WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

при малых концентрациях и узлов типа B при концен- Центр Ti3+-Ln3+, являясь донорным центром, важен трациях La больше 4 at.% наблюдалось ранее в керамике для возникновения полупроводниковых свойств керамиPbZr1-xTixO3 [16]. Помимо изменения интенсивности ки, а вклад ионов Ti3+ в проводимость обсуждался в ряде изменяется g-фактор этого центра с изменением работ (см., например, [14]). Оба исследованных центра концентрации примеси (см. табл. 1). Это, по-видимому, представляют интерес для понимания позисторного эфобусловлено тем, что с ростом концентрации искажается фекта в BaTiO3. Следует подчеркнуть, что линия ЭПР структура BaTiO3. При допировании Lu интенсивность центра Ti3+-Ln3+ существует при всех концентрациях линии ЭПР центра Fe3+-VO существенно не изменяется. редкоземельных примесей, даже при тех, где линия Это можно объяснить тем, что Lu одновременно центра Fe3+-VO отсутствует.

начинает занимать узел A и узел B, компенсируя себя Более подробный сравнительный анализ особенностей при всех рассмотренных концентрациях Lu. Отметим, спектров ЭПР и проводимости, измеренных в широком что у Lu наименьший ионный радиус из данного ряда температуром интервале в образцах BaTiO3 с различной редкоземельных ионов, что, возможно, и позволяет ему концентрацией радкоземельных ионов, проводящийся в замещать одновременно оба узла. настоящее время, позволит детальнее исследовать меха3 + 3 + 3.2. П р и м е с н ы й ц е н т р T i - Ln. Линия низм позисторного эффекта в керамике BaTiO3.

ЭПР с g = 1.963 при малом содержании примеси (до 0.1 at.%) ранее наблюдалась в [17]. Авторы [17] приСписок литературы писывают линию ЭПР с g = 1.963 центру Ti4+-VO-Ti4+ с электроном, перемещающимся между Ti4+ и превра[1] H. Jkushima. J. Phys. Soc. Jap. 21, 1866 (1966).

щающим Ti4+ в Ti3+. Однако имеются некоторые про[2] T. Miki, A. Fujimoto, J. Appl. Phys. 83, 3, 1592 (1998).

тиворечия в этой модели. В комплексе Ti4+-VO-Ti4+ с [3] S. Jida, T. Miki, J. Appl. Phys. 80, 9, 5234 (1996).

перемещающимся электроном может быть две ситуации. [4] M.D. Glinchuk, I.P. Bykov, V.M. Kurliand, M. Boudys, T. Kala, K. Nejezchleb. Phys. Stat. Sol. (a) 122, 341 (1990).

Электрон большую часть времени локализован на вакан[5] И.П. Быков, М.Д. Глинчук, В.Г. Грачев, Ю.В. Мартынов, сии, и его волновая функция растянута в стороны Ti4+.

В.В. Скороход. ФТТ 33, 12, 3459 (1991).

В этом случае это типичный F-центр и его g-фактор [6] T. Sakudo. J. Phys. Soc. Jap. 18, 1626 (1963).

должен быть около 2.0023. Электрон большую часть [7] W.R. Eliot, J.L. Bjorkstam. J. Phys. Chem. Solids. 25, времени проводит локализованным на одном из Ti4+, так (1964).

что будет центр Ti3+-VO. Как уже упоминалось, в [14] [8] A.W. Hornig, R.C. Rempel, H.E. Weaver. J. Phys. Chem.

представлены результаты исследований всех центров, Solids. 10, 1 (1959).

содержащих Ti3+. Ни один из этих центров не имеет [9] E. Possenriede, P. Jacobs, O.F. Shirmer. J. Phys.: Condensed g-фактор, равный 1.963. Таким образом, эта модель Mater. 4, 4719 (1992).

не соответствует действительности. Предлагаемая нами [10] E. Siegal, K.A. Muller. Phys. Rev. B19, 109 (1977).

модель Ti3+-Ln3+ более правдоподобна. Как видно из [11] E. Possenriede, O.F. Shirmer, H.J. Donnerberg, G. Godefroy, A. Mailard. Ferroel. 92, 245 (1989).

рис. 1 и 3, b, линия ЭПР с g = 1.963 в чистом [12] R. Vivekanadan, T.R.N. Kutty. Material Science and BaTiO3 практически отсутствует. Из рис. 3, b видно, что Engineering B6, 221 (1990).

с ростом концентрации примеси до 0.2 at.% (т. е.

[13] P. Murugaraj, T.R.N. Kutty, J. Mater. Sci. Lett. 5, 171 (1986).

до x xc) интенсивность этой линии ЭПР растет. С [14] B. Scharfschwerdt, A. Mazur, O.F. Shirmer, H. Hesse, дальнейшим ростом концентрации примеси интенсивS. Mandricks. Phys. Rev. B54, 15284 (1996).

ность линии ЭПР незначительно снижается. Это можно [15] C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B57, R13961 (1998).

объяснить тем, что при x > xc примесь занимает как [16] А.Е. Круминь. Фазовые переходы и их особенности в узел A, так и узел B (о чем указывалось выше). При сегнетоэлектриках. Рига. С. 3–63 (1984).

этом количество центров Ti3+-Ln3+ уменьшается или не [17] T.R.N. Kutty, P. Murugaraj, N.S. Gajbhaye. Materials letters изменяется, так как для зарядовой компенсации ионов Ln 2, 396 (1984).

в узлах типа B центры Ti3+ не нужны. Изменение Физика твердого тела, 1999, том 41, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.