WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

превращаются в Ga, в то время как доля образующихПри низкой температуре (T < 600)C зарождаются ся атомов азота при разложении аммиака составляет островки жидкого галлия, что связано с большим значеоколо 4%, при этом средние потоки Ga и N имеют нием работы образования зародышей GaN.

значения JGa 1018 m-2 · s-1, JN 1019 m-2 · s-1 [1].

Концентрацию адатомов на поверхности найдем с помощью (10) и, подставив вычисленные значения в (7), Список литературы получим очень большие величины пересыщения. Такие высокие значения пересыщения могут существо[1] S.G. Jain, M. Willander, J. Narayan, R.V. Overstraeten. J. Appl.

вать только очень короткое время, поскольку островки Phys. 87, 3, 965 (2000).

быстро поглотят вещество и пересыщение неизбежно [2] R.D. Vvispute, J. Narayan, H. Wu, K. Jagannadham. J. Appl.

понизится.

Phys. 77, 9, 4724 (1995).

Рассмотрим условия возникновения зародышей GaN и [3] Handbook of Chemistry and Physics / Ed. D.R. Lide. CRC Ga при низких температурах (T = 480C — температура Press. (1996). P. 76.

образования буферного слоя на AlN/сапфировой подлож- [4] X. Zhang, R.R. Li, P.D. Dapkus, D.H. Rich. Appl. Phys. Lett.

ке). Для жидкого Ga имеем b = 3, 4·1018 m-2 ·s-1, 77, 14, 2213 (2000).

Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. Зарождение полупроводников III-нитридов при гетероэпитаксии [5] R.S.Q. Fareed, J.W. Yang, J. Zhang, V. Adivarahan, V. Chaturvedi, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett. 77, 15, 2343 (2000).

[6] Z. Li, H. Chen, H. Liu, N. Yang, M. Zhang, L. Wan, O. Huang, J. Zhou, K. Tao. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 8 (Pt 1), 4704 (2000).

[7] S.W. King, E.P. Carlson, R.J. Therrien, J.A. Christman, R.J. Nemanich, R.F. Davis. J. Appl. Phys. 86, 10, 5584 (1999).

[8] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 1083 (1998).

[9] С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Наука, СПб (1996). 304 с.

[10] С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994).

[11] T.K. Harafuji, Y. Hasegawa, A. Ishibashi, A. Tsujimura, I. Kidoguchi, Y. Ban, K. Ohnaka. Jpn. J. Appl. Phys. 39, (Pt 1), 6180 (2000).

[12] J. Neugebauer, T. Zywietz, M. Scheffer, J. Northrup. Appl.

Surf. Sci. 159–160, 355 (2000).

[13] P.P. Koleske, A.E. Wickenden et al. J. Appl. Phys. 84, 4, (1998).

Физика твердого тела, 2001, том 43, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.