WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Список литературы [1] P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, Рис. 3. Поглощение Y СВЧ мощности при варьировании 5821 (1997).

магнитного поля для структур с толщиной слоя GaSb : Mn [2] М.И. Алиев, Г.И. Сафаралиев, А.Н. Гулиев, И.Ш. Дада70 нм (1, 2) и 140 нм (3, 4) при ориентации магнитного поля шев, Б.Н. Мардахаев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 10, перпендикулярно (1, 3) и параллельно (2, 4) плоскости образца.

1778 (1974).

Температура измерения: a — 293 K, b —77 K.

[3] T. Adhikari, S. Basu. J. Magn. Magn. Mater., 161, 282 (1996).

[4] F. Matsukura, E. Abe, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Surf. Sci., 159–160, 265 (2000).

[5] F. Matsukura, E. Abe, H. Ohno. J. Appl. Phys., 87, ЭПР относятся к твердому раствору Mn на месте галлия 6442 (2000).

с конфигурацией 3d5 в S5/2-состоянии в промежутках [6] F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, Y. Sugawara. Phys. Rev. B, между включениями. Наличие линии с g-фактором 57, R2037 (1998).

(рис. 3, a, плечо на кривой 3 около 0.3 Тл) свидетель[7] Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгествует о существовании областей, где ферромагнитная новская дифрактометрия и топография (СПб., Наука, фаза почти не вносит вклада в суммарное с внешним 2002).

[8] S. Basu, T. Adhikari. J. Alloys Comp., 205, 81 (1994).

магнитное поле. Широкие линии ЭПР с g-фактором [9] Е.В. Кучис. Гальвано-магнитные эффекты и методы их около 4 (рис. 3, a, кривые 1, 2 и 4 с максимумом исследования (М., Радио и связь, 1990).

около 0.17 Тл), вероятно, относятся к доле одиночных [10] Е.С. Демидов. ФТТ, 34, 37 (1992).

атомов марганца около ферромагнитных включений, [11] Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., магнитное поле которых, складываясь с внешним полем, Наука, 1978).

создает низкополевой сдвиг ЭПР. Из рис. 3, a видно, [12] K.W. Edmonds, R.P. Campion, K.-Y. Wang, A.C. Newmann, что при комнатной температуре до 0.45 Тл признаки B.L. Gallagher, C.T. Foxon, P.C. Main. J. Appl. Phys., 93, ФМР проявляются только в более толстом слое, хотя 6787 (2003).

анизотропия ЭПР видна и в структуре с тонким слоем.

Редактор Л.В. Шаронова Поскольку исследование СВЧ поглощения относится только к структурам, выращенным при Tg = 440C, вывод о возможном существовании фазы MnSb нельзя отнести к пленкам, выращенным при низких температурах (Tg = 200C). Аномальный эффект Холла не может быть связан с существованием преципитатов [12], поэтому логичным было бы предположить существование Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 12 Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, Ю.Н. Дроздов, В.П. Лесников, В.В. Подольский Properties of GaSb : Mn layers fabricated by the laser plasma deposition Yu.A. Danilov, E.S. Demidov, Yu.N. Drozdov, V.P. Lesnikov+, V.V. Podolskii+ Nizhni Novgorod State University, 603950 Nizhny Novgorod, Russia The Institute for Physics of Microctructures, Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia + Physico-Technical Research Institute NNSU, 603950 Nizhny Novgorod, Russia

Abstract

X-Ray diffraction, electrical and magnetic characteristics of GaSb : Mn layers, deposited on GaAs (100) by laser plasma technique in vacuum, are investigated. It has been shown that the films grown at 200-440C are epitaxial mosaic singlecrystals.

The Mn-doped (as high as 4at.%) layers have the p-type conductivity with the hole concentration above 1 · 1019 cm-3. The structures with GaSb : Mn that have been grown at 200 C have an anomalous Hall effect. The layers GaSb : Mn grown at 440C exhibit a normal Hall effect, but their annealing by the 25 ns laser pulse ( = 0.68 µm) causes an enhancement of the hole concentration and appearance of the room temperature anomalous Hall effect. The magnetic measurements performed in the 3-cm EPR spectrometer confirm that the films are ferromagnetic at 293 K and have the magnetic anisotropy.

Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.