WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 56 | 57 || 59 | 60 |   ...   | 185 |

графич. изображ. сопрот. деформации — одноатомный газ без цвета и запа(истинного напряжения) в завис-ти от стеха; = мг/см3, / = -157,1 = пени деформации (другое наз. кривая истинных напряжений). получеПолучают Кг при разделении воздуха. Приния к. у. — одноосное растяжение, реже — меняют гл. образом в технике.

сжатие и кручение образцов. В заКг в большей степени, чем N или превис-ти от принятого показателя степени депятствует испарению W с пов-ти реакционформации различают к. у. 2-го и 3-го рода ной нити в лампах накаливания.

(вида), от удлинения 8 = — КРИСТАЛЛ [crystal] — тело с сужения = — и от «истинного» располож. частиц: атомов, ионов, сужения = Иногда к. у. 4молекул. Располож. атомов в к. прого и 5-го вида, к-рые строят, соответств., в (или решеткой, узлы координатах касат. напряж. — к-рой совпадают с центрами, около сдвиг» и касат. напряжение — окколеблются атомы. Всем кристаллам свой сдвиг»;

ственна симметрия. решетка хар эл-тарной ячейкой, длины ребер кривая текучести [yield curve] - замкн. крирой называют периодами или параметрами вая в координатах главных напряжений решетки. Элементарная ячейка хар-ризуется КРИСТАЛЛИЗАТОР тремя периодами решетки а, Ь, с и тремя а — м-ду ребрами Ь и с, — м-ду прочности интенсивно возрастает при умень — м-ду решетки объедишении диам. < 10 мкм, для керамич. н. к. возняют в семь систем, называемых сингониярастание прочности с диам. почти ми (см. К. анизотропен. Каждой линейно. Масштабная завис-ть прочности плоскости решетки строметаллич. н. к. объясняется внутр. и го определ. упаковки атомов и значения подефектами, керамич. — только поверхн. деверхностной энергии. Металлы имеют простые фектами. Кроме высоких механич. св-в, н. к.

кристаллич. решетки. Большинство из них — обладает уникальными св-вами кубические магн., и др.). Перспектив гексагональную но керамич. н. к.

(ГПУ) (рис.); — MgO, SiC) для создания жаропроч., компоэдрич., ромбическую и тетрагон. Различают зиц. материалов для рабочих > идеальный в к-ром неподв. атомы образуи технич. керамик с вязкостью разют правильную систему точек, и реальный В полупроводниковой и технике содерж. дефекты кристаллич. реразработаны и выпускаются детали приборов шетки, двойники. большинство накопители информации, дози материалов не моно-, а поликрисметры излучения, датчики таллы т.е. представляют агрегаты из множеХолла, и т.п.), использ. уникальства ные физ. св-ва н. к.

КРИСТАЛЛИЗАТОР [mold] — форма (изложница) для ускор. затвердевания жидкого металла; применяется на МНЛЗ, в установках переплава, в вакуумных дуговых печах. Конструкции к. весьма многообразны. Так, корпус МНЛЗ кристаллизатора представляет литую или сварную конструкцию с опорным (приставкой в виде брусьев, решеток, опорных роликов и др.), на к-ром закреплены водоохлажд.

стенки кристаллизатора из высокотеплопроводного металла (как правило, меди или сплаКристаллическая структура а и б - кубические объемно- (ОЦК) и (ГЦК); гекса- вов на ее основе), контактир. с гональная (ГПУ) в кристаллизатор жидким металлом.

Кристаллизаторы МНЛЗ снабжены механизмами качения для придания им нитевидный кристалл («ус») [whisker crystal] — тонкий высокопрочный монокрис- пат. движения или движения (для заготовок круглого сечения) в процессе талл с большим отношением длины к диам.

