WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

На основании совокупности спектроскопических данных и данных по фотопроводимости мы предлагаем следующую картину плотности состояний дефектных уровней (рис. 7). Дефектные уровни расположены ниже зоны проводимости с энергетическим зазором порядка U1 = 0.23 eV. Мы имеем достаточно широкий дефектный спектр с полушириной порядка 0.32 eV. Это позволяет сделать вывод, что такой спектр дефектных состояний может обеспечить искомое распределение времени релаксации и его температурную зависимость, часто обсуждаемую при описании релаксорного поведения [8,10]. Это указывает на возможность участия именно таких дефектных состояний в формировании размытого фазового перехода в релаксорах, а также на возможные пути светового воздействия на релаксоры. Из работы [9] следует, что температурная область локализации носителей находится вблизи температуры фазового перехода. Энергия активации Ua = 0.65 eV определяет Физика твердого тела, 2004, том 46, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.