WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

По сравнению с любым MT-потенциалом, построенным из первых принципов, в этом потенциале дополнительно автоматически учтены влияние многоэлектронных эффектов, отклонения реального потенциала от MT-приближения и т. д. С помощью этого потенциала точнее определяются геометрические параметры кристалла. Например, если для CdS варьировать только межъядерное расстояние, а в качестве потенциала использовать исходный потенциал V0, то в результате оптиФизика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.