разливки:

(> 20-25). В природе н. к. встречаются во всех видах минералов, н. к. полугильзовый кристаллизатор [tube mold] — чают, используя след. осн. методы их выракристаллизатор с раб. стенками из цельной из паровой фазы: хим. мегильзы;

таллов из солей галогенов и конденсацию па кристаллизатор block ровой фазы в инертной среде и вакууме. Разmold] — кристаллизатор с дном; использ. при ными методами получают н. к. 30 элементов и переплаве для получения электродов более 80 соединений. Совершенство кристалконечных размеров;

лич. структуры и н. к-рая м. б.

кристаллизатор с раздвижными стенками обусловливает: высокую проч[adjustable (variable-width) mold] — к. с раб.

ность н. близкую к (- 0,1-Е, для можно перемещать одну отн. к. зафиксирована рекордная проч другой при непрерывной разливке для ность ~ 40 ГПа); знач. упругой деформаизменения размеров сечения заготовки;

ции (до нескольких процентов); широкий спектр значений модулей упругости (Е= радиальный кристаллизатор [curved (bow= ГПа и более). Прочность н. к. зави- type) mold] — две противоположные стенсит от диам. Для металлич. н. к. значение ср.

ки к-рого выгнуты по радиусу для придания КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ рез максимумы, причем с. з. ц. достигает максимума при меньших значениях чем заготовке движения по дуге при непрерывл. с. р. В области неб. переохлаждений, ной разливке стали;

непрерывному или фасонному литью, темп роста с. з. ц. с ростом переохлаждения больсквозной кристаллизатор [through-type mold] ше, чем л. с. р.

— к. без использ. при непрер. разливке, а тж. при переплавке для получения элек- Изменение переохлаждения за счет скоротродов длиной больше длины кристаллиза- сти охлаждения в интервале темп-р кристаллизации влияет не только на размер, но и на их тора;

форму. При малых переохлаждениях и малой толстостенный кристаллизатор [heavy-wall скорости роста формируются mold] — к. с толщиной раб. стенок > 30 мм;

кристаллы. При увелич. скорости роста кристонкостенный кристаллизатор таллов форма кристаллов меняmold] — к. с толщиной раб. стенок 6-30 мм.

ется на дендритную. При дендритной кристаллизации сначала вырастает ось (ветвь) дендКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ [solidification, crystalрита 1-го порядка, из к-рой затем под опреlization] — переход вещ-ва из жидкого состодел. углом растут оси-ветви 2-го порядка, а из яния в тв, заключается в образоних — 3-го и т. д. растут в навании зародышей и их росте при плотной упаковки атомов.

достижении расплавом ПроВ реальных условиях зарождение и рост цесс к. скрытой теплоты кристаллов идут по механизму. В раскристаллизации, и поэтому в процессе ох металлах и сплавах всегда присутствулаждения в начале кристаллизации скорость ют тугоплавкие или уменьшается. Кристаллизация металвключения — места облегченного зарожделов идет при темп-ре, а сплавов при сниния, «затравка» для зарождения кристаллов.

жающейся, хар-р изменения к-рой (во вреНа роль тугоплавких включений как центров мени) определяется диаграммой фазового сокристаллизации впервые указал А. А. Байков, стояния (см. Диаграмма состояния). Интервал затем подробно ее исследовал В. И. Данилов.

темп-р с темп-ры начала до темп-ры конца к.

Чем больше включений присутствует в расназывается интервалом кристалплаве, тем больше центров зарождения нолизации. В этом интервале сплав состоит из вых кристаллов (зерен) и тем в итоге мельче смеси жидкой и тв. (или твердых) фаз.

зерно. Эффективность зарождающего действия Кристаллы могут зарождаться по гомоген.

включений зависит от большого числа факи механизмам. Теория гомоген. заторов, но гл. из них — размерно-структурное рождения базир. на представсоответствие, в том, что при зарожлениях, согласно чистый металл в тв.

