WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     || 2 |
Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 12 Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT © В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, А.М. Слипенюк, И.П. Быков Институт проблем материаловедения Академии наук Украины, 03142 Киев, Украина E-mail: dep4@materials.kiev.ua (Поступила в Редакцию 26 апреля 2000 г.) Представлены результаты исследования ЭПР сегнетоэлектрической 1.8/65/35 и антисегнетоэлектрической 2/95/5 оптически прозрачной керамики Pb1-yLayZr1-xTixO3 (PLZT) в широком температурном интервале (20–300 K) после облучения светом длиной волны 365–725 nm. Облучение ультрафиолетовым светом, энергия которого соответствует ширине запрещенной зоны этих материалов, при T < 50 K приводит к появлению ряда фотоиндуцированных центров: Ti3+, Pb+ и Pb3+. Показано, что данные центры образуются вблизи примеси лантана, замещающей как ион Pb2+, так и частично Ti4+ путем захвата носителей заряда из зоны проводимости или валентной зоны узельными ионами решетки. Измерены температурные интервалы стабильности этих центров, а также определено положение их локальных уровней энергии в запрещенной зоне. Самым мелким является Ti3+ — его энергетический уровень расположен на 47 meV ниже дна зоны проводимости. Центры Pb3+ и Pb+ создают более глубокие локальные уровни, в керамике PLZT 2/95/5 они устойчивы до комнатной температуры. Для обоих составов керамики изучены процессы миграции локализованных носителей заряда. Показано, что с повышением температуры или под действием красного света ионизированные в зону проводимости с Ti3+ электроны перехватываются на более глубокие центры Pb+, препятствуя дрейфу носителей в зоне и проявлению фотопроводимости. Обсуждается роль локализованных зарядов в электрооптических явлениях, имеющих место в керамике PLZT.

Оптически прозрачная керамика PLZT относится к Несмотря на очевидную важность изучения фотоинтвердым растворам сегнетоэлектрика PbTiO3 и антиcег- дуцированных собственных дефектов, информация о них нетоэлектрика PbZrO3, легированным небольшими до- пока остается ограниченной. В частности, были идентибавками La. Введение лантана в PbZr1-xTixO3 не толь- фицированы только два центра Pb3+ иTi3+ в PLZTсостако увеличивает плотность горячепрессованной керамики ва 7/65/35 и 8/65/35 (см. [3,4], а также [5]). Температурдо 99.5%, вследствие чего она становится оптически од- ная стабильность этих центров была изучена нами в [5].

нородной и прозрачной, но и существенно изменяет все Однако многие вопросы, относящиеся к этим, а также к ее электрофизические свойства. Так, при концентрации ряду других центров, оставались невыясненными.

лантана более 8% диэлектрическая проницаемость соВ настоящей работе продолжено изучение наведенных става 65/35 проявляет заметную частотную дисперсию, светом дефектов в керамике PLZT двух разных состахарактерную для релаксорных систем [1,2]. Уменьшение вов (1.8/65/35 и 2/95/5). В частности, анализ спектра размеров зерна и дробление полярных доменов при в районе g-фактора 2.0 позволил выделить линии ЭПР, введении La приводит к уменьшению коэрцитивного принадлежащие новому электронному центру Pb+. Пополя. С другой стороны, растет доля областей, граниказано, что с повышением температуры или под действичащих с доменными стенками, существенно увеличиваем красного света электроны, ионизированные с Ti3+, ется величина неоднородных внутренних электрических не аннигилируют с дырками, а перезахватываются бополей, наведенных различного рода несовершенствами лее глубокими центрами Pb+. Путем измерения по кристаллической структуры, а также захваченными на спектрам ЭПР температурной зависимости вероятнодефектах носителями заряда. Как результат, такая среда сти термической ионизации локализованных носителей становится чрезвычайно чувствительной даже к малым определены положения энергетических уровней Pb+, внешним воздействиям, которые с состоянии изменить Pb3+ и Ti3+. Предложен механизм локализации фотолокальную электрическую поляризацию.

