WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||

Stony Brook, NY 11794-2350, USA [73] В.В. Осипов, Т.И. Соболева, М.Г. Фойгель. ЖЭТФ, 75 (9), 1044 (1978).

[74] Л.В. Асрян, С.Г. Петросян, А.Я. Шик. Письма ЖЭТФ,

Abstract

Review of a comprehensive theory of threshold 45 (4), 187 (1987) [L.V. Asryan, S.G. Petrosyan, A.Ya. Shik.

characteristics of injection quantum dot (QD) lasers is presented JETP Lett., 45 (4), 232 (1987)].

that provides the basis for their design optimization. The [75] Л.В. Асрян, С.Г. Петросян, А.Я. Шик. ФТП, 21 (10), dependences of the gain, transparency current, threshold current, (1987) [L.V. Asryan, S.G. Petrosyan, A.Ya. Shik. Sov. Phys.

characteristic temperature, and multimode generation threshold on Semicond., 21 (10), 1070 (1987)].

the QD ensemble parameters (surface density and size-dispersion [76] N.N. Ledentsov, V.A. Shchukin, M. Grundmann, N. Kirsof QDs), cavity (stripe length and thickness of the waveguide tdter, J. Bhrer, O. Schmidt, D. Bimberg, V.M. Ustiregion), heterocontacts (band offsets), and on the temperature nov, A.Y. Egorov, A.E. Zhukov, P.S. Kop’ev, S.V. Zaitsev, are considered in detail. The limiting characteristics of the laser N.Y. Gordeev, Zh.I. Alferov, A.I. Borovkov, A.O. Kosogov, (optimum parameters of the structure, minimum threshold current S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gsele, J. Heydenreich. Phys.

Rev. B, 54 (12), 8743 (1996). density, and characteristic temperature for the optimized structure) [77] M. Sopanen, M. Taskinen, H. Lipsanen, J. Ahopelto. Proc.

are thoroughly discussed. The results of an analysis presented offer 23rd Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, Germany, 1996) direct recommendations for the practical realization of QD lasers v. 2, p. 1409.

outperforming significantly semiconductor lasers used at present.

[78] E.S.-M. Tsui, P. Blood, A.I. Kucharska. Semicond. Sci.

Technol., 5 (4), 333 (1990).

[79] L.V. Asryan, N.A. Gun’ko, A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya, R.A. Suris. P.-K. Lau, T. Makino. Semicond. Sci. Technol., 15 (12), 1131 (2000).

[80] D.A. Ackerman, G.E. Shtengel, M.S. Hybertsen, P.A. Morton, R.F. Kazarinov, T. Tanbun-Ek, R.A. Logan. IEEE J. Select.

Top. Quant. Electron., 1 (2), 250 (1995).

[81] S. Seki, H. Oohashi, H. Sugiura, T. Hirono, K. Yokoyama.

IEEE J. Quant. Electron., 32 (8), 1478 (1996).

[82] J.I. Pankove. IEEE J. Quant. Electron., 4 (4), 119 (1968).

[83] O. Stier, M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Rev. B, 59 (8), 5688 (1999).

[84] C.H. Henry, R.A. Logan, F.R. Merritt. J. Appl. Phys., 51 (6), 3042 (1980).

[85] J.J. Coleman, K.J. Beernink. J. Appl. Phys., 75 (4), (1994).

[86] H. Statz, C.L. Tang, J.M. Lavine. J. Appl. Phys., 35 (9), (1964).

[87] M.A. Alam. IEEE J. Quant. Electron., 33 (6), 1018 (1997).

Физика и техника полупроводников, 2004, том 38, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.