WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||

35. Алехин В.П., Шоршоров М.Х. О механизме релаксационных процессов в полупроводниковых кристаллах в области низких напряжений и температур // Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах. – М.: Наука, 1982. – С. 152 – 156.

Складні системи і процеси № 1- 2, 36. Влияние рентгеновского облучения на внутреннее трение в кремнии / Кулиш Н.П., Максимюк П.А., Мельникова Н.А. и др. // Физика твердого тела. – 1998. – Т. 40, № 7. – С. 1257 – 1258.

37. Голосовский М.А., Сойфер Я.М. Влияние света на дислокационное внутреннее трение и дислокационный заряд в кристаллах NaCl с F-центрами // Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах. – М.: Наука, 1982. – С. 180 – 184.

38. Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы.– М.: Высшая школа, 1989. – 96 с.

39. Технология полупроводникового кремния / Фалькевич Э.С., Пульнер Э.О., Червонный И.Ф. и др. – М.: Металлургия,1992. – 408 с.

40. Атомная диффузия в полупроводниках / Под ред. Д. Шоу. – М.: Мир, 1975. – 686 с.

41. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высшая школа, 1984. – 352 с.

42. Шикина Ю.В., Шикин В.Б. Инверсия типа проводимости в пластически деформированных n-полупроводниках // Физика и техника полупроводников – 1994.– Т. 28, N 4. – С. 675 – 680.

43. Новиков Н.Н. Структура и структурно-чувствительные свойства реальных кристаллов. – К.: Вища школа, 1983. – 264 с.

44. Г.П.Пека, В.Ф.Коваленко, В.Н.Куценко Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов. – Киев: Технiка, 1986. – 152 с.

45. Штейнман Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода // ФТТ. – 2005. – Т. 47, № 1. – С. 9 – 12.

46. Павлов П.В., Доброхотов Э.В. Диффузия элементов V группы в кремний, подвергнутый пластической деформации // Легирование полупроводников, М.: Наука, 1982.– С. 93 – 97.

47. Пантелеев В.А., Гугина Т.С., Окулич В.И. Закономерности диффузии фосфора и бора в деформируемый кремний // Легирование полупроводников. – М.: Наука, 1982. – С. 102 – 106.

48. Дефектообразование при росте эпитаксиальных слоев кремния с переменным уровнем легирования / Токарев В.П., Бахрушин В.Е., Головко О.П., Базылева И.В. // Тез. докл.

областной научной конференции "Компоненты и материалы электронной техники". – Запорожье: ЗИИ, 1990. – С. 24 – 25.

49. Вавилов В.С., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. – М.: Наука, 1990. – 216 с.

50. Максимов С. К. Электронная микроскопия высокого разрешения в исследованиях процессов дефектообразования в полупроводниковых кристаллах // Рост кристаллов. – М.:

Наука, 1988. – Т. XVI. – С. 206 – 216.

51. Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Электрические свойства пластически деформированных кристаллов кремния / ФТТ. – 1998. – Т. 40, № 10. – С. 1816 – 1817.

52. Взаимодействие примесей и сложных дефектов в нейтронно легированном кремнии / Батюта С.П., Дубовой В.К., Литовченко П.Г., Шматко Г.Г. // Свойства легированных полупроводниковых материалов. – М.: Наука, 1990. – С. 202 – 206.

53. Бригинец А.В., Хрупа В.И. Рентгеновский дифрактометрический анализ интегральных характеристик микродефектов в толстом слабоискаженном кристалле // Металофізика та новітні технології. – 1994. – Т. 16, № 12. – С. 28 – 32.

54. Алиев М.А., Алиева Х.О., Селезнев В.В. Диффузионные свойства пластически деформированных кристаллов кремния// ФТТ. – 1999. – Т. 41, № 6. – С. 1028 – 1029.

55. Веселовская Н.В. Влияние условий выращивания бездислокационных кристаллов кремния на образование микродефектов: Автореф. дисс. … канд. физ.-мат. наук. – М.: Инт кристаллографии АН СССР, 1984. – 19 с.

