WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 |   ...   | 17 | 18 || 20 | 21 |   ...   | 185 |

При классификации структурных состав- ки (последний выпуск чугуна), а затем выляющих в соответствии с диаграммами со- пускают козловой чугун из леток стояния (см. тж. Структура) в., образующие- ниже оси чугунных леток на 2,5-3,0 м.

ся из тв. р-ра при охлаждении, на- После выпуска чугуна прекращают подачу в печь дутья и воды, снимают сопла фурзывают вторичными в отличие от первичных, образующихся из расплава при кристаллиза- менных приборов, фурмы забивают глиной и возобновляют подачу воды (на ч) до ции и обнаруживаемых в структуре в виде отд.

полного остывания печи.

кристаллитов. Различают также и межфазные в.:

ВЫЖИГАНИЕ [firing, burning] - удаление выделения [grain-boundary из пористых брикетов добавок (пластификаprecipitates] - выделения по границам зерен.

торов, смазок) путем нагревания до или 3. в. зарождаются и растут по зерен после спекания.

при небольших переохлаждениях пересыщ. тв.

р-ра, когда термодинамич. стимул превращеВЫКРУЧИВАНИЕ [twisting; unscrewing] ния мал и требуется уменьшение погидролиз алюмината натрия с введением заверхностной и упругой энергии критич. заротравки свежеосажденных кристаллов дыша в результате эффектов гетерогенного и с перемешиванием при произ-ве зарождения. 3. в. зарождаются на дефектах границ зерен: ступеньках и дисВЫПАРИВАНИЕ [evaporation] - отделение локациях;

жидкого летучего в виде пара от рмежфазные выделения precipi- в нем малолетучего путем подtates] - выделения, зарождающиеся на вода теплоты с целью получения более конгранице раздела двух фаз. в. образуются в р-ров либо вещ-в, не состалях, сильными карбидообра- держащих р-рителя. При атм. давлении в. везующими: Ti, V, Mo, W. В этих сталях дут, как правило, при темп-ре кипения р-ра, при опред. условиях обработки при форми- при испарение происходит интенровании первичного феррита из аустенита сивно. В. р-рителя под вакуумом ведут в внутри образуются плотно рас- аппарате; образующийся пар отположенные цепочки очень дисперсных ча- водится в холодильник-конденсатор, соедистиц карбидов (их размеры 10 нм, а рас- с воздушным насосом, отсасывающим из стояние между ними нм). Эти карбиды всей системы воздух и создающим вакуум. Позарождаются на границе раздела скольку жидкости кипят под вакуумом при ной и ферритной фаз, а затем поглощаются более низких то такой способ в. борастущим зерном феррита. лее производителен; кроме того, он позволяет упаривать не выдерживающие ВЫДРА [holing waste; slug] - часть объема осуществить многократное в. Системеталла, удаляемого из заготовки во время ма, состоящая из неск. аппаратов-корпусов, прошивки при свободной ковке.

называется многокорпусной выпарной установкой, в к-рой достигается экономия ВЫДУВКА доменной печи [blowing-out] пара.

операция освобождения от шихтовых материалов и продуктов плавки рабочего про [pressing, squeezстранства печи для ее капит. ремонта.

- удаление порошковой прессовки За суток до в. д. п. в ней начинают вы- из пресс-формы.

плавлять марганцовистый чугун % уменьшая при этом основность шлака. ВЫПУКЛОСТЬ [convexity, bulge] - дефект За сутки до в. д. п. прекращают загрузку флюса формы плоского проката - увеличение толи офлюсованной шихты, а за 14-15 ч. - щины от краев к центру или ширины от конданный градиент к-рый определяВЫПУСК - ВЫРАЩИВАНИЕ ет направление потока тепла и, соответственцов полосы к середине — образуется при проно, направление кристаллизации. Такая крикатке металла в перегретых или выработан.

сталлизация называется направленной крисвалках, а также при концов слитталлизацией.