носителей в PLZT, обсуждается роль локализованных Одним из таких важных внешних факторов, способных носителей в электрооптических явлениях, характерных эффективно повлиять на электрическую поляризацию, для этого типа сегнетоэлектрической керамики.

является оптическое облучение. Именно на эффекте оптически индуцированного изменения полярного состояния основаны многие перспективные практические 1. Эксперимент применения керамики PLZT. Интуитивно понятно, что Исследования проводились на образцах оптически данное явление может быть связано, в частности, с прозрачной керамики Pb1-yLayZr1-xTixO3 (y/1 - x/x) локализацией фотоносителей на локальных уровнях с двух составов, 1.8/65/35 и 2/5/95, которые были приготосозданием областей локально не скомпенсированного пространственного заряда. Обычно такой локализован- влены по стандартной технологии методом двухстадийный носитель создает парамагнитный центр, и ЭПР ного горячего прессования [6]. Образцы имели форму является наиболее подходящим методом исследования пластин размером 4 2 0.5 mm, поверхность кототаких центров. рых тщательно полировалась. Спектры ЭПР измерялись Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT Рис. 1. Спектр ЭПР в керамике PLZT 2/95/5 при T = 20 K: (a) до облучения, (b) после облучения ультрафиолетовым светом (365 nm).

спектрометром X-диапазона с использованием Оксфорд- 2. Экспериментальные данные ской температурной приставки ESR-9 в интервале тем2.1. С п е к т р ы Э П Р. Низкотемпературные (T =20 K) ператур 20–300 K. Облучение образцов осуществлялось измерения спектров ЭПР керамики PLZT состава 2/95/непосредственно в резонаторе спектрометра ртутной показали, что до оптического облучения наблюдается лампой высокого давления при температуре T = линия очень малой интенсивности с величиной или 290 K с набором оптических фильтров узких полос g-фактора, близкой к значению для свободного пропускания с длинами волн 365, 405, 436, 579, и 725 nm. При исследовании влияния низкотемператур- электрона (g 2), а для образца состава 1.8/65/35 — спектр ЭПР отсутствует (рис. 1, a и2, a). При комнатной ного отжига (100 < T < 155 K) на спектры ЭПР образец после облучения при T = 20 K нагревали до фиксиро- температуре спектр ЭПР не наблюдался ни для одного ванной температуры, выдерживали там в течение задан- из исследуемых образцов.

ного времени (обычно 1–40 мин) и быстро охлаждали В результате облучения при T = 20 K ультрафиоледо температуры T = 20 K, при которой записывался товым светом (UV), энергия которого приблизительно спектр ЭПР. равна ширине запрещенной зоны (3.4 eV), в обоих образФизика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2192 В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, А.М. Слипенюк, И.П. Быков Рис. 2. Спектр ЭПР в керамике PLZT 1.8/65/35 при T = 20 K: (a) до облучения, (b) после облучения ультрафиолетовым светом (365 nm).

