WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||

[62] A.P. Vlasov, B.S. Sokolovskii, L.S. Monastyrskii, O.Yu. Bon[34] D.D. Edwall, R.E. De Wames, W.V. McLevige, J.G. Pasko, chyk, A. Barcz. Thin Sol. Films, 459, 28 (2004).

J.M. Arias. J. Electron. Mater., 27, 698 (1998).

[63] D.D. Edwall, E. Piquette, J. Ellsworth, J. Arias, C.H. Swartz, [35] P.S. Wijewarnasuriya, J.P. Faurie, S. Sivananthan. J. Cryst.

L. Bai, R.P. Tomkins, N.C. Giles, T.H. Myers, M. Berding.

Growth, 159, 1136 (1996).

J. Electron. Mater., 33, 752 (2004).

[36] C.D. Maxey, I.G. Gale, J.B. Clegg, P.A.C. Whiffin. Semicond.

[64] M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde. J. Electron.

Sci. Technol., 8, S183 (1993).

Mater., 24, 1127 (1995).

[37] V.S. Varavin, V.V. Vasiliev, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, [65] M.A. Berding, A. Sher, M. Van Schilfgaarde, A.C. Chen, V.N. Ovsyuk, Yu.G. Sidorov, A.O. Suslyakov, M.V. Yakushev, J. Arias. J. Electron. Mater., 27, 605 (1998).

A.L. Aseev. Opto-Electron. Rev., 11 (2), 99 (2003).

[66] M.A. Berding, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 74, 685 (1999).

[38] Yu.G. Sidorov, S.A. Dvoretsky, M.V. Yakushev, N.N. Mi[67] H.F. Schaake. J. Appl. Phys., 88, 1765 (2000).

khailov, V.S. Varavin, V.I. Liberman. Thin Sol. Films, 306, [68] H.F. Schaake. J. Electron. Mater., 30, 789 (2001).

(1997).

[69] S.H. Shin, J.M. Arias, M. Zandian, J.G. Pasko, L.O. Bubulac, [39] S. Murakami, T. Okamoto, K. Maruyama, H. Takigawa. Appl.

R.E. De Wames. J. Electron. Mater., 24, 609 (1995).

Phys. Lett., 63, 899 (1993).

[70] C.H. Grein, J.W. Garland, S. Sivananthan, P.S. Wije[40] P. Mitra, Y.L. Tyan, T.R. Schimert, F.C. Case. Appl. Phys. Lett., warnasuriya, F. Aqariden, M. Fuchs. J. Electron. Mater., 28, 65, 195 (1994).

789 (1999).

[41] R.G. Benz II, A. Conte-Matos, B.K. Wagner, C.J. Summers.

[71] S. Sivananthan, P.S. Wijewarnasuriya, F. Aqariden, H.R. VyAppl. Phys. Lett., 65, 2836 (1994).

dyanath, M. Zandian, D.D. Edwall, J.M. Arias. J. Electron.

[42] P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine, R. Starr, M.H. Weiler. J. Cryst.

Mater., 26, 625 (1997).

Growth, 170, 542 (1997).

[72] P. Capper. Properties of Narrow Gap Cadmium-based [43] J.H. Song, J.w. Kim, M.J. Park, J.S. Kim, K.U. Jung, S.H. Suh.

Compounds. EMIS Data Reviews Series, No. 10, ed. P. CapJ. Cryst. Growth, 184–185, 1232 (1998).

per (INSPEC, London, 1994) p. 246.

[44] F. Goschenhofer, J. Gerschtz, A. Pfeuffer-Jeschke, [73] S. Krishnamurthy, T.N. Casselman. J. Electron. Mater., 29, R. Hellmig, C.R. Becker, G. Landwehr. J. Electron. Mater., (2000).

27, 532 (1998).

[74] M.A. Kinch, D. Chandra, H.F. Schaake, H.-D. Shih, [45] C.D. Maxey, J.P. Camplin, I.T. Guilfoy, J. Gardner, F. Aqariden. J. Electron. Mater., 33, 590 (2004).

R.A. Lockett, C.L. Jones, P. Capper, M. Houlton, N.T. Gordon.

[75] П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. КоробJ. Electron. Mater., 32, 656 (2003).

кин, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров. ФТП, 38, 1203 (2004);

[46] P. Mitra, F.C. Case, M.B. Reine. Journ. Electron. Mater., 27, П.А. Бахтин, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, А.П. Короб510 (1998).

кин, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров. ФТП, [47] M. Zandian, A.C. Chen, D.D. Edwall, J.G. Pasko, J.M. Arias.