56. Физика кристаллов с дефектами / Предводителев А.А., Тяпунина Н.А., Зиненко Складні системи і процеси № 1- 2, ва Г.М., Бушуева Г.В. – М.: МГУ, 1986. – 240 с.

57. Новиков И.И. Дефекты кристаллического строения металлов. – М.: Металлургия, 1983. – 232 с.

58. Смирнов А.А. Теория сплавов внедрения. – М.: Наука, 1979. – 368 с.

59. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. – Л.: Наука, 1972.

– 384 с.

60. Родес Р.Г. Несовершенства и активные центры в полупроводниках. – М.: Металлургия, 1968. – 371 с.

61. Lattice Relaxation due to Hydrogen Passivation in Boron-Doped Silicon / Stutzmann M., Harsanyi J., Breitschwerdt A., Herrero C.P. // Applied Physics Letters. – 1988. – V. 52, N 20. – P. 1667 – 1669.

62. Koji Sumino. Interaction of Impurities with Dislocations in Semiconductors // In "Point and Extended Defects in Semiconductors / Ed. by G.Benedek, A.Gavallini, W.Schroter. – NATO ASI Series: Physics. – V. 202. – New York & London: Plenum Press, 1989. – P. 77 – 94.

63. Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И. Электронное взаимодействие доноров с дислокацией // Физика и техника полупроводников. – 1990. – Т. 24, вып.7. – С. 1330 – 1332.

64. Внутреннее трение в кремнии, обусловленное квази-ян-теллеровскими центрами / В.С. Постников, В.И. Кириллов, Ю.А. Капустин, В.С. Борисов // Внутреннее трение в исследовании металлов, сплавов и неорганических материалов. – М.: Наука, 1989. – С. 219 – 222.

65. Штремель М.А. Прочность сплавов. – Ч. 1. – М.: Металлургия, 1982. – 280 с.

66. Клявин О.В., Лиходеев Н.П., Орлов А.Н. Моделирование на ЭВМ атомного механизма миграции и взаимодействия примесей внедрения с ядром винтовой дислокации в ОЦК решетке // Физика твердого тела. – 1986. – Т. 28, № 1. – С. 156 – 162.

67. Гольдфарб М.В., Молоцкий М.И. ЭПР, DLTS и оптические спектры доноров на дислокации в полупроводниках // Тез. докл. 14 Всес. (Пекаровского) совещания по теории полупроводников. – Донецк: ДОНФТИ, 1989. – С. 53.

68. Криштал М.А., Троицкий И.В. Равновесная концентрация примесных атомов вокруг дислокаций // Физика и химия обработки материалов. – 1971. – № 1. – С. 55 – 60.

69. Могутнов Б.М., Томилин И.А. Термодинамические свойства твердых растворов внедрения, содержащих дефекты кристаллической решетки // Журнал физической химии.

– 1971. – Т. 45, № 8. – С. 1935 – 1938.

70. Beshers D.N. On the Distribution of Impurity Atoms in the Stress Field of a Dislocation // Acta Metallurgica. – 1958. – V. 6, № 8. – P. 521 – 523.

71. Бахрушин В.Е. Влияние плотности дефектов на температуру конденсации примесной атмосферы // Придніпровський науковий вісник. Природничні та технічні науки. – 1997. – № 21(32). – С. 14 – 19.

72. Sumino K. Interactions of Dislocations with impurities in Silicon // In "Defects and Properties of Semiconductors: Defect Engineering; Ed. by J.Chikawa, K.Sumino and K.Wada. – Tokyo: KTK Scientific Publishers, 1987. – P. 227 – 259.

73. Leroy B. Silicon Wafers for Integrated Circuit Process // Revue Phys. Appl. – 1986. – V.

21, N 8. – P. 467 – 488.

Інформація Вержбицкий В.М. Основы численных методов: Учебник для вузов. – М.: Высшая школа, 2002. – 840 с.

Приведено систематическое изложение численных методов решения основных задач алгебры, математического анализа и дифференциальных уравнений. Книга предназначена для студентов математических и инженерных специальностей вузов, а также специалистов, использующих численные методы в практической деятельности.

Pages:     | 1 |   ...   | 3 | 4 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.