WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||
Значительная асимметрия проводимости в таблице), что указывало на вклад диффузионных даже для электродов с близкими значениями работы процессов при T = 873 K только для малых толщин составляющих слоев.

Как показал анализ зависимости диэлектрической проницаемости наноструктур от их состава (кривая 3 на рис. 4), значения практически линейно зависели от соотношения компонентов, а не от конкретных значений di и d. В то же время проводимость структуры j определялась не только соотношением компонентов, но и толщиной их оксидных слоев.

Если представить многослойную структуру в виде цепочки последовательно соединенных резисторов с проводимостью i и j, то при di, d > 5 nm эта зависимость j хорошо описывается соотношением для проводимости эквивалентной схемы 1/ = 1/i + 1/j Рис. 4. Зависимость проводимости (1, 2) и диэлектрической проницаемости (3) многослойной структуры Al2O3-Ta2Oи практически линейна в координатах lg -x (кривая 1 от доли слоев Ta2O5 в общей толщине (d 40 nm):

di, dj 5nm (1) и di, dj 1nm (2).

на рис. 4). При уменьшении толщины хотя бы одного Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. Диэлектрические многослойные наноструктуры оксидов тантала и алюминия же небольшие доли оксида алюминия в многослойной структуре Al2O3-Ta2O5 приводили к существенному повышению ее электрической прочности, что связано с особенностью распределения поля в системе и зарядовым состоянием границ раздела.

Проведенные исследования показали, что в многослойной композиции в зависимости от ее состава и соотношения толщин составляющих слоев можно получать диэлектрик с проводимостью и (или) электрической прочностью одного компонента при значительном вкладе диэлектрической проницаемости другого и использовать такие структуры для микро- и нанокомпонентной электронной базы.

Список литературы [1] Р. Аззам, Н. Башара. Эллипсометрия и поляризованный свет. Мир, М. (1981). 583 с.

[2] В.К. Громов. Введение в эллипсометрию. Изд-во ЛГУ, Л.

(1986). 192 с.

[3] В.И. Нефедов, В.Т. Черепин. Физические методы исследования поверхности твердых тел. Наука, М. (1983). 296 с.

[4] В.И. Нефедов. Рентгено-электронная спектроскопия химических соединений. Химия, М. (1984). 256 с.

[5] Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corporation Physical Electronics Division 6509 Flying Cloud Drive. Edom Prairie, Minnesota 55344 (1978). 456 p.

[6] С.И. Кольцов, Г.В. Свешникова, В.Б. Алесковский. ЖПХ 43, 5, 1150 (1970).

[7] С.И. Кольцов, В.Е. Дрозд, Т.А. Редрова. ДАН СССР 235, 5, 1090 (1977).

[8] В.Б. Алесковский. Вестн. АН СССР 6, 52 (1975).

[9] В.Б. Алесковский, В.К. Адамчук, В.Е. Дрозд, В.И. Губайдулин, А.И. Романычев, А.В. Федоров. ДАН СССР 303, 6, 1390 (1988).

[10] Ю.К. Ежовский, П.М. Вайнштейн. ЖФХ 71, 12, Рис. 5. Вольт-амперные характеристики наноструктур. a — (1997).

Al2O3 (1) и Ta2O5 (2), d = 20 nm; b — туннельная структура [11] Ю.К. Ежовский, П.М. Вайнштейн. ЖПХ 71, 2, 227 (1998).

Ta-Al2O3-Ni в координатах I-V (3) и lg(J/V ) = f (V ) (4), [12] Ю.К. Ежовский, Г.В. Аникеев, С.И. Кольцов. Изв. АН толщина диэлектрика d = 5nm, знак + на Ni-электроде.

СССР. Неорган. материалы 24, 619 (1988).

[13] В.Б. Лазарев, В.Г. Красов, И.С. Шаплыгин. Электропроводность окисных систем и пленочных структур. Наука, М. (1979). 68 с.

выхода электронов (Ni = 4.84 eV, Ta = 4.45 eV [15]) [14] Н.Ф. Мотт. Электронные процессы в некристаллических (рис. 5, b) вызвана тем, что высота барьера определяется веществах. Мир, М. (1982). 658 с.

не столько работой выхода электронов, сколько зарядо[15] С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М.

выми состояниями границы раздела металл-диэлектрик.

(1984). 456 с.

В многослойных диэлектрических структурах наличие дополнительных границ между оксидными слоями и границ с собственным оксидом металлической матрицы должно существенно снижать туннельный ток.

Следует отметить, что при общей толщине синтезированного диэлектрического слоя d > 3 nm туннельные структуры практически не имели коротких замыканий, хотя и существовали области с пониженной электрической прочностью. В целом электрическая прочность наноструктур составляла от 3 · 105 (малые доли Al2O3) до 5 · 106 V · cm-1 (малые доли Ta2O5) и имела нелинейную зависимость от состава. Установлено, что даФизика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.