WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 | 2 ||

с уменьшением мощности основного (поверхностного) [22] S.A. McQuaid, M.J. Binns, C.A. Londos, J.H. Tucker, стока. Этот эффект выходит на насыщение при толщине A.R. Brown, R.C. Newman. J. Appl. Physics 77, 1427 (1995).

порядка нескольких миллиметров, когда поверхностный [23] G.D. Watkins. In: Defects in Silicon III / Ed. by T. Abe, сток сравнивается по мощности с объемным. В образцах W.M. Bullis, S. Kobayashi, W. Lin, P. Wagner. Vol. 99–1. The такой толщины должен формироваться сильно выражен- Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1999). P. 38.

ный профиль концентрации термодоноров N по глубине [24] V.V. Voronkov, R. Falster. J. Appl. Phys. 86, 11, 5975 (1999).

образца, повторяющий распределение атомов SiI. Уско[25] A. Hara, M. Koizuka, M. Aoki, T. Fukuda, H. Yamada-Kaneta, рение генерации ТД с увеличением толщины образца H. Mori. Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5577 (1994).

и профиль N по глубине фактически наблюдались [25], однако в качестве катализатора в данном случае мог выступать не SiI, а водород. Детальное исследование профиля N по глубине толстых образцов может дать прямое доказательство каталитического эффекта собственных межузельных атомов.

Список литературы [1] G.D. Watkins. In: Proc. 14 Intern. Conference on Defects in Semiconductors. (1986). P. 953.

[2] P. Wagner, J. Hage. Appl. Phys. A49, 2, 123 (1989).

[3] V.V. Voronkov. Semicond. Sci. Technol. 8, 2037 (1993).

[4] В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния. Интерпрес, Киев (1977). 240 c.

[5] A.R. Bean, R.C. Newman. J. Phys. Chem. Solid. 33, 2, (1972).

[6] J. Leroueille. Phys. Stat. Sol. A67, 1, 177 (1981).

[7] R.C. Newman, A.R. Brown, R. Murray, A. Tipping, J.H. Tucker. In: Semicond. Silicon / Ed. by H.R. Huff, K.G. Barraclough, J. Chikawa. Vol. 90-7. The Electrochemical Society Proceedings Series, Pennington, NJ (1990). P. 734.

[8] H.J. Stein, S. Hahn. In: Defect Control in Semiconductors.

Part 1 / Ed. by K. Sumino. Elsevier, Amsterdam (1990). P. 241.

[9] C.S. Chen, C.F. Li, H.J. Ye, S.C. Shen, D.R. Yang. J. Appl. Phys.

76, 3 347 (1994).

Физика твердого тела, 2000, том 42, вып.

Pages:     | 1 | 2 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.