WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||

перекрывать новые диапазоны энергетического спектра.

Naturforsch., 8а, 248 (1953).

Наиболее развитая система InGaAs–GaAs уже нашла [7] Н.А. Горюнова. Автореф. дис. (ЛГУ, ФТИ, 1951);

применение для значительного усовершенствования хаА.И. Блюм, Н.П. Мокровский, А.Р. Регель. Тр. VII конф.

рактеристик полупроводниковых лазеров. Недавно кванпо свойствам полупроводников (Киев, 1950) [Изв. АН товые точки II-го рода GaSb–GaAs были сформированы СССР. Сер. физ., XVI, 139 (1952).] Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № История и будущее полупроводниковых гетероструктур [8] W. Shokley. US Patent 2569347, September 25 (1951). of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures [9] А.И. Губанов. ЖТФ, 20, 1287 (1950); ЖТФ, 21, 304 (1951). (Budapest, October 1970) [Academiai Kiado, 1, 93 (1971)].

[10] H. Kroemer. Proc. JRE, 45, 1535 (1957); RCARev., 28, 332 [31] G.A. Antipas, R.L. Moon, L.W. James, J. Edgecumbe, (1957).

R.L. Bell. Conf. Ser. IOP, 17, 48 (1973).

[11] Ж.И. Алферов, Р.Ф. Казаринов. А. c. № 181737, заявка [32] L. James, G. Antipas, R. Moon, J. Edecumbe, R.L. Bell. Appl.

№ 950840 с приоритетом от 30 марта 1963; H. Kroemer.

Phys. Lett., 22, 270 (1973).

Proc. IEEE, 51, 1782 (1963) (Submitted October 14, 1963).

[33] А.П. Богатов, Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, П.Г. Ели[12] Ж.И. Алферов, В.Б. Халфин, Р.Ф. Казаринов. ФТТ, 8, сеев, Б.Н. Свердлова, Е.Г. Шевченко. Квант. электрон., 1, (1966) (Послана в печать 20 апреля 1966).

2294 (1974); J.J. Hsieh. Appl. Phys. Lett., 28, 283 (1976).

[13] Ж.И. Алферов. ФТП, 1, 436 (1967). (Послана в печать [34] Ж.И. Алферов, И.Н. Арсентьев, Д.З. Гарбузов, С.Г. Конни ноября 1966).

ков, В.Д. Румянцев. Письма ЖТФ, 1, 305 (1975) (Послана [14] L. Anderson. IBM J. Res. Develop., 4, 283 (1960); Sol. St.

в печать 23 января 1975); Письма ЖТФ, 1, 406 (1975) Electron., 5, 341 (1962).

(Послана в печать 26 февраля 1975); W.R. Hitchens, [15] G. Natta, L. Passerini. Gazz. Chim. Ital., 58, 458 (1928);

N. Holonyak Jr., P.D. Wright, J.J. Coleman. Appl. Phys. Lett., V.M. Goldschmidt. Trans. Farad. Soc., 25, 253 (1929).

27, 245 (1975) (Submitted May 23, 1975).

[16] Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, В.С. Григорьева, Ю.В. Жи [35] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Р.Ф. Казаринов, Е.Л. Порт ляев, Л.В. Крадинова, В.И. Корольков, Е.П. Морозов, ной, Р.А. Сурис. А. с. № 392875, заявка № 1677436 с О.А. Нинуа, Е.Л. Портной, В.Д. Прочухан, М.К. Трукан.

приоритетом от 19 июля 1971.

ФТТ, 9, 279 (l967) (Послана в печать 15 июля 1966).

[36] H. Kogelnik, C.V. Shank. Appl. Phys. Lett., 18, 152 (1971).

[17] Ж.И. Алферов, Ю.В. Жиляев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 5, [37] Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 6, 1359 (1972).

(1971) (Послана в печать 10 cентября 1970).

