WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

эти спектры трансформируются таким образом, что сигПри этом метастабильность может быть обусловлена налы ЭПР не могут наблюдаться при условиях наших как взаимным расположением составляющих комплекса, экспериментов. Последующее охлаждение образцов от так и его разными зарядовыми состояниями. Следует температур 25 и 50 K, при которых исчезают спектры добавить, что разные фазы сигналов ЭПР ii1a и ii1b ЭПР ii1b и ii1a центров соответственно, не приводит центров для ориентаций B c и B c (рис. 1–3) к восстановлению сигналов ЭПР. Для последующего также могут свидетельствовать в пользу того, что центры восстановления сигналов ЭПР необходимо произвести характеризуются высокоспиновым состоянием.

нагревание до комнатной температуры с соблюдением Высокая степень анизотропии линий ЭПР ii1a и ii1b ряда специфических условий, в частности в темноте. Одцентров и их сравнительно малая ширина позволяют с нако при повторном восстановлении сигналов ii1b и ii1a высокой точностью характеризовать качество кристалцентров их абсолютные и относительные интенсивности лов GaN в той области кристалла, где эти сигналы зависят случайным образом от условий восстановления.

наблюдаются. Так, если принять во внимание, что линии По-видимому, имеется еще ряд специфических условий ЭПР могут сдвигаться на 10 mT при повороте кри(например, скорость охлаждения в различных темпера- сталла в магнитном поле на 1, то становится ясно, что турных интервалах), от которых зависят величина сигна- с учетом минимальной ширины линий порядка 0.5 mT лов ii1a и ii1b центров и соотношение их интенсивностей угловой разброс вокруг оси c кристалла не может препосле их восстановления. Для выяснения этих условий вышать 0.05.

требуются дополнительные исследования с привлечени- В ряде кристаллов наблюдались другие центры, обоем других экспериментальных методик. Наблюдаемые значенные нами в [14] как ii2 и имеющие параметры эффекты являются типичными для дефектов в полупро- g = 3.17, g 2.0. Линия ii2 в ориентации B c видна = водниках, проявляющих метастабильные свойства.

на рис. 1 для образца № 1. Величина g и ширина линии Относительно микроструктуры дефектов можно сде- ii2 центров зависят от температуры, и при повышении лать лишь некоторые предположения. Важным обстоя- температуры выше 25 K линия уширяется, а g-фактор Физика твердого тела, 1998, том 40, № Электронный парамагнитный резонанс дефектов с метастабильными свойствами в кристалле GaN уменьшается и стремится к двум. Подобное поведение сигналов ЭПР наблюдалось нами для акцепторов глубого бора, глубокого алюминия и глубокого галлия [17].

По аналогии мы можем связать сигналы ii2 центров с некими акцепторными центрами в GaN. В образце №на рис. 1 видна дополнительная интенсивная линия в области 220 mT, интенсивность которой резко уменьшается с изменением ориентации. Эта линия детально не исследовалась в настоящей работе.

Авторы выражают благодарность Ю.А. Водакову и А.Д. Роенкову за полезные дискуссии.

Работа была частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 98-02-18241).

Список литературы [1] H. Morkoc, S. Strite, G.B. Gao, M.E. Lin, B. Sverdlov, M. Burns. J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).

[2] S. Nakamura, N. Iwasa, M. Seno, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys.

31, 1258 (1992).

[3] Yu.A. Vodakov, M.I. Karklina, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov.

Inorganich. Mater. 16, 537 (1980).

[4] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, M.E. Boiko, P.G. Baranov. J. Cryst. Growth 183, 10 (1998).

[5] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov.

Krist. Techn. 14, 729 (1979).

[6] Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov, D.T. Saidbekov.

Phys. Stat. Sol. (a) 51, 209 (1979).

[7] C. Wetzel, D. Volm, B.K. Meyer, K. Pressel, S. Nilsson, E.N. Mokhov, P.G. Baranov. Appl. Phys. Lett. 65, 1033 (1994).

[8] W.E. Carlos, J.A. Freitas, M. Asif Khan, D.T. Olson, J.N. Kuznia. Phys. Rev. B48, 17 878 (1993).

[9] K. Maier, M. Kunzer, U. Kaufmann, J. Schneider, B. Monemar, I. Akasaki, H. Amano. Mat. Sci. Forum 143–147, 93 (1994).

[10] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov.

Semicond. Sci. Technol. 11, 1843 (1996).

[11] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun.

101, 611 (1997).

[12] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov, A.D. Roenkov. Inst.

Phys. Conf. Ser. N 155, Ch. 12, 985 (1997).

[13] G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum38–41, 39 (1989).

[14] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Mat. Sci. Forum 258–263, 1167 (1997).

[15] R. Heitz, A. Hoffmann, I. Broser. Phys. Rev. B48, (1993).

[16] R. Heitz, P. Maxim. L. Eckey, P. Thurian, A. Hoffmann, I. Broser, K. Pressel, B.K. Meyer. Phys. Rev. B55, 4382 (1997).

[17] P.G. Baranov, I.V. Ilyin, E.N. Mokhov. Solid State Commun.

100, 371 (1996).

Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.