ка или раската:

На рис. а приведена схема вертик.

выпуклость бочки валка [roll camber ва для выращивания монокристаллов мето - профиль бочки валка листопрокат- дом Процесс направленной криного стана, при котором диам. середины боч- сталлизации ведется в герметичных ампулахки больше диам. ее краев, что обеспечивает контейнерах, в создан или вакуум, или получение одинаковой толщины листового атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве проката; получается при профилировании зародыша кристаллизации используют невалка на станке.

большой монокристалл вещ-ва необходимой В. б. в. в результате неравномерного нагре ориентации, который пова ее середины и краев в процессе прокатки лучил название затравки 5. Для направлен тепловой.

ной кристаллизации перемещают ампулу 2 от градиентного поля. Такое ВЫПУСК [tapping] — процесс слива жидперемещение достигается или опусканием амких металла и шлака из плавильной печи. При пулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам.

этом В. жидкого металла в ковш с отделенимонокристалла определяется разем шлака наз. бесшлаковым выпуском. Выпусмерами ампулы. При использовании ампул из кное отверстие обычно располагается либо в кварца размер монокристаллов в попебоковой стенке, либо в подине печи (донреч. сечении редко превышает 50 мм.

ный в.). Донный в. стали из дуговой печи через отверстие, смещенное оси печи, наз. в.

ВЫПУСК калибра [side angle - наклон боковых стенок калибра относительно перпендик. к оси валков, выражается в процентах уклона, тангенсом или угла наклона стенки ручья калибра. В. к. обеспечивает: удобную и правильную подачу раската в калибр и центровку раската; своб. выход раската из калибра и устранение опасности защемления металла и оковывания валка;

управление степенью заполнения калибра металлом изменением р-ра валков; переточку изнош. калибров с сохран. их размера по ширине. В. к. составляет: заготовочных и сортовых станов, швеллерных % для черновых и % для чистовых; балочных 5-10 % для черновых и 0,5-1,0 % для чистовых; в. к. для прокатки мелкосортных профилей и катанки Иногда, напр., у двутавровых и ящичных калибров, делают двойные выпуски, улучшаю центровку раската при сохранении простора для уширения. Рис. 1. схемы устройств для направленной расплава: а — метод Бриджмена; б — вертикальной зонной плавки; в — метод ВЫРАЩИВАНИЕ монокристаллов [single г — метод с подпиткой твердой фазой; д — crystals growing] — получение метод Степанова; е — вариант метода Чох вещ-в в виде объемных монокри- ральского; / — нагрева; 2 — контейнер (ампула; тигель) для расплава; 3 — расплав; 4 — монокристалл; 5 — сталлов или затравка; 6 — 7 — электронная пушка;

слоев и пленок кристаллизацией расплавов 8 ~ поликристаллический слиток; — направление или из паровой (газовой) фазы. ния; v - направление перемещения монокристалла в температурном поле; - подпитыВ основе методов в. расплавов — кривающего слитка; - температура плавления (кристаллисталлизация в тепловом поле, имеющем зазации) монокристалла оплавлением опускаемого в расплав поликриВЫРАЩИВАНИЕ слитка 1, г), или плавлением также вариант мето- гранул вещ-ва, подаваемых дозированно в да Ампула-контейнер в этом слу- расплав, или путем подачи расплава из дочае служит не тиглем для расплава, а каме- тигля. Вариант метода Чохральского в к-рой создается или вакуум, или не- с подпиткой расплава - вариобходимая среда газов, паров. ант (рис. е). Ванна расплава создается в поДля крупных монокристал- слитке вещ-ва. Подпитка идет лов используется вариант вертик. метода, из- при расплавлении гарнисажа по мере вытявестный как метод гивания монокристалла.

Применяются спец. тигли-изложницы с ко- Варианты метода Чохральского с подпитнич. дном, охлаждаемым с помощью тепло- кой расплава получили распространеобменника. Этим методом выращивают слит- ние для выращивания монокристаллов Si.

