WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Этот вклад описывается постоянным слагаемым c в выражениях (1). Присутствие в выражениях (1) сла гаемых, пропорциональных cos(3) sin(3), говорит о наличии в системе оси третьего порядка. Ось третьего порядка содержится в группе симметрии кремния. Это означает, что анизотропный вклад, пропорциональный cos(3) sin(3), возникает от подложки. Этот вклад формируется в области, непосредственно примыкающей к интерфейсу, за счет электродипольного механизма и в области с толщиной порядка глубины проникновения света за счет механизма электроквадрупольных переходов. При этом, как показано в [14], в полупроводниках со структурой кремния оба механизма — электродиРис. 7. Зависимость величины эффекта Керра от параметра, польный и электроквадрупольный — характеризуются определяющего толщину эффективного магнитного слоя плеодинаковой симметрией. Кроме слагаемых, пропорционок.

нальных cos(3) sin(3), выражения (1) также содержат члены, пропорциональные cos() sin(). Как показывают модельные расчеты, появление этих членов в (1) связано ся за счет ”трудного” процесса однородного вращения с небольшой по величине ( 1.5) разоориентацией намагниченности. Поскольку образцы характеризуются кремниевых подложек от плоскости типа (111). Таким как легкоплоскостные и энергией магнитной кристалобразом, поскольку среди источников ГВГ нет анизолографической анизотропии в гексагональной плоскости тропного магнитоиндуцированного вклада, небольшое по пленки можно пренебречь, величина коэрцитивного поля величине изменение интенсивности ГВГ, наблюдаемое может быть обусловлена влиянием анизотропии формы при перемагничивании, вызвано интерференцией изокристаллитов.

тропного магнитоиндуцированного вклада, возникающеДля выяснения природы анизотропии и источников го на границах раздела, и анизотропного немагнитного магнитоиндуцированной ГВГ проанализируем возможвклада, возникающего от подложки. Сужение петель ные механизмы ГВГ в исследуемых структурах. Вырагистерезиса магнитоиндуцированной ГВГ по сравнению жение для нелинейной поляризации на удвоенной частос ЭК(рис. 6) указывает на то, что процесс перемагничите, индуцированной электрическим полем световой волвания индуцируется на поверхности, а затем происходит ны E, в среде с намагниченностью M можно представить внутри пленки.

в виде Таким образом, в работе проведено исследование влияния технологических условий процесса выPi(2) =i jkEjEk + i jklEjEkMl + i jklEjkEl, (3) ращивания на магнитные и магнитооптические свойства тонких (6-12 nm) эпитаксиальных гетероструктур где первое и второе слагаемые описывают немагнитный MnAs/Si(111). С использованием магнитооптического и магнитоиндуцированный вклады в ГВГ соответственно.

эффекта Керра и генерации второй оптической гармоТензоры и имеют отличные от нуля компоненники исследована зависимость магнитных характеристик ты только в нецентросимметричных средах [12]. Поот толщины магнитного слоя и поверхностной морскольку MnAs и Si имеют центросимметричные крифологии. Наблюдалось линейное увеличение эффекта сталлические структуры, описываемые точечными групКерра от толщины магнитного слоя. Получена оценка пами симметрии 6/mmm и m3m соответственно, ГВГ толщины переходного слоя, образованного вблизи инв объеме этих материалов в электродипольном притерфейса магнетик–полупроводник, которая составляет ближении запрещена. Однако ГВГ может возникать на примерно 2 nm. На основе данных рентгеновских измегранице раздела воздух/MnAs и на интерфейсе MnAs/Si, рений предложена методика, позволяющая учесть влигде происходит нарушение операции пространственной яние переходного слоя на магнитооптические свойства инверсии. Необходимо также учесть вклад в нелинейную пленок. Наблюдалось различие гистерезисных свойств поляризацию от объема пленки и подложки, который магнитооптического эффекта Керра и магнитоиндуциможет возникать за счет квадрупольного механизма, рованной ГВГ, что свидетельствует о различии объемописываемого третьим членом в разложении. В Si этот ных и интерфейсных магнитных свойств пленок. Помеханизм может вносить заметный по величине вклад казано, что различие объемных гистерезисных свойств в нелинейную поляризацию, сравнимый с вкладом от пленок может быть обусловлено влиянием анизотропии поверхности [13].

формы кристаллитов. Исследован характер анизотропии Анализ симметрийных свойств тензоров, и азимутальных зависимостей ГВГ и проанализированы для группы 6/mmm показывает, что вклад в нелинейную источники нелинейнооптического сигнала. Показано, что Физика твердого тела, 2001, том 43, вып. 1870 А.Г. Банщиков, А.В. Кимель, Р.В. Писарев, А.А. Ржевский, Н.С. Соколов, A. Keen, Th. Rasing...

нечетное по намагниченности изменение интенсивности ГВГ вызвано интерференцией изотропного магнитоиндуцированного вклада, возникающего от пленки с анизотропным немагнитным вкладом, возникающим от подложки.

Список литературы [1] G.A. Prinz. Science 282, 1660 (1998).

[2] H. Ohno. Science 281, 951 (1998).

[3] Magnetic Films&Surfaces. 15th Int. Conf. Digest. Kyoto (1997).

[4] F. Schippan, A. Trempert, L. Dweritz, K.H. Ploog, B. Dennis, K.-U. Neumann, K.R.A. Ziebeck. J. of Crystal Growth 201/202, 674 (1999).

[5] M. Kstner, F. Schippan, P. Schtzebdbe, L. Dweritz, K. Ploog. J. Vac. Sci. Technol. B18, 2052 (2000).

[6] K. Akeura, M. Tanaka, T. Nishinaga, J. De Boeck. J. Appl.

Phys. 79, 4957 (1996).

[7] Nonlinear Optics of Metals / Ed. by K.H. Bennemann. Oxford University Press, Oxford (1998).

[8] А.Г. Банщиков, А.В. Кимель, В.В. Павлов, Р.В. Писарев, Н.С. Соколов, Th. Rasing. ФТТ 42, 115 (2000).

[9] Г.С. Кринчик. Физика магнитных явлений. Изд-во МГУ, М.

(1985).

[10] Handbook of Physical Quantities / Ed. by I.S. Grigoriev, E.Z. Meilikhov. CRC Press, Boca Raton (1997).

[11] E.R. Moog, S.D. Bader, J. Zak. Appl. Phys. Lett. 56, (1990).

[12] R.R. Birss. Symmetry and Magnetism. North–Holland, Amsterdam (1966).

[13] H.W.K. Tom, T.F. Heinz, Y.R. Shen. Phys. Rev. Lett. 51, (1983).

[14] J.E. Sipe, D.J. Moss, H.M. Van Driel. Phys. Rev. B35, (1987).

Физика твердого тела, 2001, том 43, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.