WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

возбуждающей электромагнитной волны с электронной [19] И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, Д.А. Контрерас-Солорио, системой, что приводит к появлению сдвигов резоС.Т. Павлов. ФТТ 44, 2084 (2002); Cond-mat / 0001248.

нансных частот; эти сдвиги по-разному комбинируются [20] Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, с резонансными частотами 1 и 2. При переходе к С.Т. Павлов. ФТТ 43, 2091 (2001).

пределу d 0 сдвиги исчезают и симметрия кривых [21] Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, Д.А. Контрерас-Солорио, восстанавливается. С.Т. Павлов. ФТТ 44, 1681 (2002).

[22] И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 48, 1693 (2006).

Наконец, кривые 5 и 6 на рисунках соответствуют [23] И.Г. Ланг, Л.И. Коровин, С.Т. Павлов. ФТТ 47, 1704 (2005);

случаю d = 0, = 1. Кривые здесь симметричны, а Cond-mat / 0411692.

влияние параметра проявляется в параллельном сдви[24] И.Г. Ланг, С.Т. Павлов, Л.И. Коровин. ФТТ 46, 1708 (2004).

ге кривых (если r = ) либо изменении в окрестности [25] J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev. 97, 869 (1955).

экстремумов (r ).

[26] И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников.

Главный вывод, который следует из приведенного расНаука, М. (1978).

чета, заключается в том, что при больших радиационных [27] Л.И. Коровин, И.Г. Ланг, С.Т. Павлов. ЖЭТФ 118, временах жизни возбужденных состояний по сравнению (2000); Cond-mat / 0004373.

с нерадиационными временами (которые определяются, [28] И.В. Лернер, Ю.Е. Лозовик. ЖЭТФ 78, 1167 (1980).

в частности, рассеянием электронов и дырок на примесях и фононах) частотная зависимость коэффициента отражения определяется в основном знакопеременными членами в выражении для плотности тока. В этом случае можно пренебречь величиной r в резонансных знаменателях, т. е. решать задачу в линейном по взаимодействию электромагнитной волны с электронной системой приближении.

Список литературы [1] H. Stolz. Time resolved light scattering from exitons. Springer Tracts in Modern Physic. Springer, Berlin (1994).

[2] J. Shah. Ultrafast spectroscopy of semiconductors and semiconductor nanostructures. Berlin (1996).

[3] H. Hang, S.W. Koch. Quantum theory of the optical and electronics properties of semiconductors. World Scientific (1993).

[4] Л.Е. Воробьев, Е.Л. Ивченко, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин.

Оптические свойства наноструктур. Наука, СПб (2002).

[5] L.C. Andreani, F. Tassone, F. Bassani. Solid State Commun.

77, 641 (1991).

[6] L.C. Andreani. In: Confined electrons and photons / Eds E. Burstein., C. Weisbuch. Plemun Press, N. Y. (1995). P. 57.

[7] Е.Л. Ивченко. ФТТ 33, 2388 (1991).

[8] Е.Л. Ивченко, А.В. Кавокин. ФТТ 34, 1815 (1992).

Физика твердого тела, 2006, том 48, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.