Appl. Phys. Lett., 71, 2815 (1997). 38, 1207 (2004).

[48] F. Aqariden, H.D. Shih, M.A. Kinch, H.F. Schaake. Appl. Phys. [76] A.J. Ciani, S. Ogut, I.P. Batra. J. Electron. Mater., 33, Lett., 78, 3481 (2001). (2004).

Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып. 22 К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский [77] Y. Selamet, Y.D. Zhou, J. Zhao, Y. Chang, C.R. Becker, The doping of epitaxial layers R. Ashokan, C.H. Grein, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., and heterostructures based on HgCdTe 33, 503 (2004).

(a review article) [78] M. Chu, S. Terterian, P.C.C. Wang, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, D.-S. Pan. Proc. SPIE Opt. Soc. Eng., 4454, K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii (2001).

Ioffe Physicotechnical Institute, [79] A. Uedono, K. Ozaki, H. Ebe, T. Moriya, S. Tanigawa, Russian Academy of Sciences, K. Yamamoto, Y. Miyamoto. Jap. J. Appl. Phys., 36, 194021 St. Petersburg, Russia (1997).

[80] H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto. J. Cryst. Growth, 214–215, 275 (2000).

Abstract

The survey includes papers considering doping of [81] K. Ortner, X.C. Zhang, S. Oehling, J. Gerschtz, epitaxial layers of solid solutions HgCdTe and heterostructures A. Pfeuffer-Jeschke, V. Hock, C.R. Becker, G. Landwehr, base on this material. The main trends in the development of L.W. Molenkamp. Appl. Phys. Lett., 79, 3980 (2001).

HgCdTe doping technology that formed as a consequence of a [82] K. Ortner, X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, transition from device structures based on bulk crystals to those G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 66, 075 based on epitaxial films are analyzed. The features of doping (2002).

HgCdTe layers grown by liquid phase epitaxy, metal-organic [83] C.R. Becker, X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, vapor-phase deposition and molecular beam epitaxy are reviewed.

V. Latussek, V. Daumer, G. Landwehr, L.W. Molenkamp.

Electrical properties of doped layers are considered. Modern J. Alloys Comp., 371, 6 (2004).

consideration of intrinsic defects in HgCdTe and their effect on [84] X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, the material properties are being discussed briefly.

H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001).

[85] D. Chandra, H.F. Schaake, J.H. Tregilgas, F. Aqariden, M.A. Kinch, A.J. Syllaios. J. Electron. Mater., 29, 729 (2000).

[86] V.V. Bogoboyashchyy, K.R. Kurbanov. J. Alloys Comp., 371, 97 (2004).

[87] D. Shaw, P. Capper. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 11 (2), 169 (2000).

[88] N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchyy, I.I. Izhnin, K.R. Kurbanov, A.P. Vlasov, V.A. Yudenkov. Proc. SPIE Int. Soc. Opt.

Eng., 5136, 424 (2003).

[89] E. Finkman, Y. Nemirovsky. J. Appl. Phys., 59, 1205 (1986).

[90] W. Hoerstel, A. Klimakow, R. Kramer. J. Cryst. Growth, 101, 854 (1990).

[91] Y.L. Tyan, T.R. Schimert, L.T. Claiborne. J. Vac. Sci. Technol.

B., 10, 1560 (1992).

[92] V.I. Ivanov-Omskii, K.E. Mironov, K.D. Mynbaev. Semicond.

Sci. Technol., 8, 634 (1993).

[93] S. Terterian, M. Chu, S. Mesropian, H.K. Gurgenian, M. Ngo, C.C. Wang. J. Electron. Mater., 31, 720 (2002).

[94] N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, Yu.S. Ilyina, A.P. Vlasov. Surf. and Coat. Technol., 158–159, (2002).

[95] N.N. Berchenko, V.V. Bogoboyashchiy, I.I. Izhnin, A.P. Vlasov.

Phys. Status Solidi (b), 229, 279 (2002).

[96] К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 37, 1153 (2003).

[97] K.D. Mynbaev, V.I. Ivanov-Omskii. J. Alloys Comp., 371, (2004).

[98] В.В. Богобоящий, И.И. Ижнин. Изв. вузов. Физика, 43 (8), 16 (2000).

[99] M.A. Berding. M. Van Schilfgaarde, A. Sher. Phys. Rev. B, 50, 1519 (1994).

Редактор Т.А. Полянская Физика и техника полупроводников, 2006, том 40, вып.

Pages:     | 1 |   ...   | 5 | 6 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.