WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

Таким образом, температурный рост теплопроводности 2+x в СК GaS и GaSe, согласно закону T, обусловлен соответствующим температурным ростом теплоемкости этих кристаллов.

Рассмотрим теперь температурное поведение теплопроводности GaS и GaSe в области экспоненциального спада, учитывая то, что как упоминалось выше, эта область соответствует области температур, в которых и в GaSe и в GaS (а также в In4Se3 и PbI2 [6]) теплоемкость растет согласно C T и C T. Тщательный графический анализ (T ) в GaS и GaSe с использованием соотношения (1) и данных о температурных зависимостях теплоемкости в этих кристаллах [21,22] выявил, что величина /b в случае GaS примерно равна 110, а для GaSe — 65. Поскольку из упомянутых выше работ следует, что температура Дебая для GaS 260 K [21] а GaSe 190 K [22], можно с D D уверенностью заключить, что величина постоянной b и Рис. 2. Температурные зависимости коэффициентов тепло- в GaS и в GaSe превышает значение 2. Учитывая репроводности слоистых кристаллов. a – GaS: в плоскости зультаты расчетов авторов [6] о возможности процессов слоев (1), перпендикулярно слоям (2); b — GaSe:

переброса с участием трех фононов, принадлежащих в плоскости слоев (1), перпендикулярно слоям (2).

одной лишь „изгибной“ ветви спектра акустических колебаний, согласно которым должно быть b 1, можно констатировать, как и в случае графита и нитрида бора, малоэффективность подобных процессов в GaS и в GaSe.

3) В области температурного спада следует экспоЧто же касается СК In4Se3 и PbI2, которые изучались ненциальному закону (1) в широком интервале темв [6], то роль „изгибных“ колебаний в этих кристаллах, ператур.

еще менее анизотропных, чем GaS и GaSe, представляАнизотропия теплопроводности в GaS и GaSe, как ется весьма неочевидной.

и в случае с графитом, не может быть объяснена в Таким образом, анализ результатов исследований тепрамках особенностей акустического спектра, а поддается лопроводности слоистых кристаллов совместно с исинтерпретации лишь с учетом особенностей процессов следованиями теплоемкости и теплового расширения рассеяния носителей на дефектах, характерных для СК.

показал, что „изгибные“ колебания, обусловливающие Как видно, „необычный“ рост коэффициента теплотемпературное поведение теплоемкости и теплового проводности свойствен не только графиту, но и GaS расширения СК при низких температурах, могут опредеи GaSe. Напомним, что механизм, предложенный в [5] для объяснения тепловой аномалии в графите, суще- лять ход кривой теплопроводности СК лишь в области ее температурного роста. Эффекты фонон-фононного ственно базируется на квадратичном законе дисперсии взаимодействия с участием одних лишь фононов „изгибдля „изгибных“ колебаний. Мы уже отмечали, что ной“ ветви маловероятны. Даже в самом анизотропном ввиду слабой анизотропии GaS и GaSe, говоря о роли „изгибных“ колебаний, необходимо проявлять осторож- среди СК графите (а также в нитриде бора) процессы ность. В частности, квадратичный закон дисперсии для переброса становятся эффективными лишь при возбупоперечных акустических волн, распространяющихся в ждении высокочастотных акустических колебаний, соотплоскости слоев в GaSe (а также в InSe, In4Se3, PbI2, ветствующих другим ветвям акустического спектра СК.

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. О роли изгибных колебаний в процессах теплопереноса в слоистых кристаллах Список литературы [1] И.М. Лифшиц. ЖЭТФ 22, 4, 475 (1952).

[2] Э.Е. Андерс, Б.Я. Сухаревский, Л.С. Шестаченко. ФНТ 5, 7, 783 (1979).

[3] Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев, В.Я. Штейншрайбер. ФТТ 26, 12, 3560 (1984).

[4] R.A. Suleymanov, N.A. Abdullayev. Carbon 31, 7, (1993).

[5] B.T. Kelly. Phil. Mag. 15, 1005 (1967).

[6] Э.Е. Андерс, И.В. Волчок, Б.Я. Сухаревский. ФНТ 4, 9, 1202 (1978).

[7] Н.А. Абдуллаев, М.А. Алджанов. Э.М. Керимова. ФТТ 44, 2, (2002).

[8] C.A. Klein, M.G. Holland. Phys. Rev. 136, A575 (1964).

[9] R. Taylor. Phil. Mag. 13, 157 (1966).

[10] А.И. Лутков, В.И. Волга, Б.К. Дымов, Э.Ю. Лукина, П.В. Тамарин. Неорган. материалы 8, 8, 1409 (1972).

[11] E.K. Sichel, R.E. Miller, M.S. Adrahams, C.J. Buiocchi. Phys.

Rev. B13, 10, 4607 (1976).

[12] A. Simpson, A.D. Stuckes. J. Phys. C: Solid Stat. Phys. 4, 1710 (1971).

[13] Дж. Займан. Электроны и фононы. Иностр. лит-ра, М.

(1962).

[14] Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма в ЖЭТФ 47, 10, 498 (1988).

[15] W. DeSorbo, W.W. Tyler. J. Chem. Phys. 21, 5, 1660 (1953).

[16] A.C. Bailey, B. Yates. J. Appl. Phys. 41, 13, 5088 (1970).

[17] W.B. Gauster, I.J. Fritz. J. Appl. Phys. 45, 8, 3309 (1974).

[18] Н.А. Абдуллаев. ФТТ 43, 4, 697 (2001).

[19] М.А. Алджанов, К.К. Мамедов, А.Б. Абдуллаев, С.А. Алиев. ФТТ 27, 284 (1985); М.А. Алджанов, М.Д. Наджафзаде, З.Ю. Сеидов. ФТТ 41, 1, 37 (1999).

[20] B.M. Powell, S. Iandl, I.L. Brebner, F. Levy. J. Phys. C10, 16, 3039 (1977).

[21] К.К. Мамедов, М.А. Алджанов, И.Г. Керимов, М.И. Мехтиев. ФТТ 19, 5, 1471 (1977).

[22] К.К. Мамедов, М.А. Алджанов, И.Г. Керимов, М.И. Мехтиев. ФТТ 20, 1, 42 (1978).

4 Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.