WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

центрацію сформованих низькотемпера- Введення в кристали домішок перехітурних термодонорів і швидкість їхнього дних металів (нікелю, цирконію) призвоутворення [38 – 40]. Зокрема, у роботі дить до помітного збільшення швидкості [38] показано, що вона знижується після утворення термодонорів [1]. Згідно з [45] геттерування золота і міді плівкою воль- введення в кремній (1–2)·1017 см-3 титану фраму і підвищується при додатковому призводить до помітного зменшення конлегуванні кристала золотом. Автоpи зв'я- центрації оптично активного кисню після о зують це з тим, що домішки, які швидко термічних обробок при 450 – 1280 С і диффундирують в глибину кристалу, є підвищення термостабільності питомого центрами зародження термодонорів, або електричного опору. Спостерігається тавпливають на коефіцієнт дифузії кисню. кож зростання рухливості вільних елект Складні системи і процеси № 1, ронів після термообробки, що, може бути 2. Технология полупроводникового обумовлене підвищенням однорідності кремния / Фалькевич Э.С., Пульнер розподілу титана в кристалі. Э.О., Червонный И.Ф. и др. – М.: МетаВведення в кремній європію при кон- ллургия, 1992. – 408 с.

центрації 2,3·1017 см-3 призводить до зни- 3. Александров Л.Н., Зотов М.И.

ження вихідної концентрації термодоно- Внутреннее трение и дефекты в полупрорів у кристалах p-Si, вирощених методом водниках. – Новосибирск: Наука, 1979. – Чохральского від 1013 до 1012 см-3 і зни- 161 с.

ження максимально досяжної концентра- 4. Бабіч В.М., Блецкан М.І., Вєнгер ції під час відпалу при 450 оC від 2·1015 до Є.Ф. Кисень у монокристалах кремнію.

3·1013 см-3 [38]. Введення європію також – К.: ІнтерпресЛТД, 1997. – 240 с.

дещо прискорює зниження концентрації 5. Селищев П.А. Кинетика образоваоптично активного кисню при великому ния кислородсодержащих термодоноров в часу відпалу. Ці ефекти можуть бути кремнии и формирование их неоднородпов’язані з формуванням стабільних елек- ного распределения: аналитическое ретрично й оптично пасивних комплексів шение //ФТП, 2001. – Т. 35, № 1. – С. 11 – типу (РЗМ)nOm. 14.

6. Комаров Б.А., Коршунов Ф.П., МуВИСНОВКИ рин Л.И. Роль полевых эффектов при оп1. На сьогодні не існує моделі побудо- ределении концентрации термодоноров в ви та утворення термодонорів, яка б задо- кремнии методом DLTS // Физика и техвольняла усім відомим експерименталь- ника полупроводников, 1994. – Т. 28, № 3.

ним даним з кінетики їх формування, еле- – С. 498 – 505.

ктрофізичних, оптичних та магнітних 7. Мукашев Б.Н., Абдуллин Х.А., Говластивостей. релкинский Ю.В. Метастабильные и бис2. Найбільш адекватними виявляються табильные дефекты в кремнии // УФН, моделі, що вважають низькотемпературні 2000. – Т. 170, № 2. – С. 143 – 155.

термодонори рядом близьких за власти- 8. Вабицевич Н.В., Бринкевич Д.И.

востями, але різних за складом дефектів, Влияние германия на процессы отжига ядро яких складається з кількох атомів термодоноров в кремнии // Тезисы доклакисню і може містити додатково атоми дов 3 Российской конференции по матеінших домішок, і які можуть перетворю- риаловедению и физико-химическим осватися один до одного шляхом приєднан- новам технологий получения легировання або відриву міжвузловинних атомів ных кристаллов кремния и приборных кисню, власних міжвузловинних атомів структур на их основе. – М.: ИХПМ, 2003.

кремнію або рухливих комплексів, до – С. 55 – 57.

складу яких входить атом кисню. 9. О природе зародышей для образо3. Припущення про роль мікроскопіч- вания термодоноров в кремнии (или еще них флуктуацій концентрації кисню та один вариант ускоренной диффузии китермодонорів у процесах формування та слорода) / Неймаш В.Б., Пузенко Е.А., анігіляції останніх дозволяє усунути деякі Кабалдин А.Н., и др. // ФТП, 1999. – Т.33, суперечності між теорією та експеримен- № 12. – С. 1423 – 1426.

том і має враховуватися при побудові те- 10. Про деякі особливості генерації та орії цих процесів. відпалу термодонорів у кремнії / Неймаш В.Б., Пузенко О.О., Кабалдін О.М. та ін. // ЛІТЕРАТУРА УФЖ, 1999. – Т. 44, № 8. – С. 1011 – 1. Бахрушин В.Е. Получение и физи- 1016.

