WWW.DISSERS.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

   Добро пожаловать!

Pages:     | 1 ||

на рис. 4). Линейная зависимость свидетельстует о том, Наблюдаемые при этом спектры объемной АФЛ позчто процесс возбуждения АФЛ при относительно малой воляют получить информацию о примесных центрах, мощности возбуждающего гелий-неонового лазера носит ступенчатый, а не двухфотонный характер. По-види- присутствующих в объеме полупроводникового материала. Выполнен анализ примесей в объеме исследомому, на первом этапе при освещении кристалла в ванных кристаллов фосфида галлия. Такой результат области прозрачности возбуждаются примесные центры, характеризующиеся глубокими уровнями энергии в за- может быть использован в дальнейшем для монитопрещенной зоне, большими временами жизни и прин- ринга примесных состояний в реальных полупроводципиальной возможностью существования в несколь- никовых кристаллах, а также для совершенствования ких зарядовых состояниях. Примером таких центров в технологии получения сверхчистых полупроводниковых фосфиде галлия могут служить донорно-акцепторные материалов.

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып. 1774 В.С. Горелик, А.Л. Карузский, П.П. Свербиль Кроме того, ступенчатое возбуждение свободных носителей в области лазерного луча в кристалле открывает возможности для создания фотостимулированной проводимости в объеме полупроводника в условиях, когда длина волны возбуждающего излучения больше длины волны „красной границы“ фотопроводимости.

Авторы благодарят А.Э. Юновича, А.И. Гуткина за полезные обсуждения.

Список литературы [1] А.Л. Карузский, А.В. Квит, В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин, А.В. Пересторонин, Ю.А. Алещенко, Н.Н. Мельник. Микроэлектроника 25, 1, 13 (1996).

[2] А.Э. Юнович. В сб.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках / Под ред. Я.Е. Покровского. Наука, М. (1972).

С. 273.

[3] D.C. Thomas, J.J. Hopfield, W.M. Augustyniak. Phys. Rev. 140, 1A, A202 (1965).

[4] Б.М. Ашкинадзе, И.П. Крецу, С.Л. Пышкин, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ФТТ 10, 12, 3681 (1968).

[5] Б.М. Ашкинадзе, И.П. Крецу, С.Л. Пышкин, И.Д. Ярошецкий. ФТП 2, 10, 1511 (1968).

[6] Б.М. Ашкинадзе, А.И. Бобрышева, Е.В. Витиу, В.А. Коварский, А.В. Леляков, С.А. Москаленко, С.Л. Пышкин, С.И. Радауцан. Труды IX Межд. конф. по физ. полупр. Т. 1.

М. (1968). С. 200.

[7] Б.М. Ашкинадзе, С.М. Рывкин, И.Д. Ярошецкий. ФТП 3, 4, 535 (1969).

[8] Б.Г. Журкин, А.Л. Карузский, В.А. Фрадков. В сб.: Оптически возбужденные полупроводники при низких и сверхнизких температурах / Гл. ред. Н.Г. Басов. Труды Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. Т. 188. Наука, М.

(1988). С. 178.

[9] M. Chiba, V.A. Fradkov, A.L. Karuzskii, A.V. Perestoronin, B.G. Zhurkin. Physica B: Condens. Matter 302–303, (2001).

Физика твердого тела, 2002, том 44, вып.

Pages:     | 1 ||



© 2011 www.dissers.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.