дении новой фазы (кристалла) на имеющемсост. может находиться в равновесии с ся включении сопрягающиеся грани новой металлом только при темп-ре, фазы и включения в степени должны энергий тв. и жидкой фаз. Для соответствовать одни другим (размерно и начала процесса кристаллизации необх. переструктурно);

охладить жидкий расплав до определ. величикристаллизация под газовым давлением ны, чтобы получить выигрыш в своб. энергии [crystallization under gas pressure] — переход и компенсировать работу образования крисжидкого металла под давлением в таллич. зародыша (см. Сутв. состояние. Различают кристаллизацию под ществует критич. величина (0,5-5 нм) зарорегулируемым перепадом газ. давления (см.

дыша (критич. зародыш), при достижении и Литье под низким давлением, Литье с протипревышении к-рой зародыш термодинамич.

водавлением) и под всесторонним газ. давлеустойчив и м. б. центром кристаллизации. Разнием — автоклавное литье (см. Литье с кример критич. зародыша в сильной степени засталлизацией под давлением);

висит от переохлаждения расплава: с увелич.

переохлаждения величина критич. зародыша кристаллизация под поршневым давлением резко уменьшается. Согласно теории гомоген.

[crystallization under piston pressure] — к. расзарождения кинетика кристаллизации опре- плава в пресс-форме под давлением дел. двумя параметрами: скоростью зарожде- поршня от момента заполнения ния центров (с. з. ц.) кристаллизации и ли- пресс-формы до момента затвердевания пинейной скоростью роста (л. с. р.) кристаллов.

тателя. повышению плотности, герС увелич. оба параметра проходят че- метичности, механич. св-в отливок за счет улучшения питания усадки отливки и сжатия газовоздушных включений;

продвижения к-рого для слитка плоснаправленная кой формы рассчит. решением задачи Стеtional (controlled) solidification] — процесс фана (промерзания грунта), а для слитка кристаллизации в и круглой формы — Лейбензона (промерзания формы при равномерном с определ.

нефтепровода). Различают следующие типы скоростью продвижении фронта кристаллифронта кристаллизации: ячеистый, в больш. случаев плоек. Осн. парамет дендритный. Для проры материал и форма тигля, направл.

мышл. слитков и отливок ячеистеплового потока, скорость то-дендритный (рост зерен) и денд градиент перед поверхностью разритный (образование и рост равноосных дендела фаза, конвекция в жидкой дритов) фронты. В сечении слитка могут нафазе. При н. к. обеспеч. темп-рный блюдаться: три зоны (мелкозернистая струкградиент перед фронтом кристаллизации, тура у пов-ти, далее столбчатая с переходом избежать переохлаждения, в равноосную в центре слитка); две зоны в объеме расплава и неста(столбчатая с переходом в равноосную) и бильности фронта кристаллизации. Н. к. возодна зона (столбчатая или равноосная по можна: методом зонной плавкой всему сечению).

и методом Возможно образование недендритного го, литьем в оболочковые формы и др. (см.

фронта кристаллизации. Недендритная структж. Выращивание тура по всему сечению слитка м. б. получена неравновесная кристаллизация [non-equусилением в рац.

ilibrium solidification] — процесс кристалливыбора модификаторов или физич. методов зации в условиях диффузии в фазе воздействия на кристаллизацию (ультразвук, или одноврем. в тв. и жидкой фазах. Механизм поле и др.). В этом случае зерно изменения состава при кристаллизации тв. рявляется предельно мелким;

ров в сплавах как с так и с ограсверхбыстрая кристаллизация [ultra-rapid нич. растворимостью по Д. А. Петрову сводитcrystallization] — к. жидкого расплава при очень ся к следующему. При равновесной кристалбольших К/с) скоростях реалилизации состав тв. р-ра непрерывно измен.

зуется, напр., при получении очень мелких Превращ. жидкости в тв. р-р следует рассмат(< 50 мкм) гранул распылением расривать как два параллельных процесса: собплава водой или при литье тонких (< 30 мкм) ственно образование кристаллов тв. р-ра при лент на подложку (барабан, диск темп-ре равновесного ликвидуса и изменеи др.). При с. к. в ряде сплавов может форминие состава кристаллов, при более роваться аморфная или смешанная (аморфвысокой температуре.