цах наблюдались фотоиндуцированные спектры ЭПР, Как видно из анализа, спектры обоих составов керапредставленные на рис. 1, b и 2, b для составов 2/95/5 мики состоят из двух групп линий с близкими значеи 1.8/65/35 соответственно. Разделение спектров на от- ниями g-факторов: g 2 и 1.94. Линия ЭПР, средний дельные линии, принадлежащие различным парамагнит- g-фактор которой равен 1.934, наблюдалась ранее как ным центрам, было проведено с использованием ком- в PLZT, так и в PZT керамике и была отнесена к иону пьютерной программы Peak Fik; полученные кривые титана Ti3+ (3d1) [3,4]. Наблюдаемый нами спектр со изображены пунктирными линиями на рис. 1, b и 2, b. средним значением g-фактора 1.94 может также приВ процессе разделения спектров на отдельные соста- надлежать иону титана, а его сложный вид связан с вляющие использовалась их температурная зависимость, анизотропией g-фактора. Кроме спектра титана, в кепоскольку отдельные центры имели разные температур- рамике PLZT состава 8/65/35 наблюдалась линия ЭПР, ные интервалы своей стабильности. В результате ком- g-фактор которой равен 2.015. Она была идентифипьютерной обработки были рассчитаны точные значения цирована как принадлежащая F-центру [5]. В наших g-факторов разделенных линий. исследованиях в обоих составах керамики также наФизика твердого тела, 2000, том 42, вып. Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT блюдается линия с близким значением g-фактора 2.012, но ее интенсивность в сегнетоэлектрической керамике состава 1.8/65/35 приблизительно в 10 раз больше, чем в антисегнетоэлектрическом образце 2/95/5. В данной работе мы ее идентифицировали как принадлежащую иону Ni3+ (3d7).

Наибольший интерес, на наш взгляд, представляют спектральные линии, расположенные вблизи g = 2.00.

По всей видимости, одна из них принадлежит центру свинца Pb3+ с g = 1.995, описанному в работах [3,4], а небольшое отличие в величине g-фактора может быть связано с более точным его расчетом благодаря разделению линий. Вторая линия (g = 1.992), выделенная благодаря разделению спектров ЭПР, наблюдается в керамике PLZT впервые и принадлежит, скорее всего, термически более устойчивому центру Pb+, так как она наблюдалась вплоть до комнатной температуры.

Как видно из рис. 1 и 2, интенсивности спектральных линий с одинаковыми значениями g-факторов для разных составов керамики сyщественно отличаются. Так, для образца состава 1.8/65/35 наиболее интенсивными являются лини с g = 2.012 и 1.992. Линия Ti3+ (g = 1.94) — самая малоинтенсивная для этого состава керамики. Для образца 2/95/5 наиболее интенсивен спектр, принадлежащий иону Ti3+, и линия с g = 1.992.

2.2. Влияние температуры отжига на фотоиндуцированные спектры. Исследование Рис. 3. Температурная зависимость фотоиндуцированных влияния температуры отжига на наведенные светом спектров ЭПР в керамике PLZT 2/95/5.

спектры ЭПР проводилось в температурном интервале 20–280 K и результаты представлены на рис. 3 и 4 для составов керамики 2/95/5 и 1.8/65/35 соответственно.

Видно, что для обоих керамик интенсивность спектра Ti3+ (g = 1.94) максимальна при низких температурах 20–70 K. При повышении температуры интенсивность уменьшается, и выше T = 180 K спектр практически не наблюдается.

Линия с g = 2.012 для обоих составов керамики наблюдается до T 190 K. Однако из температурной зависимости видно (рис. 4), что ее интенсивность сначала увеличивается при повышении температуры и достигает максимального значения при T 130 K, при дальнейшем повышении температуры интенсивность очень резко уменьшается. Так, например, повышение температуры всего до 160 K приводит к уменьшению интенсивность этой линии примерно в 4 раза по сравнению с интенсивностью при T = 130 K.

Наиболее термически устойчивыми являются фотоиндуцированные центры, принадлежащие ионам свинца, g = 1.999 и 1.992, спектры которых наблюдались нами вплоть до комнатной температуры T 290 K. Однако выдержка образцов в течение нескольких дней при 300 K приводит к стиранию всех наведенных в результате облучения UV светом спектров ЭПР.

2.3. Влияние энергии облучающего света.

Эксперименты по изучению влияния энергии облучающего света на поведение спектров ЭПР проводились Рис. 4. Температурная зависимость фотоиндуцированных спектров ЭПР в керамике PLZT 1.8/65/35.

