WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

В этом случае коэффициент поглощения довольно велик и электроны рождаются в тонком слое около поверхности. Поскольку время спиновой релаксации при этих условиях (0.4 ns, см. таблицу) не сильно отличается от времени, определенного для области у гетероперехода (0.6 ns), можно предположить, что за спиновую релаксацию электронов около свободной поверхности также ответствен механизм Дьяконова-Переля. Однако время спиновой релаксации s электронов у свободной поверхности короче, чем у гетероинтерфейса. При этом время релаксации электронов по импульсу p, наоборот, оказывается длиннее (в механизме Дьяконова-Переля s обратно пропорционально p). Это соответствует меньшим концентрациям примеси, что противоречит [21]. Напрашивается вывод, что спиновая релаксация электронов около свободной поверхности происходит не по механизму Дьяконова-Переля.

Действительно, около свободной поверхности концентрация примеси велика [21]; следовательно, за релаксацию спина электронов может быть ответствен механизм Бира-Аронова-Пикуса, при котором спин электронов релаксирует в результате обменного взаимодействия с дырками. Здесь время спиновой релаксации определяется в конечном счете концентрацией акцептоРис. 7. Эффект Ханле в геометрии „на отражение“ при возров (параграфы 5 и 8.3.4 главы 3 в [4]), что позволяет буждении гетероинтерфейса (a) и свободной поверхности (b).

Eh = 1.55 (1), 1.96 eV(2). определить эту концентрацию по известному времени Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2160 Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, К.В. Кавокин, М.В. Лазарев спиновой релаксации. При s = 0.3 ns оценки дают ве- концентрация примеси резко уменьшается до 1018 cm-личину порядка 1020 cm3. Это хорошо согласуется с на расстояниях порядка одного микрона от поверхности.

данными [21]. Итак, хотя при неоднородном легировании определеНеоднородность легирования у свободной поверх- ние кинетических параметров рекомбинации, переноса ности проявляется в эксперименте с квазирезонансным электронов и их среднего спина затруднено, тем не возбуждением этой поверхности (Eh = 1.55 eV). При менее экспериментальные данные по оптической ориенэтом электроны генерируются в более широком слое тации носителей позволяют оценить время спиновой (-1 1 µm), в который наряду с сильнолегированной релаксации электронов и в конечном счете определить областью включена также область с малым легировани- концентрации примеси в различных областях гетероем [21], что должно сказываться на измеряемой величине структуры GaAs/AlGaAs.

скорости спиновой релаксации. В этом случае значение времени спиновой релаксации (0.4 ns) меньше значения, Список литературы вычисленного для слаболегированной области вблизи гетерограницы, и больше значения s для сильнолеги[1] G.A. Prinz. Science 282, 1660 (1998).

рованной области кристалла.

[2] R.I. Dzhioev, K.V. Kavokin, V.L. Korenev, M.V. Lazarev, Следует отметить, что простое сравнение спектров B.Ya. Meltser, M.N. Stepanova, B.P. Zakharchenya, D. Gamкраевой люминесценции при квазирезонансном и выmon, D.S. Katzer. Phys. Rev. B 66, 245 204 (2002);

сокоэнергетическом возбуждении со стороны свободР.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев, Д. Гамон, ной поверхности также дает неоспоримое доказательстД.С. Катцер. Письма в ЖЭТФ 74, 200 (2001).

во неоднородности легирования в образце № 1224.

[3] Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, К.В. Кавокин, П.Е. Пак. ФТТ При комнатной температуре для Eh = 1.96 eV крае- 36, 2752 (1994).

вая люминесценция представляет собой одну широкую [4] Оптическая ориентация. Современные проблемы науки о конденсированных средах / Под ред. Б.П. Захарчени, (полуширина 90 meV) линию, в то время как при Ф. Майера. Наука, Л. (1989).

Eh = 1.55 eV она состоит из двух линий. К люминес[5] J.S. Sandhu, A.P. Heberle, J.J. Baumberg, J.R.A. Cleaver. Phys.

ценции из приповерхностного слоя добавляется рекомRev. Lett. 86, 2150 (2001).

бинационное излучение из более глубоких областей [6] R.I. Dzhioev, V.L. Korenev, I.A. Merkulov, B.P. Zakharchenya, с меньшей полушириной (20 meV) и с максимумом, D. Gammon, Al.L. Efros, D.S. Katzer. Phys. Rev. Lett. 88, смещенным в коротковолновую область спектра.

