WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

работе [11], выявило очень хорошую корреляцию между обеими кривыми в области дисперсии как акустических, так и оптических фононов. Тот факт, что рамановский спектр, полученный от образца GaN : Er, фактически Заключение отражает однофононную функцию плотности состояний GaN, является свидетельством полной релаксации праТаким образом, результаты работы показывают, что вил отбора по волновому вектору вследствие высокого кратковременные (порядка нескольких десятков сеуровня дефектности кристаллической решетки.

кунд) послеимплантационные отжиги при температурах Кривые 3–5 на рис. 4 представляют рамановские 1000 < T0 1300C могут быть использованы для спектры, полученные от образца GaN : Er, подвергнутого создания светоизлучающих структур на основе GaN, отжигу в течение t = 15 с при температурах T0 = 700, 1000C и в течение t = 400 с при T0 = 1300C соот- легированного эрбием. Максимальный сигнал ФЛ на ветственно. Хорошо видно, что отжиг при температуре 1.54 мкм получен в образце без дополнительной соT0 = 700C уже приводит к появлению в рамановском имплантации кислорода после отжига при T0 = 1300C спектре резких линий вблизи 568 и 740 см-1, которые и 15 t 400 с. Насыщение интенсивности эрбиевой можно соотнести с фононами симметрии E2 и A1(LO) в ФЛ достигается при условиях отжига, когда нарушения центре зоны Бриллюэна. Появление в рамановском спеккристаллической структуры, вызванные имплантацией тре линий, соответствующих длинноволновым фононам, эрбия, не полностью устранены.

указывает на начало восстановления дальнего порядка в кристаллической решетке в результате процедуры от- Работа выполнена при частичной поддержке Interжига. При дальнейшем повышении температуры отжига national Science and Technology Center (грант 168) и (см. кривые 4 и 5) происходит дальнейшее увеличение INTAS–РФФИ (грант 95-0531).

Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, № 8 В.Ю. Давыдов, В.В. Лундин, А.Н. Смирнов, Н.А. Соболев, А.С. Усиков, А.М. Емельянов...

Список литературы [1] J.T. Torvik, C.H. Qiu, R.J. Feuerstein, J.I. Pankove, F. Namavar.

J. Appl. Phys., 81, 6343 (1997).

[2] E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, B. Goldenberg, G.S. Pomrenke. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 69 (1996).

[3] E. Silkowski, Y.K. Yeo, R.L. Hengehold, L.R. Everitt. Mater.

Sci. Forum, 258–263, 1577 (1997).

[4] J.T. Torvik, R.J. Feuerstein, C.H. Qiu, M.W. Leksono, J.I. Pankove, F. Namavar. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 199 (1996).

[5] S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, E.E. Reuter, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 71, 231 (1997).

[6] S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop. Appl. Phys. Lett., 71, 2662 (1997).

[7] Myo Thaik, U. Hmmerich, R.N. Schwartz, R.G. Wilson, J.M. Zavada. Appl. Phys. Lett., 71, 2641 (1997).

[8] W.V. Lundin, B.V. Pushnyi, A.S. Usikov, M.E. Gaevski, A.V. Sakharov. Inst. Phys. Conf. Ser. (1997) N 155, ch. 3, p. 319.

[9] V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82, 5097 (1997).

[10] M. Cardona. In: Light Scattering in Solids II, ed. by M. Cardona and G. Gubtherodt [Topics in Applied Physics (Springer, Berlin, 1982) v. 50, p. 117].

[11] K. Karch, J.-M. Wagner, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 57, (1998).

Редактор Л.В. Шаронова Effect of the high temperature rapid thermal annealing on the erbium-doped GaN photolumeniscence in the 1.0–1.6 µm range V.Yu. Davydov, W.V. Lundin, A.N. Smirnov, N.A. Sobolev, A.S. Usikov, A.M. Emel’yanov†, M.I. Makovijchuk, E.O. Parshin A.F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, 194021 St.Petersburg, Russia † St.Petersburg State Technical University, 195251 St.Petersburg, Russia Institute of Microelectronics, 150007 Yaroslavl’, Russia

Abstract

Effect of rapid thermal annealing and additional oxygen ion implantation on the erbium ion photoluminescence has been studied. Erbium ions at 1 MeV energy and 5 · 1014 cm-2 dose were implanted into GaN films grown by metal organic chemical vapor deposition. The erbium-related photoluminescence intensity at the wavelength of 1.54 µm increases with increasing isochronous (for 15 sec) annealing temperature from 700 to 1300C. The oxigen ion coimplantation enhances the erbium-related photoluminescence intensity after annealing at temperatures below 900C.

The changes of the crystal structure of the samples due to erbium ion implantation and subsequent annealing were studied by Raman spectroscopy.

Fax: (812) 2471017 (N.A. Sobolev) E-mail: N.Sobolev@pop.ioffe.rssi.ru Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.