[38] Ж.И. Алферов С.А. Гуревич, Р.Ф. Казаринов, М.Н. Ми [18] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Д.Н. Тре зеров, Е.Л. Портной, Р.П. Сейсян, Р.А. Сурис. ФТП, 8, тьяков, В.М. Тучкевич. ФТП, 1, 1579 (1967) (Послана 832 (1974); Ж.И. Алферов, С.А. Гуревич, Н.В. Клепикова, в печать 18 мая 1967); H.S. Rupprecht, I.M. Woodall, В.И. Кучинский, М.Н. Мизеров, Е.Л. Портной. Письма G.D. Pettit. Appl. Phys. Lett., 11, 81 (1967) (Submitted June ЖТФ, 1, 645 (1975).

19, 1967).

[39] M. Nakamura, A. Yariv, H.W. Yen, S. Somekh, H.L. Garvin.

[19] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Порт Appl. Phys. Lett., 22, 315 (1973).

ной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1016 (1968) (Послана в [40] D.R. Scifres, R.D. Burnham, W. Streifer. Appl. Phys. Lett., 25, печать 13 сентября 1967).

203 (1974).

[20] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Порт [41] H. Kroemer, G. Griffiths. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL-4, ной, Д.Н. Третьяков. ФТП, 2, 1545 (1968) (Послана в 20 (1983).

печать 5 мая 1968).

[42] А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рога[21] a) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, чев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20, 2217 (1986).

Е.Л. Портной, Д.Н. Третьяков. Тр. IX межд. конф. по [43] A.Y. Cho. J. Vac. Sci. Technol., 8, 31 (1971); A.Y. Cho. Appl.

полупроводниковым структурам (Москва, 23–29 июля Phys. Lett., 19, 467 (1971).

1968) (Л., Наука, 1969) 1, 534; b) Zh.I. Alferov. Proc.

[44] H.M. Manasevit. Appl. Phys. Lett., 12, 156 (1968).

Int. Conf. on Luminescence (Newark, Delaware USA, [45] R.D. Dupuis, P.D. Dapkus. Appl. Phys. Lett., 31, 466 (1977).

August 25–29, 1969); J. Luminesc., 1, 2, 869 (1970);

[46] R. Dingle, W. Wiegmann, C.H. Henry. Phys. Rev. Lett., 33, c) Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, Е.П. Морозов, Е.Л. Порт 827 (1974).

ной. ФТП, 3, 1054 (1969); d) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, [47] L. Esaki, R. Tsu. IBMJ. Res. Dev., 14, 61 (1970).

В.И. Корольков, Е.Л. Портной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, [48] Л.В. Келдыш. ФТТ, 4, 2265 (1962).

(1969).

[49] Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис. ФТП, 5, 707 (1971); ФТП, 6, [22] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Е.Л. Портной, М.К. Трукан.

120 (1972); ФТП, 7, 347 (1973).

ФТП, 3, 1328 (1969) (Послана в печать 30 декабря 1968).

[50] R. Tsu, L. Esaki. Appl Phys. Lett., 22, 562 (1973).

[23] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, Е.Л. Порт [51] G. Osbourn. J. Appl. Phys., 53, 1586 (1982).

ной, А.А. Яковенко. ФТП, 3, 930 (1969) (Послана в печать [52] M. Ludowise, W.T. Dietze, C.R. Lewis, M.D. Camras, 26 декабря 1968).

N. Holonyak, B.K. Fuller, M.A. Nixon. Appl. Phys. Lett., 42, [24] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, М.В. Каган, И.И. Протасов, 487 (1983).

В.Г. Трофим. ФТП, 4, 2378 (1970) (Послана в печать [53] L.L. Chang, L. Esaki, W.E. Howard, R. Ludke. J. Vac. Sci.

июня 1970).

Technol., 10, 11 (1973).

[25] Ж.И. Алферов, Ф.А. Ахмедов, В.И. Корольков, В.Г. Ники [54] L.L. Chang, L. Esaki, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 24, 593 (1974).