256 801 (2002).

6. Итак, в настоящей работе представлены результа[7] Д.З. Гарбузов, И.А. Меркулов, В.А. Новиков, В.Г. Флейты экспериментальных исследований арсенид-галлиевых шер. ФТП 10, 354 (1976).

структур, легированных германием (образцы с толщина[8] А.С. Волков, И.К. Волкова, А.Л. Липко, С.М. Меретлев, ми 2.5 и 5 µm) и цинком (образец толщиной 0.4 mm).

Б.В. Царенков. ФТП 21, 1146 (1987).

Исследования проводились методом оптической ори[9] Д.З. Гарбузов, Р.И. Джиоев, Л.М. Канская, В.Г. Флейшер.

ентации. Были определены кинетические параметры ФТТ 14, 1720 (1972).

электронов в зоне проводимости GaAs: времена жизни [10] Р.И. Джиоев, И.А. Меркулов, В.А. Новиков. ФТП 12, и спиновой релаксации, подвижность, коэффициент диф- (1978).

[11] Р.И. Джиоев, К.В. Кавокин. ФТТ 33, 2928 (1991).

фузии, диффузионные длины электронов и их среднего [12] P. Asbeck. J. Appl. Phys. 48, 820 (1977).

спина (см. таблицу).

[13] A. Gavalini, B. Fraboni, D. Cavalcoli. J. Appl. Phys. 71, Важным результатом данной работы является устра(1992).

нение противоречий между выводами работ [9] и [3,11].

[14] J. Hayashi, M.B. Panish. J. Appl. Phys. 41, 150 (1970).

В [9] было обнаружено, что эффект Ханле зависит от [15] J.P. Andre, P. Guittard, J. Hallais, C. Piaget. J. Cryst. Growth длины волны возбуждающего света, что объяснялось 55, 235 (1981).

влиянием рекомбинации электронов на поверхности ар[16] H.C. Casey, Jr., D.D. Sell, K.W. Wecht. J. Appl. Phys. 46, сенида галлия; в то же время в [11] был проведен экспе(1975).

римент, показывающий незначительность поверхностной [17] S.N. Jasperson, S.E. Shnaterly. Rev. Sci. Instr. 40, 761 (1969).

рекомбинации. В настоящей работе выяснено, что зави[18] D.D. Sell, H.C. Casey, Jr. J. Appl. Phys. 45, 800 (1974).

симость эффекта Ханле от длины волны возбуждения [19] C. Weisbuch, C. Hermann. Phys. Rev. B 15, 816 (1977).

обусловлена не поверхностной рекомбинацией электро[20] D.R. Wight, P.E. Oliver, T. Prentice, V.W. Steward. J. Cryst.

нов, а неоднородностью легирования акцепторной приGrowth 55, 183 (1981).

месью по толщине p-GaAs. Это находит подтверждение [21] S. Tiwari, J. Hintzman. A. Callegari. Appl. Phys. Lett. 51, в работах по исследованию диффузии примеси в техно- (1987); K.B. Kahen. Appl. Phys. Lett. 55, 2117 (1990).

[22] T. Wada, A. Takeda, M. Ichimura, M. Takrda, H. Morikawa.

логическом процессе роста структуры [21].

Shellow Impurities in Semiconductors (1988). Proc. of the Методом оптической ориентации были определены 3rd Int. Conf. Linkoping, Sweden (1988).

времена спиновой релаксации (см. таблицу). Обнаруже[23] Р.И. Джиоев, Б.П. Захарченя, Р.Р. Ичкитидзе, К.В. Кавоно, что концентрации примеси у двух противоположных кин, П.Е. Пак. ФТТ 35, 2821 (1993).

поверхностей различны: у поверхности, на которой был [24] М.И. Дьяконов, В.И. Перель. ФТТ 13, 3581 (1971).

выращен AlGaAs (гетерограница), концентрация приме[25] W. Walukievicz, J. Lagowski, L. Jastrzebski, M.C. Gatos.

си мала (Na = 1016 cm-3); около свободной поверхноJ. Appl. Phys. 50, 5040 (1979).

сти, наоборот, легирование сильное (Na = 1020 cm-3), Физика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.