WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

E/Eisotropic 0= 0=--0 1 2 3 4 5 A Рис. 6 Энергия взаимодействия двух одинаковых точечных частиц Е в зависимости от отношения анизотропии А /1 2 3 4 5 A Рис. 7 Угол 0 зависимости от отношения анизотропии А Электронный журнал «ИССЛЕДОВАНО В РОССИИ» 1870 http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/154.pdf 20 Е/Еизотр. B=-2. B=2. B=-1. B=1.0 B=0.--0 0.2 0.4 0.6 И0, рад Рис. 8. Энергия взаимодействия двух анизотропных диполей Е в зависимости от полярного угла в плоскости поверхности для различных значения отношения дипольных моментов В.

C=0.C=0.C=0.C=0.C=0.А=0, В=2 А=2, В=0 А=2, В=а) б) в) Рис. 9 Моделирование роста субмонослойных микроструктур на Si(001) с учетом влияния анизотропии поверхности 9 а), объема 9 б) и совместного влияния 9 в) Электронный журнал «ИССЛЕДОВАНО В РОССИИ» 1871 http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2003/154.pdf Литература 1. D.Leonard, K.Pond, P.M.Petroff Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs //Phys. Rev. B 50, 11687(1994).

2. D.Bimberg, G.E.Cirlin, A.O.Golubok, M.Grundman, G.M.Guryanov, P.S.Kop'ev, N.N.Ledentsov, S.Ya.Tipissev Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface //Appl. Phys. Lett. 67(1), 97(1995).

3. J.M.Moison, F.Houzay, F.Barthe, L.Leprince, E.Andre, O.Vatel Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs //Appl. Phys. Lett. 64(2), 196-198(1994) 4 J.H.van der Merve, L.C.Stoop Elastic interaction between small epitaxial islands //Crystal Growth 24/25, 289(1974).

5. W.B.Joyce, R.B.Marcus Electrostatic forces between small charged islands in the early stages of thin film growth II. Interaction during growth //Thin Solid Films 10, 1(1972).

6. J.Tercoff. Missing dimers and strain relief in Ge films on Si(100)//PRB, v.85, №11, pp.7. D.M.Barnett, J.Lothe An image force theorem for dislocations in anisotropic bicrystals //J.

Phys. F 4(10), 1618(1974).

8. A.P.Filippov, G.N.Gaidukov Formation of impurity segregation in the field of elastic stresses near dislocations //Phil. Mag. A 67(1), 109(1993).

9. D.M.Barnett, J.Lothe Line force leading on anisotropic half-spaces and wedges //Phys.

Norvegica 8(1), 13(1975).

10. Дж. Хирт, И.Лоте Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 600с.

11. В.Новацкий Теория упругости. М.: Мир, 12. Г.Н.Гайдуков, Е.А.Кожевников, Ю.В.Копаев, Препринт №58, ФИАН, М., 1996, 27 с.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.