тин. ФТП, 7, 1159 (1973).

[55] L. Esaki, L.L. Chang. Phys. Rev. Lett., 33, 686 (1974).

[26] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.И. Корольков, В.Г. Ники [56] J.R. Shriffer. Semiconductor Surface Physics, ed. by тин, А.А. Яковенко. ФТП, 4, 578 (1970).

R.H. Kingston (University of Pennsylvania Press, Philadel[27] I. Hayashi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-31, 1630 (1984).

phia) p. 68.

[28] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Ю.В. Жиляев, [57] A.B. Fowler, F.F. Fang, W.E. Howard, P.J. Stilee. Phys. Rev.

Е.П. Морозов, Е.Л. Портной, В.Г. Трофим. ФТП, 4, Lett., 16, 901 (1966).

(1970) (Послана в печать 6 мая 1970).

[58] V.N. Lutskii. Phys. St. Sol. (a), 1, 199 (1970).

[29] I. Hayashi, M.B. Panish, P.W. Foy, S. Sumski. Appl. Phys. Lett., 17, 109 (1970) (Submitted June 8, 1970). [59] R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard, W. Wiegmann. Appl.

[30] Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, S.G. Konnikov, V.G. Nikitin, Phys. Lett., 33, 665 (1978).

D.N. Tret’akov. Proc. Int. Conf. on Physics and Chemistry [60] D. Delagebeaudeuf et al. Electron. Lett., 16, 667 (1980).

2 Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, № 18 Ж.И. Алферов [61] T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fuji, K.A. Nanbu. Jpn. J. Appl. А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг. ФТП, 30, Phys., 19, L225 (1980). 357 (1996).

[62] J.P. van der Ziel, R. Dingle, R.C. Miller, W. Wiegmann, [89] V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Phys.

W.A. Nordland Jr. Appl. Phys. Lett., 26, 463 (1975). Rev. Lett., 75, 2968 (1995); V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, [63] R.D. Dupuis, P.D. Dapkus, N. Holonyak Jr., E.A. Rezek, M. Grundman, P.S. Kop’ev, D. Bimberg. Surf. Sci. (1996).

R. Chin. Appl. Phys. Lett., 32, 295 (1978). [90] Ж.И. Алферов, Н.А. Берт, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, [64] W.T. Tsang. Appl. Phys. Lett., 40, 217 (1982). П.С. Копьев, А.О. Косогов, И.Л. Крестников, Н.Н. Леден[65] E. Rezek, H. Shichijo, B.A. Vojak, N. HolonyakJr. Appl. Phys. цов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, А.В. Сахаров, В.М. УстиLett., 31, 534 (1977). нов, А.Ф. Цацульников, Ю.М. Шерняков, Д. Бимберг.

[66] Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, И.Н. Арсентьев, Б.Я. Бер, ФТП., 30, 351 (1996).

Л.С. Вавилова, В.В. Красовский, А.В. Чудинов. ФТП, 19, [91] M. Grundman et al. Phys. Rev. Lett., 74, 4043 (1995).

1108 (1985). [92] N. Kirstaedter et al. Electron. Lett., 30, 1416 (1994).

[67] Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, А.А. Воднев, С.Г. Конни- [93] М.В. Максимов и др. ФТП, 31, 670 (1997).

ков, В.Р. Ларионов, К.Ю. Погребицкий, В.Д. Румянцев, [94] М. Grundman et al. Proc. 8th Int. Conf. on Indium В.П. Хвостиков. Письма ЖТФ, 12, 1089 (1986). Phosphide and Related Materials (Schwabish Gmund, [68] Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, К.Ю. Кижаев, А.Б. Ни- Germany, 1996).

вин, С.А. Никишин, А.В. Овчинников, З.П. Соколова, [95] V.M. Ustinov et al. IX Int. Conf. on MBE (Malibu, USA, И.С. Тарасов, А.В. Чудинов. Письма ЖТФ, 12, 210 (1986); August 1996) (Proceedings to be published in J. Cryst.

