WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

(U), прикладываемого к структуре, тока проводимости (Ic) и тока эмиссии (Ie). Из этих результатов видно, что ток эмиссии наблюдается при прямом смещении на остаточных газов на уровне 10-4 Pa. Для измерения образце, когда возникает и заметный ток проводимости.

электронной эмиссии над образцом помещали коллектор Зависимость интенсивности свечения (max = 700 nm) и электронов с потенциалом +100 V по отношению тока электронной эмиссии от приложенного к образцу Рис. 5. Вольт-амперная характеристика тока проводимости сандвич-структуры на основе пористого кремния при постоянном напряжении. Схема структуры приведена на вставке к рис. 4. На вставке приведены осциллограммы тока проводимости (Ic) и тока электронной эмиссии (Ie) при приложении к структуре переменного напряжения (U) частотой 500 Hz.

Физика твердого тела, 2000, том 42, вып. 1968 П.М. Томчук, Д.Б. Данько, О.Э. Кияев Список литературы [1] Properties of Porous Silicon / Ed. by L.T. Canham. IEE INSPEC. The Institution of Electrical Engineers, London (1997).

[2] С.В. Свечников, А.В. Саченко, Г.А. Сукач, Г.А. Евстигнеев, Э.Б. Каганович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 27, 3 (1994).

[3] С.В. Свечников, Э.Г. Манойлов, Э.Б. Каганович, В.С. Двирняк. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 32, (1997).

[4] L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).

[5] S.H. Perry, F. Lu, F. Namavar, N.M. Kalkhoran, R.A. Soref.

Appl. Phys. Lett. 60, 3117 (1992).

[6] Б.М. Шутов, О.И. Даценко. Украинский физический журнал 43, 4, 489 (1998).

[7] M. Koch. MRS Symp. Proc. 298, 319 (1993).

[8] Е.А. Шелонин, М.В. Найденкова, А.М. Хорт, А.Г. Яковенко, А.А. Гвелесиани, И.Е. Марончук. ФТП 32, 4, 494 (1998).

Рис. 6. Спектральная характеристика излучения нанострукту[9] C.C. Yeb, C.H. Lee, H.L. Hwang, K.G. J. Hsul. Thin Solid Films ры, приведенной на вставке b. На вставке a — вольт-амперная 255, 262 (1995); M. Takanahi, N. Araki, N. Koshida. J. Appl.

характеристика тока проводимости (Ic) чистой островковой Phys. 37, 1017 (1998).

пленки кремния (кривая 1) и после снижения работы выхода [10] P.G. Borziak, D.B. Dan’ko, R.D. Fedorovich, O.E. Kiyayev, пленки (кривая 2), а также вольт-амперная характеристика A.G. Naumovets.Progr. Surf. Sci. 53, 2–4, 171 (1996).

тока электронной эмиссии (Ie) после снижения работы выхода [11] A.G. Nassiopoulov, P. Photopolos, A. Travlos. In: Physics, пленки (кривая 3).

Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes to Nanomeeting 99 / Ed. by V.E. Borisenko, A.B. Filonov, S.V. Gaponenko, V.S. Gurin. World Scientific, Singapore (1999). P. 356.

переменного напряжения приведена на рис. 4. На графи[12] P. Steiner, F. Kozlovski, W. Lang. Appl. Phys. Lett. 62, 21, ках видна хорошая корреляция этих зависимостей, вклю2700 (1993).

чая шумы на них, что говорит о взаимосвязи процессов [13] R. Sabet-Dariani, N.S. McAlpine, D. Haneman. J. Appl. Phys.

эмиссии электронов и ЭЛ. Подобная корреляция наблю75, 12, 8008 (1994).

далась, как уже упоминалось выше, и в случае ОМП [19]. [14] В.Г. Голубев, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Кроме сандвич-структур нами также исследовались Н.А. Феоктистов. ФТТ 41, 153 (1999).

[15] W. Lang, P. Steiner, F. Kozlowski, P. Ramm. Thin Sol. Films планарные [10] кремниевые островковые структуры, ко255, 224 (1995).

торые изготавливались на диэлектрической подложке в [16] С.Н. Кузнецов, М.Я. Березин, Г.Б. Стефанович. Письма в зазоре между Si-контактами в высоком вакууме (рис. 6, ЖТФ 18, 22, 72 (1992).

вставка a). Для снижения работы выхода электронов на [17] E. Belotskij, P. Tomchuk. Surf. Sci. 239, 143 (1990).

Si островковую пленку напылялся слой BaO. Нанесение [18] P.M. Tomchuk. Surf. Sci. 330, 350 (1995).

BaO на островки Si увеличивало проводимость пленки, и [19] П.Г. Борзяк, Ю.А. Кулюпин. Электронные процессы в при напряжении 40 V появлялись ток электронной эмисостровковых металлических пленках. Наук. думка, Киев сии и свечение (рис. 6). На этом же рисунке приведен (1980).

спектральный состав свечения островковой пленки Si, [20] P. Tomchuk, D. Dan’ko, O. Kiyayev. In: Final book of Abstпокрытой слоем BaO. racts E-MRS Spring Meeting. Strasbourg (1994). F-V / P 47.

Наблюдение электронной эмиссии в ПК и островковых [21] H. Pagnia, N. Sotnik. Phys. Stat. Sol. (a) 108, 1, 11 (1988).

[22] R.D. Fedorovich, O.E. Kiyayev, A.G. Naumovets, K.N. Piкремниевых пленках является аргументом в пользу наlipchak, P.M. Tomchuk. Phys. Low-Dim. Struct. 1, 83 (1994).

личия в них горячих электронов. Подобие спектральных [23] A.A. Benditskii, D.V. Danko, R.D. Fedorovich, S.A. Nepijko, характеристик дает основание утверждать, что природа L.V. Viduta. Int. J. Electron. 77, 985 (1994).

ЭЛ в них одинакова. Наличие горячих электронов в [24] Д.А. Ганичев, В.С. Докучаев, С.А. Фридрихов, П.Г. Борзяк, кремниевых наночастицах со сниженной работой выхода Ю.Г. Завьялов, Ю.А. Кулюпин. Письма в ЖТФ 1, 8, и развитой поверхности в ПК делает возможными ме(1975).

ханизмы генерации свечения за счет тормозного излуче[25] П.М. Томчук, Б.П. Томчук. ЖЭТФ 85, 360 (1997).

ния, обратного поверхностного фотоэффекта, неупругого туннелирования.

Авторы выражают благодарность А.Г. Наумовцу и Р.Д. Федоровичу за плодотворные дискуссии.

Физика твердого тела, 2000, том 42, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.