WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

Список литературы При наличии двух подзон для электронов или для электронов и дырок, вносящих разный вклад в фоновую [1] M. Altarelli. Phys. Rev. B 28, 2, 842 (1983).

составляющую xy(B), выход уровней Ландау той или [2] G.A. Sai-Halasz, L. Esaki, W.A. Harrison. Phys. Rev. B 18, 6, иной подзоны (или двух вместе) из-под уровня Ферми 2812 (1978).

[3] M. Altarelli, J.C. Maan, L.L. Chang, L. Esaki. Phys. Rev. B будет приводить к изменению концентрации в подзоне 35, 18, 9867 (1987).

и, следовательно, к искажению плато КЭХ в xy (зави[4] M.N. Landolt, R. Bornstein. Numerical Data and Functional симости xy на рис. 5, a и 6, a в области КЭХ, когда Relationships in Science and Technology. Physics of Group при выходе электронных уровней Ландау наблюдаются IV Elements and III-V Compounds. Springer, N. Y. (1982).

минимумы xy). Этот эффект проявляется наиболее Vol. 17a.

заметно в образце МК513 / 1 (даже при T = 4.2K) при [5] Р.А. Сурис. ФТП 20, 11, 2008 (1986).

одновременном выходе уровней Ландау электронов и [6] S. de-Leon, L.D. Shvartsman, B. Laikhtman. Phys. Rev. B 60, дырок из-под уровня химического потенциала. Действи1861 (1999).

тельно, если при подходе электронного и дырочного [7] E. Halvorsen, Y. Galperin, K.A. Chao. Phys. Rev. B 61, 16 уровней Ландау уровень химического потенциала распо- (2000).

ложен вблизи такого пересечения, то плотность делока- [8] A. Zakharova, S.T. Yen, K.A. Chao. Phys. Rev. B 64, 235 (2001).

лизованных состояний на уровне Ферми увеличивается, приводя к увеличению холловской проводимости xy [9] M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, V.A. Berezovetz, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev.

(минимум в xy). В магнетосопротивлении xx такой хаIEE Proc.-Optoelectron. 145, 5, 268 (1998).

рактер пересечений химического потенциала с уровнями [10] К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев, Ландау тяжелых дырок проявляется в виде дополнительИ. Освальд, Э. Гулициус, И. Панграц, Т. Шимечек.

ных максимумов xx в области 10-14 T, отмеченных ФТП 37, 1214 (2003).

пунктирными стрелками на рис. 5, c. В более сильных [11] K.D. Moiseev, V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, полях (B 30 T) между наинизшими электронными и V.I. Nizhankovskii, R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev. Sur.

дырочными уровнями Ландау образуется энергетическая Sci. 482, 2, 1083 (2001).

[12] V.A. Berezovets, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, щель и происходит переход к собственной проводимости R.V. Parfeniev, Yu.P. Yakovlev, V.I. Nizhankovskii. Phys.

полупроводника (при отсутствии примесных состояний), Stat. Sol. (a) 195, 1, 194 (2003).

у которого число носителей, занимающих делокали[13] Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моизованные состояния на расходящихся уровнях Ландау сеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП 34, 2, 194 (2000).

электронов и дырок, будет экспоненциально уменьшаться с ростом магнитного поля при данной температуре.

4. Заключение Таким образом, впервые экспериментально установлены особенности спектра носителей в области перекрытия зоны проводимости и валентной зоны в разъединенном гетеропереходе II типа GaInAsSb / InAs на основе твердых растворов, обогащенных GaSb. Обнаружено появление энергетических щелей в результате антипересечений ветвей энергетического спектра с разными проекциями „псевдоспина“ как в нулевом, так и в ненулевых магнитных полях. Предложена простая аналитическая модель гетероперехода II типа, хорошо описывающая экспериментальные данные по квантоФизика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.