ческие свойства слаболегированных слоев 11. Электрические свойства кремния многослойных композиций. – Запорожье: термообработанного при 530 оС и облуГУ "ЗИГМУ", 2001. – 247 с. ченного электронами / Неймаш В.Б., Сирацкий В.М., Крайчинский А.Н., Пу Складні системи і процеси № 1, зенко Е.А. // ФТП, 1998. – Т. 32, № 9. – ванных кристаллов кремния и приборных С. 1049 – 1053. структур на их основе. – М.: ИХПМ, 2003.

12. Вабицевич Н.В., Бринкевич Д.И., – С. 35 – 36.

Просолович В.С. Кислородные преципи- 20. Влияние собственных межузельтаты и образование термодоноров в крем- ных атомов кремния на образование элекнии // ФТП, 1998. – Т. 32, № 6. – С. 712 – трически нейтральных борсодержащих 713. комплексов в пластинах кремния при их о 13. Исследование внутреннего тре- отжиге при температурах 480 – 530 С / ния и эффективного модуля сдвига мо- Арапкина Л.В., Батунина А.В., Воронкова нокристаллического кремния на на- Г.И. и др. // Тезисы докладов 3 Российчальных стадиях преципитации кисло- ской конференции по материаловедению рода / Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк и физико-химическим основам технолоА.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М. // гий получения легированных кристаллов ФТП, 2002. – Т. 36, № 9. – С. 1035 – кремния и приборных структур на их ос1039. нове. – М.: ИХПМ, 2003. – С. 37 – 38.

14. Воронков В.В., Ильин М.А., Фо- 21. Начальные стадии преципитации миных Я.В. Оптические свойства росто- кислорода в кремнии: влияние водорода / вых термодоноров в кремнии// Неоргани- В.П. Маркевич, Л.И. Мурин, ческие материалы, 1993. – Т. 29, № 9. – J.L. Lindstrom, M. Suezawa // ФТП, 2000, – С. 1301 – 1303. Т. 34, В. 9. – С. 1039 – 1045.

15. Microfluctuations of oxygen impu- 22. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н.

rity concentration as a reason of acceler- Мукашев. Дефекты в кремнии и на его ated oxygen diffusion in silicon / Neimash поверхности. – М.: Наука, 1990. – 216 с.

V.B., Puzenko O.O., Kraitchinskii A.M. 23. Генерация термодоноров в кремet. al. // Semiconductor Physics, Quantum нии, легированном германием / БабицElectronics and Optoelectronics, 2000. – кий Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн V. 3, N 1. – P. 11 – 14. П.М. и др. // ФТП, 1984. – Т.18, вып. 7. – 16. Вплив преципітації домішки кисню С. 1309 – 1311.

при 1050 оС на пружні напруження в кре- 24. Ярыкин Н., Вебер В. К идентифимнії / Кустів В.Є., Неймаш В.Б., Тріпач- кации водородсодержащих термодоноров ко М.О. та ін. // УФЖ, 1998. – Т. 43, № 5. в кремнии // Тезисы докладов 3 Россий– С. 626 –629. ской конференции по материаловедению 17. Формирование донорных центров и физико-химическим основам технолопри различном давлении в кремнии, об- гий получения легированных кристаллов лученном ионами кислорода/ Неустроев кремния и приборных структур на их осЕ.П., Антонова И.В., Попов В.П. и др. // нове. – М.: ИХПМ, 2003. – С. 171.

ФТП, 1999. – Т. 33, № 10. – С. 1153 – 25. Бабицкий Ю.М., Горбачева Н.И., 1157. Ильин М.А. Кинетика генерации низко18. Маркевич В.П., Мурин Л.И. Меха- температурных термодоноров в кремнии низм ускоренной диффузии кислорода в с изовалентными примесями // Физика и кремнии // Свойства легированных полу- техника полупроводников, 1988. – Т. 22, проводников. – М.: Наука, 1990. – С. 107 № 2. – С. 307 – 312.

– 112. 26. Электрофизические параметры 19. О возможности старения при ком- кремния, легированного германием, после натной температуре образцов кремния, термической обработки при 720 К / Дапрошедших высокотемпературный отжиг шевский М.Я., Докучаева А.А., Корляков при 650 и 900 оС / Арапкина Л.В., Бату- Д.Н. и др. // Известия АН СССР, Неорганина А.В., Воронкова Г.И. и др. // Тезисы нические материалы, 1988. – Т. 24, № 9. – докладов 3 Российской конференции по С. 1413 – 1418.

материаловедению и физико-химическим 27. Генерация термодоноров в кремосновам технологий получения легиро- нии, легированном германием / Бабицкий Складні системи і процеси № 1, Ю.М., Горбачева Н.И., Гринштейн П.М. и 36. Критская Т.В., Думбров В.И., Бидр. // ФТП, 1984. – Т.18, вып.7. – С. 1309 – духа В.И., Левченко В.М. Исследование 1311. свойств монокристаллического кремния, 28. Трансформация дефектов при от- выращенного по Чохральскому в атможиге Si:Ge, облученных нейтронами и сфере азота // Весцi Акад. навук БССР.