Growth).

Ж.И. Алферов, Д.З. Гарбузов, С.В. Зайцев, А.Б. Нивин, А.В. Овчинников, И.С. Тарасов. ФТП, 21, 914 (1987). [96] F. Hatami, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, J. Bhrer, F. Heinrichsdorff, M. Beer, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 67, [69] Ж.И. Алферов, Н.Ю. Антонишкис, И.Н. Арсентьев, 656 (1995).

Д.З. Гарбузов, В.И. Колышкин, Т.Н. Налет, Н.А. Стругов, А.С. Тикунов. ФТП, 22, 1031 (1988); D.Z. Garbuzov et al.

Редактор В.В.Чалдышев Technical Digest CLEO, paper THU44, 396 (1988).

[70] D.Z. Garbuzov et al. Conf. Digest 12th Int. Semicond. Laser The History and Future of Semiconductor Conf. (Davos, Switzerland, 1990) р.238.

[71] Ж.И. Алферов, А.И. Васильев, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Heterostructures Н.Н. Леденцов, М.Э. Луценко, Б.Я. Мельцер, В.М. Устинов.

Zh.I. Alferov Письма ЖТФ, 14, 1803 (1988).

[72] J. Faist et al. Science, 264, 553 (1994); Electron. Lett., 30, A.F.Ioffe Physicotechnical Institute, 865 (1994).

Russian Academy of Sciences, [73] K.V. Klitzing, G. Dorda, M. Pepper. Phys. Rev. Lett., 45, 194021 St.Petersburg, Russia (1980).

[74] D.C. Tsui, H.L. Stormer, A.C. Gossard. Phys. Rev. Lett., 48,

Abstract

The early history of semiconductor heterostructures 1559(1982).

and their applications in different electronic devices is described.

[75] P.M. Petroff, P, A.C. Gossard, R.A. Logan, W. Wiegman. Appl.

Phys. Lett., 41, 635 (1982). The article also contains a short historical review of the physics, [76] Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982).

technology of preparation and applications of quantum wells and [77] S. Simhony, E. Kapon, T. Colas, D.M. Hwang, N.G. Stoffel, superlattices. Recent progress in quantum wires and especially P. Worland. Appl. Phys. Lett., 59, 2225 (1991).

quantum dots structures and future trends and perspectives of these [78] А.И. Екимов, А.А. Анущенко. Письма ЖЭТФ, 34, new types of heterostructures are discussed.

(1981).

[79] Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982).

[80] L. Goldstein, F. Glas, J.Y. Marzin, M.N. Charasse, G.Le. Roux.

Appl. Phys. Lett., 47, 1099 (1985).

[81] А.Ф. Андреев. ЖЭТФ, 80, 2042 (1981).

[82] В.И. Марченко. ЖЭТФ, 81, 1141 (1981); Письма ЖЭТФ, 33, 307 (1981).

[83] R. Ntzel, N.N. Ledentsov, L. Dweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 67, 3812 (1991).

[84] V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledеntsov, P.S. Kop’ev.

Phys. Rev. B, 51, 17 767 (1995).

[85] P.D. Wang, N.N. Ledentsov, C.M. Sotomayor Torres, P.S. Kop’ev, V.M. Ustinov. Appl. Phys. Lett., 64, 1526 (1994).

[86] V. Bressler Hill, A. Lorke, S. Varma, P.M. Petroff, K. Pond, W.H. Weinberg. Phys. Rev. B, 50, 8479 (1994).

[87] N.N. Ledentsov et al. Proc. 22nd Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994) (World Scientific, Singapure, 1995).

[88] Ж.И. Алферов, Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, П.С. Копьев.

И.В. Кочнев, В.В. Хомин, И.Л. Крестников. Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, М.В. Максимов, С.С. Рувимов, А.В. Сахаров, Физика и техника полупроводников, 1998, том 32, №

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.