ки и Si диам. до 500 мм. На рис. б приведена схема устр-ва для Метод Бриджмена применяется гл. выращивания монокристаллов методом вердля выращивания монокристаллов соедине- тикальной зонной плавки.

ний и др., в состав слиток 8 вещ-ва в вертик. ампуле-контейнере входят легколетучие компоненты. расплавляется на неб. длине. крисНа рис. в представлена схема для таллизация начинается от выращивания монокристаллов методом затравки 5. Движение зоны достига Шихта вначале полностью расплав- ется или перемещением ампулы ляется в тигле 2. Выращивание монокристал- узла нагрева /, или наоборот. Существует такла начинается с приведения затравки 5, за- же горизонтальная зонная плавка, когда амкрепл. на вертик. подвижном штоке, в кон- пула-контейнер располаг. горизонтально.

такт с расплавом. Возникает граница раздела Методы вертик. и зонной плавки фаза (фронт кристаллизации). используются также при выращивании моШток с затравкой перемещается с опреде- нокристаллов из В этом слуленной скоростью вверх, как бы вытягивая чае кристаллизацию ведут из распламонокристалл из расплава. В связи с этим ва-р-ра кристаллизуемого в виде монокрисметод часто называют методом талла полупроводника, напр. GaAs в расплавытягивания монокристаллов. Метод Чохраль- ве Ga или CdTe в расплаве Cd.

ского распространен в произ-ве моно- Зона на основе м. б. помекристаллов полупроводников с заданными св- щена в поле с градиентом темпвами. Этим методом выращивают совершен- в одном направлении. Это - зонная плавные (бездислокационные) монокристаллы Si, ка в градиенте.

Ge, фосфидов, арсенидов, антимонидов Ga, Бестигельная зонная плавка (БЗП) - верIn и ряда др. соединений диам. до 300 мм. тик. зонная плавка без ампулы-контейнера.

Для получения монокристаллов не только Поликристаллич. слиток закрепкруглого, но и других сечений, используется ляется м-ду двух вертик штоков, кметод Степанова (рис. д), разработанный могут не только но и врана основе метода Чохральского. фор- щаться вокруг продольной оси как синхронма сечения задается специальными формо- но, так и независимо. Обычно используются образователями 6, помещаемыми на поверх- скорости от 2 до 20 об/мин. Метоность расплава в тигле и создающими необ- дом БЗП выращивают, напр., монокристал форму столбика распла- лы Si диам. до 20 см. Скорость крива. Метод позволяет выращивать монокрис- сталлизации при монокристаллов таллы в виде труб с разной формой попереч. 3 • см/с.

сечения, пластин, монокристаллы с квадрат- Монокристаллы из газовой фазы выращиным и более сложными сечениями. Существу- вают конденсацией или кристаллизацией в ют варианты метода, когда пластины вытя- ходе хим. реакций в газ. среде загиваются из тигля в направлении. состава.

Для выращивания монокристаллов с од- Выращивают монокристаллы методом коннородным распределением компонентов по денсации в замкнутой (рис. 2, а и 2, б) или длине и повышения произв-ти метода Чох- проточной (рис. 2, в) системах.

ральского разработаны его модификации, В случае замкн. системы используется заособенностью к-рых является подпитка рас- паянная кварцевая ампула-контейнер 2. В амплава. Подпитка может вестись регулируемым пуле создается вакуум, или она заполняется инертным газом. Ампула с загрузкой шихты ВЫРУБКА - ВЫСАДКА синтезиров. вещ-ва помещается в трубчатую печь (рис. 2, а) с продольинертного газа, подаваемого в реактор. Крисным градиентом. Вещ-во сублиталлизация идет на спонтанно возникших замирует или испаряется в горячей части амродышах. растут монокристалпулы и конденсируется в более холодной ее лов, размеры редко превышают части. направление выращиМетоды конденсации распространеваемого монокристалла можно задать ориенны для выращивания полу затравкой 6. Методом конденсации в проводников в виде пленок.

