Migus, J.L. Oudar, J. Dubard, F. Alexandre. J. de Physique, 48, 267 (1987).

[12] Н.Н. Агеева, И.Л. Броневой, Е.Г. Дядюшкин, Б.С. Явич.

Письма ЖЭТФ, 48, 252 (1988).

[13] И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, вып. 5. (1998).

[14] L.W. Casperson. J. Appl., 48, 256 (1977).

[15] Y.P. Varshni. Physica, 34, 149 (1967); M.B. Panish, H.C. Casey. J. Appl. Phys., 40, 163 (1969).

[16] N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel’. In: Mode–Locked Lasers and Ultrafast Phenomena, ed. by G.B. Altshuler, Proc. SPIE 1842, (1992).

[17] И.Л. Броневой, С.Е. Кумеков, В.И. Перель. Письма ЖЭТФ, 43, 368 (1986).

[18] N.N. Ageeva, V.A. Borisov, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel’, B.S. Yavich. Sol. St. Commun., 75, 167 (1990).

[19] С.Е. Кумеков, В.И. Перель. ЖЭТФ, 50, 462 (1989).

[20] Ю.Д. Калафати, В.И. Кокин. ЖЭТФ, 99, 1793 (1991).

[21] И.Л. Броневой, А.Н. Кривоносов. ФТП, 32, вып. 5. (1998).

[22] N.N. Ageeva, I.L. Bronevoi, V.A. Mironov, S.E. Kumekov, V.I. Perel’. Sol St. Commun., 81, 969 (1992).

[23] I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov, V.I. Perel’. Sol. St. Commun., 94, 363 (1995).

Редактор В.В. Чалдышев Influence of energy transport of electrons through optical phonon emission on superluminescence and reversible bleaching of a GaAs thin layer excited by powerful picosecond light pulse I.L. Bronevoi, A.N. Krivonosov Institute of Radioengineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, 103907 Moscow, Russia

Abstract

The bleaching and superluminescence of GaAs that arise under interband absorption of a powerful picosecond light pulse have been studied experimentally as a function of the photon energy ex of the light pulse. Bleaching (transparency increase) is mainly a result of the concentration gain of photogenerated electron-hole plasma (EHP). It has been found: when the spacing bitween the energy level where the electrons come into being in the conduction band, and the level from which they (being stimulated) is multiple to the longitudinal phonon energy, then:

1) recombination superluminescence enhances, 2) the rise of bleaching under the ex increase slows down, 3) the edge of the radiation spectrum shifts more intensively to the infrared side.

These effects are qualitatively explained by an increase in the share of transitions throughout LO-phonon emission in the electron energy transport to conduction band bottom and the influence of the above said on EHP heating and the nonequilibrium LO-phonon density.

Fax: (095) 203–8414 (Bronevoi) E-mail: bil@mail.cplire.ru (Bronevoi) Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.