электронами / Помозов Ю.В., Хируненко Сер. фiз.-матэм. навук, 1991. – № 3. – С. Л.И., Шаховцов В.И. и др. // VIII коорд. – 10.

совещ. по исследованию и применению 37. Генерация азотно-кислородных сплавов кремний-германий. Тез. докла- мелких термодоноров как метод исследодов. – Ташкент: ФАН, 1991. – С. 40. вания диффузии азота в кремнии / Бату29. Исследование монокристаллов нина А.В., Воронков В.В., Воронкова кремния, легированных изовалентной до- Г.И., Мильвидский М.Г. // Тезисы доклабавкой / Дашевский М.Я., Докучае- дов 3 Российской конференции по матева А.В., Корляков Д.Н., Салманов А.Р. // риаловедению и физико-химическим осФизика кристаллизации. – Калинин: КГУ, новам технологий получения легирован1987. – С. 4 – 9. ных кристаллов кремния и приборных 30. Критская Т.В., Хируненко Л.И., структур на их основе. – М.: ИХПМ, 2003.

Яшник В.И. Термическое дефектообразо- – С. 40 – 41.

вание в кристаллах Si:Ge // Электронная 38. Petrov V.V., Prosolovitch V.S.

техника. Сер. Материалы, 1991. – Вып. 6 Thermal Defects in Silicon Doped with (260). – С. 56 – 58. Rare-Earth Elements // Physica Status Solidi, 31. Термическое дефектообразование в 1989. – V. 112(a), N 9. – P. 561 – 568.

кристаллах Si:Ge / Критская Т.В., Хара- 39. Ускоренная генерация термодонотишвили И.Г., Хируненко Л.И. и др. // ров в кремнии / Бринкевич Д.И., Крюков VIII коорд. совещ. по исследованию и В.Л., Петров В.В. и др. // Электронная применению сплавов кремний- германий. техника. Сер. Материалы, 1991. – N 6. – Тез. докладов. – Ташкент: ФАН, 1991. – С. 15 – 17.

С. 38. 40. Влияние быстродиффундирующих 32. Емцев В.В., Оганесян Г.А., примесей на генерацию термодоноров в Шмальц К. Новые доноры в термообрабо- кремнии / Бринкевич Д.И., Крюков В.Л., танном кремнии с изоэлектронной приме- Петров В.В. и др. // Письма в ЖТФ, 1991.

сью германия // Физика и техника полу- – Т. 17, вып.1. – С. 14 – 16.

проводников, 1993. – Т. 27, № 11/12. – 41. Бахадырханов М.К., Аскаров Ш.И., С. 2021 – 2023. Наркулов Н. Влияние быстродиффунди33. Образование термодоноров в кри- рующих примесей на кинетику генерации о сталлах Si / Бринкевич Д.И., термодоноров в кремнии при 300–500 С Маркевич В.П., Мурин Л.И., Петров В.В. // Физика и техника полупроводников, // VIII коорд. совещ. по исследованию и 1995. – Т. 29, N 8. – С. 1396 – 1401.

применению сплавов кремний-германий. 42. Влияние кислорода на поведение Тез. докладов. – Ташкент: ФАН, 1991. – примеси золота в кремнии / БринкеС. 76. вич Д.И., Крюков В.Л., Мерааи Ф. и др. // 34. Дашевский М.Я., Корляков Д.Н. Неорганические материалы, 1993. – Т. 29, Физические свойства термообработанных N 12. – С. 1587 – 1589.

монокристаллов Si и Si // Электрон- 43. Салманов А.Р., Рыгалин Б.Н., Баная техника. Сер. Материалы, 1991. – тавин В.В., Прокофьева В.К. Эффект поВып. 6. – С. 45 – 47. давления кислородных термодоноров в 35. Особенности поведения кислорода кремнии диффузией магния // Неорганив кремнии, легированном оловом / Помо- ческие материалы, 1983. – Т. 19, N 10. – зов Ю.В., Соснин М.Г., Хируненко Л.И., С. 1605 – 1608.

Яшник В.И. // ФТП, 2000. – Т. 34, № 9. – 44. Борщенский В.В., Бринкевич Д.И., С. 1035 – 1038. Петров В.В. Свойства кремния, легиро Складні системи і процеси № 1, ванного магнием в процессе выращивания цию термодоноров и термостабильность по методу Чохральского // Неорганиче- кремния / Соколов Е.Б., Прокофьева В.К., ские материалы, 1994. – Т. 30, N 1. – С. 30 Белянина Е.В., Гиоргадзе А.Л. // Известия – 32. Вузов. Электроника, 1997. – N 1. – С. 44 – 45. Влияние титана на концентрацию 48.

оптически активного кислорода, генера-

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.