замкнутой системе м. б. получены монокрисХимические методы выращивания из паталлы до 5 см. Этим методом выращиваровой фазы, как и методы осуют монокристаллы CdTe, ZnS, SiC. Возмо в замкнутой системе (рис. 2, а, б) или жен вариант метода конденсации проточной системе (рис. 2, г).

(рис. 2, б). Кристаллизация в этом случае проВ замкнутой системе в ампуле создается исходит на спонтанно возникших зародышах.

среда реагента, способного хим. взаимодейРастет сразу несколько монокристаллов. Разствовать с вещ-вом загрузки по обратимой меры их меньше, чем в вертик. вариреакции. Константа равновесия реакции доланте метода.

жна быть близкой к ед. В более холодной зоне ампулы идет обратная реакция с выделением кристаллизуемого вещ-ва и реагента. Газообразные компоненты реакции в замкнутой системе переносятся диффузией и конвекцией. Такой метод выращивания монокристаллов получил название метода химических транспортных Им можно выращивать монокристаллы соединения В кач-ве реагента часто используют хлор, иод.

При выращивании монокристаллов хим.

методами в проточной системе (рис. 2, г) в реактор подается смесь газа-носителя с парами хим. соединений, участвующих в реакции, один из продуктов к-рой — кристаллизуемое Использование газа-носителя для создания потока компонентов реакции нашло отражение в названии методов — газотранспортных химических реакций или выРис. 2. схемы устройств для ращивания монокристаллов (слоев, пленок).

монокристаллов из паровой фазы: а — вариВ кач-ве газов-носителей применяются инерант метода конденсации и метода химических транспортных реакций в замкнутой системе; 6 — горизонтальный ва- тные газы или водород, выполняющий одриант и метода транспортноврем. и распросных реакций в замкнутой системе; в - метод конденсации в транение газотранспортные методы получипроточной системе; г — метод газотранспортных химических реакций; / узел нагрева; 2 — ампула; 3 ~ шихта; 4 — в ли при выращивании эпитаксиальных слоев объеме атмосфера; 5- 6 и пленок (см.

затравка; 7- реактор; 8— в объеме пар кристаллизуемого + нейтральный газ 9 — ВЫРУБКА cutting-out] - опедаемый реактор; — стержень; нагреваемый электрическим током; // - в объеме атмосфера: парогазо- рация листовой штамповки отделение заговая смесь + газообразные продукты ретовки или детали от листовой заготовки или — скорость ампулы относительно профильного материала по замкнутому коннагрева туру сдвигом в спец. вырубных штампах.

В случае проточной системы герметичный ВЫСАДКА [upset, heading] — реактор из кварца помещается в операция горячей и холодной обработки трубчатую печь (рис. 2, в) с градиентом металлов давлением, заключающаяся в уве в продольном направлении. Вещество от личении поперечного размера части заготовзагрузки шихты в горячей зоне реактора пеки в результате ее деформации осадкой. Гореносится в более холодную зону потоком рячую в. для получения поковок шестерен, ВЫСЕЧКА - ВЫХОД ВЫТАЛКИВАТЕЛЬ [ejector, kick-off, stripper, extractor, pusher] - 1. Механизм выдачи клапанов, полуосей, валиков и т.п. осуществ- заготовок из печи. 2. Элемент стержляют, как правило, на горизонтально-ковоч- невого ящика и формы для извленых и электровысадочных машинах. Для го- чения стержня, разовой модели или отливки рячей в. крепежных изделий используют раз- из рабочей полости. 3. Деталь штампа для выные способы. Болты, винты и заклепки диам. талкивания изделия или отхода из полости мм высаживают на фрикц. прессах, од- матрицы или матрицы-пуансона штампа.

Pages:     | 1 |   ...   | 17 | 18 || 20 | 21 |   ...   | 185 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.