WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

коэффициентом захвата электрона с отрицательно на Кривая 3 соответствует случаю, когда компенсирующей положительно заряженную примесь.

примесью являются полностью ионизованные доноры, Известно, что подвижность электронов M-1,0 в энергетические уровни которых расположены ближе к D--зоне значительно превосходит подвижность дырок c-зоне, чем D--зона [16], благодаря чему D-- и D0-зоны (электронных вакансий) M0,+1 в D0-зоне [1]. В то же заполняются электронами. При = 0 в этом случае время при K 1 концентрации фотовозбужденных N-1,0 = K(1 - K)N.

носителей (прыгающих электронов или дырок) в обеих Из рисунка видно, что для величина N-1,0() зонах примерно равны. Поэтому при рассмотрении издостигает максимума и слабо зависит от интенсивности менения прыжковой фотопроводимости h() при увемежпримесного фотовозбуждения, т. е.. При / личении интенсивности межпримесной подсветки будем учитывать перенос электронов только по D--зоне, т. е. характер зависимости концентрации прыгающих элекh() -1,0(). тронов от интенсивности подсветки для некомпенсиФизика твердого тела, 1998, том 40, № Стационарная прыжковая фотопроводимость по многозарядным примесным атомам в кристаллах рованных и компенсированных кристаллов одинаков: [8] Е.М. Гершензон, Ю.А. Гуревич, А.П. Мельников, Л.Н. Шестков. ЖЭТФ 100, 5, 1547 (1991).

N-1,0() 1/.

[9] В.Н. Александров, Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Приведенные выше формулы в равной мере примеН.А. Серебрякова. ФТП 11, 3, 532 (1977).

нимы и для описания прыжковой фотопроводимости [10] В.П. Добрего, С.М. Рывкин. ФТТ 6, 4, 1203 (1964).

по A+-зоне, когда прыжки дырок между зарядовыми [11] В.П. Добрего. ФТП 3, 11, 1665 (1969).

состояниями (+1) и (0) определяют h() +1,0().

[12] N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh. Phys. Stat. Sol. (b) 117, 1, Так, например, при / 1 из (11) получаем (1983).

+1,0() N+1,0() 1/ (см. рисунок). Это соответ[13] N.A. Poklonski, V.F. Stelmakh, V.D. Tkachev, S.V. Voitikov.

ствует результатам измерения +1,0() при температуре Phys. Stat. Sol. (b) 88, 2, K165 (1978).

[14] Ф. Хартман. Обыкновенные дифференциальные уравнеT 4.2 K в кристаллах Si : B (N = 7.8 · 1016 cm-3;

ния. Мир, М. (1970).

K = 3 · 10-4, Z =+1; N = 9 · 1016 cm-3, K = 2 · 10-3, [15] В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводZ =+1), когда увеличение интенсивности подсветки в ников. Наука, М. (1990).

4 раза уменьшало прыжковую фотопроводимость дырок [16] В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН 145, 1, 51 (1985).

A+-зоны в 2 раза [7].

6. Итак, в работе впервые получено выражение для прыжкового тока в кристаллическом полупроводнике по дефектам (примесным атомам) одного сорта в зарядовых состояниях (-1, 0, +1) с энергетической щелью между D-- и D0-зонами много большей, чем энергии активации переноса зарядов по этим зонам. Даны уравнения непрерывности для мигрирующих по кристаллу зарядовых состояний (-1, 0, +1) неподвижных атомов примеси.

Рассчитаны длина экранирования электростатического поля Ls и длина диффузии носителей заряда Ld, а также характер их изменения при межпримесной подсветке.

Получены выражения для биполярного коэффициента диффузии и времени жизни d электронов D--зоны относительно рекомбинации с электронными вакансиями D0-зоны. Показано, что d уменьшается с увеличением концентрации прыгающих в D--зоне электронов и в D0-зоне дырок (т. е. с ростом интенсивности подсветки).

Показано, что концентрация прыгающих в D--зоне электронов пропорциональна произведению концентраций примесей в зарядовых состояниях (-1) и (0) и немонотонно зависит от интенсивности межпримесной подсветки. Прыжковая подвижность в режиме прыжков между ближайшими по расстоянию примесями слабо зависит от подсветки. В рамкках этих представлений интерпретировано уменьшение прыжковой фотопроводимости с ростом интенсивности фотовозбуждения слабо компенсированного Si : B, когда энергетические уровни атомов бора образуют примесные A+- и A0-зоны.

Список литературы [1] Е.М. Гершензон, А.П. Мельников, Р.И. Рабинович, Н.А. Серебрякова. УФН 132, 2, 353 (1980).

[2] И.А. Драбкин, Б.Я. Мойжес. ФТП 15, 4, 625 (1981).

[3] Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП 28, 9, 1505 (1994).

[4] В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП 28, 3, (1994).

[5] V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B 212, 429 (1995).

[6] В.Л. Бонч-Бруевич. Письма в ЖЭТФ 41, 2, 58 (1985).

[7] Е.М. Гершензон, Ф.М. Исмагилова, Л.Б. Литвак-Горская, А.П. Мельников. ЖЭТФ 100, 3, 1029 (1991).

Физика твердого тела, 1998, том 40, №

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.