двумя способами: в первом случае образцы облучались 6 Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 2194 В.В. Лагута, М.Д. Глинчук, А.М. Слипенюк, И.П. Быков индуцируемые в обоих образцах керамик, очень похожи и состоят из двух интенсивных линий с близкими значениями g-факторов 1.99 и двух малоинтенсивных сверхтонких линий, меньших по интенсивности почти в 4 раза, а также линии в высоких полях (546 mT, g = 1.23). Кроме того, можно отметить, что расстояние между сверхтонкими линиями в PLZT 1.8/65/35 больше, чем между такими же линиями в PLZT состава 2/95/5, что может быть связано с различием в кристаллической структуре разных типов керамики. Указанные линии присутствуют и в сложных спектрах, представленных на рис. 1 и 2. Как уже отмечалось, одна из них (g = 1.999) наиболее вероятно относится к центру Pb3+.

Действительно, наличие сверхтонкого перехода от изотопа Pb в высоких полях (B = 546 mT) подтверждает природу этого центра. Второй спектр (g = 1.992) и две сателлитные линии, по нашему мнению, относятся к центру Pb+ (6p1). Хорошее разрешение сверхтонких линий позволяет достаточно точно рассчитать их относительную интегральную интенсивность, которая составляет 22% интенсивности всего спектра и, таким образом, подтверждает их принадлежность к изотопу Pb (I = 1/2, природная распространенность 22.8%). Наблюдаемое отрицательное отклонение g-фактора (g-ge < 0) согласуется с тем, что предсказывается для 6p1 конфигурации теорией кристаллического поля. В этом приближении Рис. 5. Влияние энергии облучающего света на спектры ЭПР в керамике PLZT 2/95/5.

непосредственно в резонаторе спектрометра с помощью набора оптических фильтров разных длин волн при T = 20 или 290 K. Во втором случае образцы последовательно облучались при T = 20 или 290 K ультрафиолетовым светом (365 nm) и светом заданной длины волны. Для обеих температур увеличение длины волны облучающего света приводило к уменьшению интенсивности всех фотоиндуцированных спектров. Облучение красным светом длиной волны 546–579 nm после ультрафиолетового облучения приводило к полному ”стиранию” всех наведенных ультрафиолетовым светом спектров.

На рис. 5 и 6 представлены результаты по последовательному облучению при T = 20 K ультрафиолетовым светом и светом длиной волны 405–725 nm керамики составов 2/95/5 и 1.8/65/35 соответственно. Видно, что для обеих керамик увеличение длины волны до 405 nm приводит к уменьшению интенсивности всех линий ЭПР.

Дальнейшее увеличение длины волны до 546 nm приводит к полному исчезновению фотоиндуцированных спектров, а наблюдается только малоинтенсивная одиночная линия с g 2. Однако в результате облучения UV и светом длиной волны L = 675 nm в обоих образцах индуцируются новые интенсивные спектры ЭПР. При дальнейшем увеличении длины волны до 725 nm ин- Рис. 6. Влияние энергии облучающего света на спектры ЭПР тенсивность этих линий ЭПР увеличивается. Спектры, в керамике PLZT 1.8/65/35.

Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT 3. Энергия ионизации фотоиндуцированных центров в PLZT Для определения энергий термической ионизации центров были проведены эксперименты по влиянию температуры и времени нагрева на спектры ЭПР керамики состава 1.8/65/35. Измерения проводились в интервале температур 96–155 K, где интенсивности спектров изменялись наиболее сильно. После облучения при T = 20 K образец нагревали до фиксированной температуры (Ti), выдерживали при этой температуре от 1 до 50 минут, после чего быстро охлаждали до T = 20 K, при которой измеряли интенсивности (I) сигнала ЭПР. В области температур, при которой начиналась термическая ионизация центров, интенсивность линии ЭПР изменялась приблизительно по экспоненциальному закону I(Ti, t) =I0 exp -P(Ti)t, (1) где t — время нагрева, P(T) — вероятность ионизации центра.

Pages:     || 2 |



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.