WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

ний и, в частности, фотогальванического эффекта в В работе [4] антисимметричная часть вероятности a „экситонных“ диэлектриках в связи с исследованием перехода Wkk электрона из состояния с волновым векв них сильных электрон-дырочных корреляций. В этих тором k в состояние с волновым вектором k при рассеработах показано, что объемный фотогальванический янии на фононах вычислена в немагнитных кристаллах эффект на микроскопическом уровне возникает при для нормальных процессов рассеяния в предположении, наличии в системе мнимой части синглетного параметра что электроны имеют квадратичный изотропный закон порядка, что макроскопически эквивалентно наличию у дисперсии. В нашем случае это приближение не может среды антисимметричных компонент магнитоэлектричебыть использовано, поскольку при таком законе дисского тензора (тороидного момента). Появление таких персии носителей тока поперечные фононы не могут компонент магнитоэлектрического тензора в тетрагоприводить к нормальным процессам рассеяния [7]. Таким нальных кристаллах возможно в том случае, если их образом, аналитический расчет равенств (15) должен класс магнитной симметрии есть D4h(C4v) [11]. Однако проводиться без привлечения этого приближения, что редкоземельные фосфаты и ванадаты, которые только существенно осложняет его выполнение. Впрочем даже без проведения этих вычислений можно сделать некото- и рассматриваются в этой работе, обладают магнитной a симметрией D4h(D2d). Таким образом, в этих кристаллах рые заключения о возможности в нашем случае Wkk не равняться нулю. Действительно, для произвольных вол- эффекты, связанные с электрон-дырочными корреляциями и приводящие к возникновению фотогальванических новых векторов k, когда в группу волнового вектора Gk токов, отсутствуют.

входит только единичный элемент, Фурье-компоненты Di j(k), Di jkl(k), а значит, и все вершинные части, На основании проведенного нами анализа можно сдерассмотренные нами ранее, отличны от нуля при взаимо- лать следующий вывод: в ЦАС АФ антиферромагнитный действии электронов с фононами, обладающими указан- фотогальванический эффект может быть обусловлен ными выше поляризациями. Последнее обстоятельство рассеянием носителей тока на фононах.

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып. 2032 В.В. Меньшенин Список литературы [1] Б.И. Стурман, В.М. Фридкин. Фотогальванический эффект.

Наука, М. (1992). 208 с.

[2] В.В. Меньшенин, Е.А. Туров. Письма в ЖЭТФ 72, 1, (2000).

[3] А.В. Андрианов, И.Д. Ярощецкий. ФТП 16, 4, 706 (1982).

[4] В.И. Белиничер, Б.И. Стурман. ФТТ 20, 3, 821 (1978).

[5] В.В. Меньшенин, Е.А. Туров. ЖЭТФ 108, 6(12), (1995).

[6] Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). 584 с.

[7] Дж. Займан. Принципы теории твердого тела. Наука, М.

(1974). 472 с.

[8] Е.А. Туров, В.В. Меньшенин, В.В. Николаев. ЖЭТФ 104, 6(12), 4157 (1993).

[9] А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев, В.В. Тугушев. ЖЭТФ 85, 3(9), 1107 (1983).

[10] Ю.А. Артамонов, А.А. Горбацевич, Ю.В. Копаев. ЖЭТФ 101, 2, 557 (1992).

[11] Ю.А. Артамонов, А.А. Горбацевич. ЖЭТФ 89, 3(9), (1985).

Физика твердого тела, 2003, том 45, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.