ная + структура. случае Первый процесс предполагает диффузию понятие с. к. следует заменить на сверхбысттолько в жидкой фазе (включая разделит.) и рое затвердевание;

протекает сравн. легко. Второй предполагает диффузию и в тв. фазе. Он протекает медлен- фракционная кристаллизация [fractional crysно и при скоростях охлаждения может tallization] — способ глубокого разделения не идти. Сохранение равновесного рас- близких по св-вам вещ-в и очипред. при полном подавлении диффузии в тв.

стки их от в растворефазе (т. е. равновесие жидкости с тв. фазой у нии исх. смеси вещ-в и разгонке их на фракпов-ти кристаллизации) — квазиравновесие.

ции. Менее р-римое кристаллизуетОгранич. диффузия в тв. фазе хар-рна для крися, а более р-римое остается в маточном рсталлизации больших масс металла ре. Ф. к. применяют для разделения комплексвсех слитков и отливок). Повыше- ных солей и Та, Zr и Hf и др. Напр., ф. к.

ние скорости кристаллизации может привес- широко используется для разделения фторити к ограничению диффузии в жидкой дов и Растворимость соли Hf в а тж. к затвердеванию в соответствии с диаг- воде примерно в 2-2,4 раза выше, чем соли раммой равновесия. условия хар что позволяет концентрировать Hf в ма для сверхбыстрой кристаллизации гра- точном р-ре. При содержании в чешуек, очень тонких лент.

% Hf (по к Zr) за последоваНаправл. от пов-ти слитка оп- тельных перекристаллизации можно получить ределяет форму фронта кристаллизации, скосоль Zr, содержащую % Hf.

КРИСТАЛЛИТ - КРИСТАЛЛОФИЗИКА [crystal physics] физич. кристаллография, изучает физич. свва кристаллов и кристаллич. агрегатов и изменение этих св-в под влиянием разных возКРИСТАЛЛИТ [crystallite, crystal, grain] — действий. В отношении многих физич. св-в монокристалл с внеш. огранкой, обусдискретность строения кристалла не условиями роста.

и кристалл можно рассматривать как однородную, но анизотропную среду. Поня [crystal тие однородности среды означает рассмотреmonochromator] — кристалл графита, кварца ние физич. явлений в объемах, преили др. избират. узкий участок нек-рый для данной кристаспектра излучения (чаще лич. среды объем: объем ячейки для применяется в аппаратах монокристалла, ср. объем кристаллита для анализа металлов и сплавов.

кристаллич. агрегатов (металла в поликрис форме, горных пород, текстур и т.д.).

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ [crystallography] наука о кристаллах и сост. вещ- Анизотропность среды означает, что ее св-ва ва. Изучает симметрию, строение, образо- изменяются с направления, но одивание и св-ва к. зародилась в древ- наковы в направлениях, эквивалентных по ности в связи с наблюдениями над природ- симметрии.

ными кристаллами с формой правильных КРИСТАЛЛОХИМИЯ [crystal к. как наука сущ.

раздел химии, тесно связ. с кристаллографис сер в. В вв. к. развивалась в ей; изучает расположение и хитесной связи с минералогией, как дисципмич. связь (атомов), молекул в кристаллах, а лина, устанавлив. закономерности огранки тж. физич. и св-в кристаллич.

кристаллов. Совр. к. как одна из облавещ-в от их строения. Источники экспер. данстей физики, тесно связ. с химией и миненых о кристаллич. структурах — гл. образом широко примен. в металлургии, ма анализ, структурная териаловедении и др.

и нейтронография, с помощью кСтруктурная к. исследует строение определяют межат. расстояния и углы кристаллов посредством линиями химич. связей (валентные углы).

го анализа, электронографии, нейтронограОсн. задачи систематика кристаллич.

фии, опирающихся на теорию дифракции структур и описание в них типов волн в кристаллах. Используются тж. методы химич. связи; интерпретация кристаллич.

Pages:     | 1 |   ...   | 56 | 57 || 59 | 60 |   ...   | 185 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.